关于FLASH实现自我擦除

近期在实现cortex-R内核上的BootLoader，涉及到片上FLASH的erase，write。

FLASH都有个特性就是非RWW（ready while write），即不能在进行擦写操作时，同时进行read，即其内存储的代码也不能执行。

所以要把部分flash操作转移到RAM中，这样在操作flash时，程序运行在RAM中，不会冲突。

具体讲程序放在RAM中运行的方式，可以参考大佬痞子衡的两篇文章，以及编译器相关说明：

《在IAR下将关键函数重定向到RAM中执行的方法》

《在IAR开发环境下将整个源文件代码重定向到任意RAM中的方法》

另外有一个细节问题：

把什么代码放在RAM中运行能够顺利操作flash？

答：放入RAM中的code至少是能够单独执行完一次完整操作，并等待FLASH恢复到ready状态后，才能返回的完整function。  即：在一次erase或者write全部完成之前，是不能返回到flash中去执行其中的code。

记录：调试过程中遇到一个问题：把临时代码整理后，把一个APP_VALID_FLAG数组传参进写FLASH的函数（次函数已被重定位到RAM）后，MCU 出现prefetch异常，什么问题？

解：APP_VALID_FLAG数组是一个16B的固定数组，习惯性使用了const作为前缀，而const数组会被编译器存放在flash数据区，即当flash_write尝试访问此数组时，即需要在write的同时在内部总线上读取此数据，而此时FLASH控制器正被占用，无法读取，造成prefetch异常。解决办法是：把const去掉即可。