SDRAM Timing理解

使用sdram需要对soc sdram controller进行配置，主要设置地址线，位宽和时序，其中sdram的位宽和行列地址比较容易理解。

CLK：SDRAM工作的时钟，并且所有的输入信号都是在CLK的上升沿进行检测的，也就是说我们给SDRAM给的任何命令，一定要在CLK的上升沿保持稳定，以免SDRAM获取我们给出的命令时出现错误。

CKE：时钟使能信号，是用来控制SDRAM内部时钟是否工作的一个信号（在SDRAM内部也是有时钟的哦）

CS：片选信号，这里需要注意的是，如果要对SDRAM进行操作，必须要将片选信号拉低

BA0，BA1：Bank地址线，用来给bank的地址，可以控制SDRAM的4个bank

A0～A11：地址线，当我们选择SDRAM某个Bank的Row地址的时候，需要到12根地址线（A0～A11）；当选择Col地址的时候，只用A0～A8这9根线；A10这个信号可以用来控制Auto-precharge。

RAS、CAS、WE：这三根线就是用来给SDRAM发命令的，包括初始化、读、写、自动充电等命令。

UDQM、LDQM：数据输入/输出掩码。

DQ0～DQ15：SDRAM的数据线，为双向的，向SDRAM写数据或者从SDRAM中读出来的数据都是在DQ上进行传输的。

SDRAM芯片时序

CAS latency cycles（CAS等待时间）：即为“从读命令到数据输出的等待时间”，其以时钟为单位。允许值是1、2、3，默认为3。

initialization refresh cycles（初始化刷新周期）：即为“复位后，SDRAM控制器要执行多少个刷新周期作为初始化序列的一部分”，其以时钟为单位。允许值1~8，默认为2。

issue one refresh command every（每过一段时间执行一个刷新命令）：“该值指定SDRAM控制器多久刷新一次SDRAM”，典型的SDRAM每64ms需要4096个刷新命令，通过每64ms/4096＝15.625us执行一个刷新命令来符合要求。默认值为15.625us。

delay after powerup，before initialization（在初始化前，上电后延时）：“从稳定的时钟和电源到SDRAM初始化的延时”，默认值为100us。

duration of refresh command（t_rfc）（刷新命令的持续时间）：“自动刷新周期”，默认70ns。

duration of precharge command（t_rp）（预充电命令的持续时间）：“预充电命令周期”，默认为20ns。

active to read or write delay（t_rcd）（active到读写延时）：“active到读或者写延时”，默认20ns。

access time（t_ac）（访问时间）：“时钟边沿的访问时间”。该值由CAS等待时间决定。

write recovery time（t_wr，no auto precharge）（写恢复时间，无自动预充电）：“如果执行了明确的预充电命令，写恢复”。该SDRAM控制器总是执行明确的预充电命令。