flash 区别

快闪存储器芯片又分为NAND和NOR两种类,其主要区别在于其操作方式和存取时间的不同
。NAND类型Flash通常称之为串行Flash,其操作指令、操作地址和操作数据是通过同一
个8位总线传输,具有较少的硬件连接。NOR类型Flash通常称之为并行Flash,其地址总
线和数据总线是分开的,存取速度较快,但硬件连接较多。
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Flash Memory的标准物理结构,称之为基本位(cell),其特色为一般MOS的闸极(Gat
e)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而Flash Memory在控制闸(Control
 gate)与通道间却多了一层物质,称之为浮闸(floating gate)。拜多了这层浮闸之
赐,使得Flash Memory可以完成三种基本操作模式,亦即读(一个byte或word)、写(
一个byte或word)、抹除(一个或多个内存空间),就算在不提供电源给内存的环境下
,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。
 
由于浮闸的物理特性与结构,使得当浮闸被注入负电子时,此一cell就由数位”1”被写
成”0”,相对的,当负电子从浮闸中移走后,此一cell就由数字”0”变成”1”,此过
程称之为抹除。目前产业界有许多将负电子注入浮闸或移除技术的探讨,其中热电子注
入法(hot-electron injection),是当源极(source)接地,控制闸的电压大于汲极
(Drain)的电压时,浮闸与通道间氧化层的能量带会变得很狭隘,因此在通道中的负电
子会被加速自信道上跳到浮闸中,进而完成写的动作。同样的原理可以运用在抹除的功
能上,当控制闸接地且source接至一个高压时,浮闸上的负电子将会自浮闸中拉至sour
ce,进而完成抹除的动作。Flash Memory就是透过这种负电子存放或移除于浮闸的原理
,使得本身具有重复读写的特性。
 
Flash的种类
根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种,Cell Type
又可分为Self-Aligned Gate(Stack Gate)以及Split gate两种,前者以Intel为代表
,后者则被Toshiba、SST(硅碟)等厂商所采用;至于Operation Type,依据功能别又
可区分为Code Flash(储存程序代码)以及Data Flash(储存一般数据),Code Flash
动作方式有NOR及DINOR两种,而Data Flash动作方式则有NAND及AND两种,其中Code Fl
ash主要以NOR型为主,储存系统程序代码及小量数据,多半应用于PC、通讯移动电话、
PDA、STB等产品上;而Data Flash则是以NAND型为主,用于储存大量数据,主要应用范
围包括DSC、MP3等所需要的各式规格的小型记忆卡。


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NOR的特点是可在芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应该程序可以直接在flash内存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,但写入和擦写速度较低。而NAND结构能提供极高的单元密度,并且写入和擦除的速度也很快,是高数据存储密度的最佳选择。这两种结构性能上的异同步如下:NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的擦除速度远比NOR快。NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路也更加简单。NAND闪存中每个块的最大擦写次数量否万次,而NOR的擦写次数是十万次。此外,NAND的实际应用方式要比NOR复杂得多。NOR可以直接使用,并在上面直接运行代码。而NAND需要I/O接口,因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND Flash都有支持,如风河(拥有VxWorks系统)、微软(拥有WinCE系统)等公司都采用了TrueFFS驱动,此外,Linux内核也提供了对NAND Flash的支持或非(NOR)结构的Flash具有高速的随机存取功能,但成本较高;新的UltraNAND结构的Flash相对于NOR结构的Flash,具有价格低,容量特别大的优势,支持对存储器高速地连续存取。谝芯片工作电压范围在2.7~3.6V,特别适用于需要批量存储大量代码或数据的语音、图形、图像处理场合,在便携式移动存储和移动多媒体系统中应用前景广阔。

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另:

如何编写Linux下Nand Flash驱动

http://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#idp3630728
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