电子技术之PN结

子曰：学而时习之，不亦乐乎。
以下内容可能理解有误，请达者不吝赐教，感激莫名。

1.PN结的形成

多子扩散形成空间电荷区(电场E0)，空间电荷区导致少子漂移并阻止多子扩散，两种运动的平衡形成PN结（耗尽层，势垒区）。

2.正向导通与反向截止

1.〈正向导通〉
加正向电压（P+，N-），原空间电荷区电场被外电场(Ev)削弱，因此内电场的实际值为两场代数和：E＝E0+Ev。
主观感性的理解为，电源负极吸引P区空穴，正极吸引N区自由电子，导致两种载流子向耗尽层靠近，而使耗尽层变窄。
当外电压逐渐增大，耗尽层越来越窄，这时多子就能穿越耗尽层到达对方区域，形成电流，PN结开始导通。
导通后外电压持续增大，通过耗尽层的载流子会越来越多，载流子运动越来越剧烈，表现为电流增大，PN结温上升，如果不加限制，当结温超过最大承受值时将导致PN结热击穿。

2.〈反向截止〉
加反向电压时，原内电场被外