晶振电容如何选择？

在设计电路时，涉及到MCU或者CPU以及其他一些时钟电路时，都会有晶振的存在，这些电路都有一个特性，它们都是依赖时钟信号运行的。晶振就是电路心脏，心脏若不能跳动，电路就无法工作。

当我们设计晶振电路时，会下意识的接上两个电容，之前都是参考电路直接设计，并没有了解这么做的原因，今天就稍微花点时间，简单了解下。原来加的这两个电容是为了构成皮尔斯振荡器，震荡电路有很多种，在单片机设计中，最常用的震荡电路模型就是皮尔斯震荡器。

晶振有一个重要的参数就是负载电容值，还有一个重要的测试指标叫震荡裕量，震荡裕量至少要大于等于1，震荡电路才能正常工作。

一.晶振电容的计算

1.1 晶振的拓扑图(皮尔斯震荡电路)

典型的皮尔斯震荡电路通常由C-MOS反相器(在MCU内部)、反馈电阻(多数也在MCU里)、阻尼电阻、外部负载电容和晶体振荡器组成。

1.2 晶振的计算

晶振X1、外部负载电容CX1、CX2构成震荡电路。由于晶振在谐振时呈感性，因此可以看作是电容三点式震荡电路，电路中的X1、CX1、CX2为串联关系，晶振的负载电容计算方式为：

CL = ((CX1*CX2)/(CX1+CX2)) + CS。

式中：

CL：晶振的负载电容；

CS：晶振引脚到MCU之间的引线杂散电容，取值一般为2~5pF。

一般在选择晶振两端的电容时，CX1和CX2相等，因此公式可以简化为：

CL = ((CX1*CX1)/(CX1+CX1)) + CS；

CL = (CX1 / 2) + CS。

从而可以得到CX1为：

CX1 = 2(CL - CS)。

在实际应用中，精确得到CS值比较困难，我们可以通过测量晶振的频率来判断外部电容选的是否合适。当发现晶振的频率偏高时，可以增大电容，反之减小电容。

二.晶振的测试

2.1 测试方法

当我们选择好外部电容后，为了判断晶振拓扑是否稳定，可以进行裕量测试，裕量测试常用的方法是负阻测试，测试方法是在晶振支路上串联一个电阻，负阻测试拓扑图如下：

如图所示，测量负阻时，在晶振支路串联一个电阻，阻值的大小取晶振等效电阻(晶振数据手册可以查到)的3~5倍(医疗或者汽车级的应用可以取5~10倍测试)，当接入这个电阻后，晶振仍可以正常起振，说明这个晶振拓扑是稳定的。

注意：该串联电阻只在测试时加入，在正式批量生产时，不允许该电阻存在，不要将阻尼电阻和负阻搞混。

2.2 增加裕量的方式

• 减小外部电容：减小外部电容会增加C-MOS反相器输出端的阻抗，从而增加振荡电路的负阻并增加震荡裕量。在减小外部电容后，需要及时检查晶振的震荡频率是否偏离了需要的值。

• 减小阻尼电阻：在减小阻尼电阻后，需要检查晶振的激励源是否超过了晶振的额定功率，避免因功率过大导致晶振损坏。

• 选择内阻小的晶振：在选择晶振时，查看晶振的内阻值，内阻越小，裕量越大。