芯片FT测试主要流程

背景:最近刚了解mps公司的mp系列某芯片的测试流程，在此做个简单记录。

1.HW check
芯片太小，一般是把芯片放在socket上，连接测试板，再连接测试机，进行芯片功能的测试。
我们首先需要保证这些硬件是好的，这一步便是确定硬件上元器件、各通路的好坏。

2.INIT
初始化，常是获取测试时间、坐标、连接的是哪些site等信息。

3.Contact
在其他功能测试前进行的测试，主要包括测试各引脚的接触电压和开尔文电阻。
在芯片内部，各引脚之间有二极管，接触电压测量的是二极管电压，确定二极管工作良好/无引脚间的短路。如open，则测量情况和HW check的电压一致。
测量的开尔文电阻是接触电阻，其中包括socket和芯片引脚接触的电阻、整条线路上的电阻。有时候kelvin电阻太大，可能是继电器问题。正常来说，继电器的2和3引脚、6和7引脚之间有电阻，一般为0.3Ω。

3.Switch_BV
BV表示breakdown voltage，该测试项容易损坏芯片，不常做。

4.Leakage
测量该测试项的时候EN是置为0，即芯片未打开。
理论上，芯片未打开，输入管脚有无穷大的阻抗，几乎无电流流入或流出。但实际上，阻抗虽然大却很有限，有较小进出设备的电流。
要测某个引脚的漏电流，必须把其他引脚功能关掉，放置干扰。该测试项测量了上管、下管、各引脚的漏电流。

5.ActiveCurrent
把EN拉通后，各引脚的电压。

6.Functional
主要是测量boost regulator 和 vcc regulator的情况。

7.Logic
这部分是为了解EN、VIN在什么值的情况下，芯片进行工作/停止工作。可以用for循环和AWG缓慢升电压，得到准确值。还有对迟滞的计算和其值合不合理的判断。

8.Timing
用QTMU测量周期/频率。包括SW的频率、占空比、软启动时间等。
当周期太小，比如ns级别，就需要用示波器去观察波形了。

9.RdsonILimit
测量上下管的电阻，是mΩ量级的。因为太小了，如何保证精度、如何测量非常重要！
在测量上管的极限电流，直接测量容易损坏上管。FB的电压和上管电流成线性关系，转换关系，直到FB的最大电压和线性关系，就可以求得上管的极限电流。
测量上管的极限电流也是为了更好地保护上管，防止超过其正常工作的条件。

10.PostLeakage
经过上一个测试项，芯片有一微小概率坏掉，所以再加入对芯片好坏的检测。因为若损坏，给typ电压时比较明显，故进行typ电压下的部分漏电流测试项。

11.PostContact
再次进行连接、接触好坏的检测。