双向可控硅实现单相交流电机正反转（硬开通加缓冲吸收，无过零）

单相交流电机实现正反转只需要改变电容串联的位置。如下图中的单刀双掷开关S，接1和2旋转方向正好相反：

开关S可以用2个双向可控硅代替。一个可控硅接S—1,另一个可控硅接S—2，单片机控制触发脉冲让两个可控硅交替导通即可实现电机交替正反转。
这里一定要注意选取合适的元件值。吸收电容不能低了，否则直接击穿导致电容失效，吸收电路无效进一步会导致可控硅击穿。为了抑制尖峰电压，并一个压敏电阻来吸收尖峰能量。压敏电阻的压敏电压要低于吸收电容和可控硅的耐压值，否则起不到作用。具体可看下面两个图波形。

如果在峰值处打开关通电，未加压敏电阻，瞬间电压尖峰到2000V以上了。后续波形正弦曲线有点坏。
加入压敏电压为680V压敏电阻后，打开开关瞬间基本无尖峰，波形正弦曲线也比较好。
选取合适的可控硅、阻容吸收、压敏电阻吸收可以使交流单相电机稳定工作，无需过零检测。不过对于设计者来说，加入过零检测可以给后期硬件调试节省成本，如果客户对成本要求不是很严格的话。