石墨烯上AlN和GaN的形成机制

石墨烯上AlN和GaN的形成机制

研究表明，由于石墨烯上缺乏用于成核的悬空键，因此无法在原始石墨烯上生长外延层，因此我们在石墨烯薄膜中引入缺陷以增强其化学反应性。

图1a为AlN的生长过程。首先，我们使用湿转移方法将CVD生长的石墨烯转移到蓝宝石衬底上。而后，在GaN的生长过程中，氮源(NH3)蚀刻石墨烯表面并引入缺陷和成核位点，从而导致石墨烯的晶格呈现完整晶格和破碎晶格两种状态。为了更准确地模拟实际情况，可将石墨烯模型分为完全晶格状态和不同程度的晶格破碎状态:I级损伤、II级损伤和III级损伤。

图1所示:a)石墨烯/蓝宝石衬底上AlN层生长示意图(GaN的生长过程相同)；b)完整石墨烯晶格上Al原子的概率分布示意图；c-e) Al原子在破碎的石墨烯晶格上的概率分布示意图，分别为1级损伤、2级损伤、3级损伤。

AlN和GaN的吸附能与Al和Ga原子在石墨烯表面吸附的稳定性有关。完整石墨烯和破碎石墨烯上不同位置的Ga和Al吸附原子的吸附能不同。计算结果表明，Ga原子的吸附能小于Al原子，Al原子更容易吸附在衬底表面。此外，根据理论计算，Al原子在石墨烯上的迁移能为≈0.03 eV，比Ga原子的迁移能小≈0.05 eV。尽管Al具有较高的吸附能，但与Ga相比，其较低的迁移能可能导致形成三维岛的趋势，特别是在高温下。因此，石墨烯上的氮化铝相对容易成核并生长成薄膜。

如前所述，由于NH3的蚀刻，石墨烯晶格具有完全晶格和破晶格两种状态。各状态下Al原子有不同的吸附概率，根据不同位置的概率分布，我们得到了Al原子在完整石墨烯环上不同位置的吸附概率。同时，随着石墨烯损伤程度的增加，Al原子的吸附点趋于缺陷的中心。大部分AlN成核位点集中在完整的石墨烯C-C环的空心处，少数成核位点在破碎的石墨烯C-C环的中心。这表明AlN在石墨烯上的成核位置与石墨烯的晶格态有关。在TDCP生长方法中，AlN的生长过程分为三个阶段：1）低V/III比（230）生长5min，在石墨烯上制造缺陷并提供AlN成核点；2）增大V/III比值（280），缓慢促进成核岛水平；3）继续提高V/III比（330），加快AlN膜的生长速度。

因此，宏观上，我们可以通过改变石墨烯的损伤程度来控制AlN的成核位置。而后，在GaN生长之前，利用AlN的选择性成核可在石墨烯上生长TDCP AlN复合成核层。最后，可在AlN复合成核层上生长GaN薄膜。

图2a显示了不同时期的TDCP增长方法示意图。插图中显示了不同时期生长的GaN外延的扫描电子显微镜(SEM)图像。表明了GaN的形态与生长时间的关系，以及岛屿如何逐渐融合在一起形成更大的薄膜。在0 ~ 5 min的SEM图像中，GaN岛并没有合并，形成了一个个离散的岛而不是一个连续的膜。这表明GaN在石墨烯上的生长过程是通过沃尔默-韦伯岛生长模式进行的。随着时间的增长，连续性增强，岛屿逐渐融合形成薄膜。尽管岛屿上仍然有微坑，但它们结合在一起形成了一层薄膜。

使用扫描透射电子显微镜(STEM)对生长在外延AlN/石墨烯/蓝宝石上的GaN进行详细的结构分析。低倍率STEM图像(图2b)显示，在石墨烯/蓝宝石上生长了均匀的AlN膜。此外，C元素沿着图2b中红线的元素线扫描(EELS)光谱如图2c所示。扫描线上有一个清晰的C元素强度区域，这证实了边界是石墨烯。此外，由于非晶碳层的存在，元素C扫描区的宽度被拓宽。

图2：a)不同时期的TDCP生长方法示意图。图中分别显示了样品1、2和3的生长GaN外延层的扫描电子显微镜(SEM)图像；b)石墨烯/蓝宝石上生长AlN外延层的横断面扫描透射电子显微镜(STEM)图像；c) (b)中红线上C元素线扫描(EELS)谱。