石墨烯上AlN和GaN的形成机制

石墨烯上AlN和GaN的形成机制

研究表明，由于石墨烯上缺乏用于成核的悬空键，因此无法在原始石墨烯上生长外延层，因此我们在石墨烯薄膜中引入缺陷以增强其化学反应性。

图1a为AlN的生长过程。首先，我们使用湿转移方法将CVD生长的石墨烯转移到蓝宝石衬底上。而后，在GaN的生长过程中，氮源(NH3)蚀刻石墨烯表面并引入缺陷和成核位点，从而导致石墨烯的晶格呈现完整晶格和破碎晶格两种状态。为了更准确地模拟实际情况，可将石墨烯模型分为完全晶格状态和不同程度的晶格破碎状态:I级损伤、II级损伤和III级损伤。

图1所示:a)石墨烯/蓝宝石衬底上AlN层生长示意图(GaN的生长过程相同)；b)完整石墨烯晶格上Al原子的概率分布示意图；c-e) Al原子在破碎的石墨烯晶格上的概率分布示意图，分别为1级损伤、2级损伤、3级损伤。

AlN和GaN的吸附能与Al和Ga原子在石墨烯表面吸附的稳定性有关。完整石墨烯和破碎石墨烯上不同位置的Ga和Al吸附原子的吸附能不同。计算结果表明，Ga原子的吸附能小于Al原子，Al原子更容易吸附在衬底表面。此外，根据理论计算，Al原子在石墨烯上的迁移能为≈0.03 eV，比Ga原子的迁移能小≈0.05 eV。尽管Al具有较高的吸附能，但与Ga相比，其较低的迁移能可能导致形成三维岛的趋势，特别是在高温下。因此，石墨烯上的氮化铝相对容易成核并生长成薄膜。

如前所述，由于NH3的蚀刻，石墨烯晶格具有完全晶格和破晶格两种状态。各状态下Al原子有不同的吸附概率，根据不同位置的概率分布