RAM、SRAM、DRAM ;ROM ;FLASH、及 S3C2440的存储介质

一、RAM、SRAM、DRAM 、ROM 、FLASH的区别:

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。


( 1 ) RAM

RAM(Random Access Memory) 随机访问存储器,存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。可以理解为,当你给定一个随机有效的访问地址,RAM会返回其存储内容(随机寻址),它访问速度与地址的      无关。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间内随机访问使用的程序。计算机系统里内存地址是一个四字  节对齐的地址(32位机),CPU的取指,执行,存储都是通过地址进行的,因此它可以用来做内存。

RAM按照硬件设计的不同,随机存储器又分为DRAMDynamic RAM)动态随机存储器和SRAMStatic RAM) 静态随机存储器


lSRAM它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它集成度比较低,不适合做容量大的内存,也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的L1 cacheL2cache(一级,二级缓存,寄存器。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。


lDRAM:分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAMDDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准 -Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM  来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

SDRAM : Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。

( 2 )ROM

l ROM(Read-Only Memory):只读存储器,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。 

ROM也有很多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是

软件灌入后,就无 法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,

一种通用的存储器。另外一种EEPROM 是通过电子擦除,价格很高,写入时间很长,写入速度很慢。


( 3 ) FlASH

lFLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数   据 (NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近  年来 Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。


目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。

lNOR FLASH:

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,采用的并行接口其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍。用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可减少SRAM的容量从而节约了成本。它的特点是支持XIP芯片内执行(eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM 中,也就是说可以随机寻址。擦除速度比较慢,集成度低,成本高。现在的NOR的容量一般在2M左右,一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。

lNAND FLASH

NAND Flash  采用的是串行的接口,没有采取内存的随机读取技术,CPU从里面读取数据的速度很慢,所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里面的数据先读到内存里面,然后CPU才能够执行。它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此很多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还附加一块小的NOR Flash来运行启动代码。

它能提供跟电脑的硬盘样的。但是它的集成度很高,ARM9的开发板上面一块256M的NAND还没有一块2M的NOR的一半大,所以成本很低。还有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的话那就真的悲剧了,假如擦除一块2M的NOR要一分钟,如果NAND的擦除速度比NOR还要慢,那擦除一块256M的NAND不是要几个小时。极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。其成本较低,不支持XIP。可做嵌入式里的数据存储介质。如:手机存储卡,SD卡等。 

     一般小容量的存储用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的“闪盘”,可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba 


二、内存工作原理:

内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的"动态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。


三、S3C2440的存储介质


l为了满足开发的需要MINI2440在出厂时搭载了三种存储介质:
  (1)NOR FLASH(2M):ROM存储器,通常用来保存BootLoader,引导系统启动
  (2)NAND FLASH(256M,型号不一样,Nandflash大小不一样):保存操作系统映像文件和文件系统
  (3)SDRAM(64M):内存,执行程序




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