DataFlash规格书译文（3）--AT26DF081A

最新推荐文章于 2024-09-06 10:38:06 发布

yesongldz

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分类专栏：嵌入式文章标签： flash behavior byte 存储 url 算法

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5 写与擦除命令

5.1 字节 / 页写

字节 / 页写命令允许在当前擦除过的存储空间内，从任意地址开始写 1 到 256 字节数据。一个擦除过的存储空间内，所有的数据位均为“ 1 ”，所有字节均为“ FF ”。

在开始进行“字节 / 页”写之前，要先发写能命令允许写操作。具体的做法是，设置状态寄存器中的写使能锁（ WEL ）位为“ 1 ”。

02 命令 +3 地址字节 + 数据字节。在命令和地址字节时钟传入完成后，数据可以写入并且存到内部缓存中去。

如果起始地址不落在偶的 256 字节页的边界， ( 即 A7 ～ A0 非全 0) ，这种特殊情况下的存储定位也将被 AT26DF081A 接受。在这种情形下，任何即将超越而边界的数据会绕回来写在该页的开始处。如：从地址 (A23~A0)0x0000FE 处写三个字节，发往 AT26DF081A 的最初两个字节分别写入 0x0000FE 和 0x0000FF 处，而最后一个字节却被写在 0x000000 处。 0x000001 和 0x0000FD 处均不受影响。另外，要说明的是，如果写入多于 256 字节的数据，只有最后的 256 字节被锁入内部缓存。

当 CS 引脚被拉高后， AT26DF081A 把数据保留在内存缓冲中去，并且依据起始地址（ A23 ～ A0 ），把内部缓冲的数据写入相应的物理存储阵列中去。如果写入的数据少于 256 字节，该页内剩余的空间将保持不变。

在 CS 置高之前，三个地址字节和至少一个数据字节必须发送完成。 CS 引脚必须置高于偶字节边界（ 8 位的整数倍）。否则的话， AT26DF081A 会中止操作，不会有数据写入到存储阵列中去。此外，如果地址指向一个受保护的扇区，“字节 / 页”写指令就不会被执行。一旦 CS 拉高， AT26DF081A 就会进入 IDLE 状态。一个不完整的地址、一个不完全的数据字节或者写入区正被保护，在这几种状态下， WEL 位会重新复位为“ 0 ”（保护状态）。

在写入操作时，需要读状态寄存器以判断 AT26DF081A 是否忙。为了更快的数据吞吐，强列建议采用查询状态寄存器方判断写入是否完成，取代等待 t(pp) 时间判断方法。在某些情况下，写操作周期完成后， WEL 位应重设为逻辑 0 状态。

当一个字节处写失败时， AT26DF081A 内置一个智能算法可以检测到。如果这种错误出现，立即由状态寄存器的 EPE 位来指明。

“字节 / 页”写模式是设备上电后或设备复位后默认的状态。

5.2 连续写入模式

在写入到连续存储区域时，连续写入模式可以提供比“字节 / 页”写更高的吞吐量。例如，一些系统由于设计的限制，每次仅写一个字节的信息，不能提供一个页写的缓冲操作。在这种情况下，系统不能正常的对连续的 FLASH 区域进行多字节写入操作。这种日常开销可用 SPI 总线。

连续写模式可以帮助系统减少日常开销和总线通信。它提供一个内部的地址计数器来跟综写入的字节地址，而不需要再提供每个写入 BYTE 的地址。在进入连续写入模式之前，要打开写使能位（置状态寄存器中的 WEL 位为逻辑“ 1 ”状态）。当使用连续写入模式时，所有要被写入的地址空间一定要处于擦除状态。（先被擦除）

连续写入过程：首次进入连续写入模式

（ 1 ）打开写使能位 WEL = 1

（ 2 ） CS 拉低

（ 3 ）发连续写命令“ AD ”或“ AF ” + 三个地址字节

（ 4 ）写入一个 BYTE 数据

（ 5 ）拉高 CS ， FLASH 会进行内部的写物理操作（写到 A23 ～ A0 指定的地址）

在第一个字节成功的写入之后，再次写入

（ 1 ） CS 拉低

（ 2 ）发连续写命令“ AD ”或“ AF ”

（ 3 ）写入一个 BYTE 数据

（ 4 ）拉高 CS ， FLASH 会进行内部的写物理操作（写到前述 A23 ～ A0 指定的地址下一个地址）

（ 5 ）判忙和失败（ EPE ）

当最后一个字节写入到 FLASH 阵列后，可按以下步骤取消连续写入模式

（ 1 ） CS 拉低

（ 2 ）发 Write Disable 命令（置状态寄存器 WEL 位为逻辑 0 ）

（ 3 ） CS 拉高？

（ 4 ）判忙和失败（ EPE ）

在连续写入时，如果每次写入多个数据，只有发送到 SPI 的最后一个 BYTE 保存在 FLASH 的内部锁存器中。每个字节的实际写入时限是由 FLASH 内部定义的，必在 t(BP.) 之内。在每次写周期内，一个完整的 BYTE 必须在 CS 拉高之前发送过来，且 CS 必须在字节的边界（ 8bits 的整数倍）处。否则的话， FLASH 将放弃当前的操作，数据无法写入到 FLASH 阵列， WEL 位会被重置为逻辑“ 0 ”状态。

如果连续写入的地址指向的 sector 处于保护状态，该连续写入指令也不会被执行，一旦 CS 拉高， FLASH 立即进入 IDLE 状态， WEL 位重回为“ 0 ”。

连续写入模式没有地址绕回机制，所以，当最后一个地址（ 0x0FFFFF ）被写入数据后， FLASH 自动退出连续写入模式， WEL 位重回为“ 0 ”。除此之外，连续写入模式不能自动跳过受保护的 sector ，所以，一旦高的未保护的地址写入完成后，当触入到较低的 sector ， FLASH 将自动退出连续写入模式和复位 WEL 。例如， sector1 是保护 sector ， sector 0 的最后一个 BYTE 写入完毕后，连续写入模式就会自动停止。为了继续写入 sector2 ，需要重新进入连续写入模式。

当 FLASH 正在写入字节时，可以读取状态寄存器的判忙位来判断写入动作是否完成。为了提高数据吞吐能力，可在每次写操作后，强烈建议用读状态寄存器的方式取代等待 t(BP) 时间。这样，一旦写入成功后，不用等待就可以开始下一次写入操作。

当一个字节处写失败时， AT26DF081A 内置一个智能算法可以检测到。如果这种错误出现，立即由状态寄存器的 EPE 位来指明。

5.3 块擦除

擦除后的 FLASH sector ，所有的位均为“ 1 ”状态。三种不同的块擦除指令分别用于擦除三种不同大小的块单元。

（ 1 ）命令： 20h 4K 字节块擦除指令

（ 2 ）命令： 52h 32K 字节块擦除指令

（ 3 ）命令： D8h 64K 字节块擦除指令

擦除之前，要置 WEL 位为“ 1 ”。

块擦除步骤

（1） CS 拉低

（2）发块擦除命令字节

（3）三个地址字节。如果再发数据的话，将被忽略

（4） CS 拉高。 FLASH 开始内部真正执行。 FLASH 内部擦除的时间在 t(BLKE) 内执行完毕。

既然块擦除指令可以擦除一片区域， FLASH 不需要对低位地址进行解码。

（ 1 ）对于 4K 擦除指令，有 12 位地址信息是无关紧要的， A11 ～ A0 无论是 0 或 1 都会被忽略；

（ 1 ）对于 32K 擦除指令，有 15 位地址信息是无关紧要的， A14 ～ A0 无论是 0 或 1 都会被忽略；

（ 1 ）对于 64K 擦除指令，有 16 位地址信息是无关紧要的， A15 ～ A0 无论是 0 或 1 都会被忽略；

在块擦除时，不论设备是否对这三个地址字节中的低位进行解码，这三个字节一定要被完整的 clocked into 到 FLASH ，并且在 CS 拉高之前，且 CS 必须在字节边界拉高。否则， FLASH 会放弃操作， WEL 被重置为“ 0 ”。如果对被保护的区域执行了擦除指令， WEL 也会被重置为“ 0 ”。