STM32 FMC接口

xss3009

已于 2025-03-09 15:53:08 修改

阅读量973

点赞数 22

文章标签：单片机 stm32 嵌入式硬件

于 2025-03-09 10:57:42 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/xss9587/article/details/146128606

版权

FMC框图

SDRAM

SDRAM说明

引脚解释（大部分芯片都相同）

容量计算（例子）

CubeMX配置界面说明

芯片手册与CubeMX配置界面倒序对应

地址映射说明

FMC 给SDRAM 分配的区域不在External RAM 区这个区域可以直接执行代码，而SDRAM 所在的External device 区却不支持这个功能。

为了解决这个问题，通过配置“SYSCFG_MEMRMP”寄存器的“SWP_FMC”寄存器位可用于交换SDRAM 与NAND/PC 卡的地址映射，使得存储在SDRAM 中的代码能被执行，只是会限制在SDRAM 的最高同步时钟，代码的执行速度会受影响。（详细参考芯片手册RM0433的22.5节AXI接口）

CubeMX映射切换选项

CubeMX配置参数

注意

不知道为什么不分频无法读写SDRAM

初始化（参考芯片手册）

SDRAM比SRAM多一步初始化操作

初始化步骤

函数说明

发送命令函数说明

HAL_SDRAM_SendCommand()

通过该函数发送不同的命令达到初始化的步骤，命令由FMC_SDRAM_CommandTypeDef结构体决定，该结构体有四个参数分别为（对应芯片手册的命令模式寄存器 (FMC_SDCMR)详细参考RM0433 第22.9.5节 SDRAM 控制寄存器）

CommandMode 命令模式 (Command mode)有以下选择

#define FMC_SDRAM_CMD_NORMAL_MODE (0x00000000U)        000：正常模式

#define FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE (0x00000001U)         001：时钟配置使能

#define FMC_SDRAM_CMD_PALL (0x00000002U)               010：PALL（“预充电所有存储区域”）命令

#define FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE (0x00000003U)   011：自动刷新命令

#define FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE (0x00000004U)          100：加载模式寄存器

#define FMC_SDRAM_CMD_SELFREFRESH_MODE (0x00000005U)   101：自我刷新命令

#define FMC_SDRAM_CMD_POWERDOWN_MODE (0x00000006U)     110：掉电命令

CommandTarget 命令目标存储区域（Command Target Bank）有以下选择

#define FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2 FMC_SDCMR_CTB2     向 SDRAM 存储器 2 发送命令

#define FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1 FMC_SDCMR_CTB1     向 SDRAM 存储器 1 发送命令

#define FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1_2 (0x00000018U)    向 SDRAM 存储器 1 和 2 发送命令

AutoRefreshNumber 自动新次数 (Number of Auto-refresh）有以下选择

0~15 MODE =“011”自动刷新命令时所发出的连续自刷新命令个数（该参数只在处于自动刷新命令才有效）

ModeRegisterDefinition 模式寄存器定义 (Mode Register definition)（该参数只在处于加载模式寄存器才有效）

自动刷新函数说明

HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate()输入参数有接口句柄结构体和刷新速率（计算公式如下）(基本为(0.064/行数)*SDRAM时钟频率-20)

初始化函数

FMC_SDRAM_CommandTypeDef DevCommand;

DevCommand.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;                  //时钟配置使能
DevCommand.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;

HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &DevCommand,0xFFFF);

HAL_Delay(1);                                                       //延时200us以上

DevCommand.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_PALL;                        //预充电所有存储区域
DevCommand.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;

HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &DevCommand,0xFFFF);

DevCommand.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;            //自动刷新命令
DevCommand.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
DevCommand.AutoRefreshNumber = 8;                                   //设置为8个

HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &DevCommand,0xFFFF);

DevCommand.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;                   //加载模式寄存器
DevCommand.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
DevCommand.ModeRegisterDefinition = 0x220;                          //使能突发模式，CL设置为2

HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &DevCommand,0xFFFF);

HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1, 918);                        //设置自动刷新速率