（8）uboot之DDR SDRAM理解 五

Samsung DDR2 SDRAM 时序

1. 读时序
   读过程的抽象时序图*
   时序
2. 写时序
   写过程的抽象时序图*
   

3. 刷新时间
   
   
   
4. 刷新时序
   对于多个bank同时打开行时，为了控制功耗只能启用4个bank，需要开启下一个bank则要关闭上一个bank。
   

*：

t_rc: 一次行操作循环时间（row cycle）
t_rcd: 从行选通到列选通的延时时间(row to column delay)
t_ras: 从行选通到读取完成的时间(row access store)
t_rp: 预充电时间(row precharge)
t_wr: 写恢复时间（write recovery）
t_refi: 平均周期性刷新间隔时间（average periodic refresh interval）
t_rfc: 周期刷新时间（refresh cycle time）
t_rrd: 行激活到行激活时间（row activation to row activation delay）
t_rfc: 周期刷新时间（refresh cycle time）
t_wtr: 写到读的延时时间（write to read turn around time）
t_rtw: 读到写的延时时间（read to write turn around time）
t_wr: 写恢复时间（write recovery time）
t_cwd: 从发布列写命令到数据输出的时间（column write delay time）
t_rtp: 读到预充电时间（read to precharge time）
t_(cl/cas): 列延时时间（column access strobe time）
t_faw: 四个可激活的窗口时间（four active window time）
t_al: 附加延时时间（added latency to column access time）
t_rl: 读延时=附加延时+上列延时（t_rl = t_al + t_cl）
t_wl: 写延时=列延时-1（t_wl = t_cl - 1）