PN结的形成及其单向导电性

 

一，PN结的形成：

       PN结不是简单的把P型半导体与N型半导体组合在一起；而是在同一基片上通过扩散工艺制作一个P区和一个N区。

 

                           

 

       扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。

       内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动，组织了扩散运动的进行。

 

                               

 

       因电场作用所产生的运动称为漂移运动(少数载流子运动)。

 

       参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。

 

二，PN结的单向导电性。

       PN结加正向电压(正向接法、正向偏置)

       

 

       PN结加正向电压导通：

       耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通

       状态。

       PN结加反向电压(反向接发、反向偏置)

       

 

       PN结加反向电压截止：

            耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。

 

         问：为什么少子对温度稳定性影响大？

         答：多子原本就很多,因为温度升高新产生的多子相比原来几乎可以忽略.少子就不同了,由于温度升高得到能量新挣脱共价键出来的少子相比原来的少子不能忽略,而是变化比较大.啊