自定义博客皮肤VIP专享

*博客头图:

格式为PNG、JPG,宽度*高度大于1920*100像素,不超过2MB,主视觉建议放在右侧,请参照线上博客头图

请上传大于1920*100像素的图片!

博客底图:

图片格式为PNG、JPG,不超过1MB,可上下左右平铺至整个背景

栏目图:

图片格式为PNG、JPG,图片宽度*高度为300*38像素,不超过0.5MB

主标题颜色:

RGB颜色,例如:#AFAFAF

Hover:

RGB颜色,例如:#AFAFAF

副标题颜色:

RGB颜色,例如:#AFAFAF

自定义博客皮肤

-+
  • 博客(33)
  • 收藏
  • 关注

原创 ADS软件操作(一)

要仿真滤波器的频率响应,只需要仿真其S参数即可,所以还需要再电路图中放入S参数的仿真控件和终端。可打开tune mode调谐分析,可以调节元件参数并实时查看对应仿真结果的变化。红色曲线是S(1,1)参数回波损耗,蓝色曲线是S(2,1)参数插入损耗。在ADS中进行仿真首先要创建工程文件,公用名称为workspace。可将仿真图保存到cell中,点击export可导出。在实际的仿真分析中,还需要指定仿真分析的频率范围。在数据显示窗口中可以查看仿真分析的结果。在画布上放置需要的元件,可以用导线。

2024-11-07 15:29:56 201

原创 几种因素对磁控溅射AlN薄膜择优取向的影响

当衬底温度升高到490度后,衬底表面吸附原子在各个晶面或晶界中扩散加快,薄膜生长过程中的应变能将会减少,使得热力学因素对薄膜择优取向的影响程度减弱,导致(100)、(101)等晶面相对(002)晶面生长速率加快,薄膜会再次由(002)晶面择优取向逐渐转变为混合晶面取向,取向性反而下降。气压过高时,溅射出来的Al原子在飞向衬底的过程中将会受到过多的散射,这造成入射到衬底表面的原子或原子团的能量降低,使得沉积的粒子扩散能力降低,不利于AlN薄膜的结晶和致密化,而且也降低了溅射沉积的速率。

2024-10-31 18:13:59 839

原创 EDA(六)Modelsim

ModelSim是一款由Mentor Graphics公司(现为Siemens EDA的一部分)开发的高性能、交互式和可扩展的HDL(硬件描述语言)仿真工具。ModelSim是一款功能全面、用户友好的仿真工具,适用于从简单的教学项目到复杂的工业级设计。与EDA工具集成:ModelSim可以与其他EDA工具集成,如综合工具和布局布线工具。波形查看器:提供强大的波形查看器,可以查看和分析信号的时序行为。社区和论坛:有活跃的社区和论坛,用户可以交流经验和解决问题。

2024-05-10 18:49:24 1129

原创 微电子领域常用材料简介(三)氮化镓

氮化镓(GaN)是一种具有重要战略意义的第三代半导体材料,因其独特的物理和化学性质,在多个领域展现出广泛的应用潜力。基本特性宽禁带:氮化镓具有宽带隙(约3.4eV),这使得它在可见光区域具有高透明度,对LED和激光器等光电子器件至关重要。高电子迁移率:氮化镓的电子迁移率高,这有助于提高器件的速度和功率特性。高热导率:相比于其他半导体材料,氮化镓展现出优异的热传导性能,有助于器件高效散热,提高性能和可靠性。高击穿电压:氮化镓具有高击穿电压特性,适用于高功率应用。

2024-05-09 19:14:47 808

原创 EDA(五)布局布线

它涉及到将电路设计中的逻辑门、晶体管、电容器、电阻器等电子元件在物理空间中进行精确的放置(布局),并通过导线(通常称为走线或布线)将它们连接起来,以实现电路的功能。布局布线是一个复杂的过程,需要电子工程师具备深厚的专业知识和丰富的实践经验。在布局布线完成后,需要进行信号完整性分析和电源完整性分析,以确保设计在高速或高频应用中的性能。在布局布线过程中,需要进行设计规则检查和布线规则检查,以确保设计满足制造和电气性能的要求。布局布线是一个迭代的过程,需要根据仿真结果不断调整布局和布线,以达到最优的设计。

2024-05-09 11:19:38 1321

原创 EDA(四)Verilog

Verilog是一种用于电子系统设计自动化(EDA)的硬件描述语言(HDL),主要用于设计和模拟电子系统,特别是在集成电路(IC)和印刷电路板(PCB)的设计中。• 模块(Module):模块是Verilog中最基本的构建块,它定义了电路的功能和结构。• 操作符:Verilog提供了丰富的操作符,包括算术操作符、逻辑操作符、关系操作符、位操作符等。• 并发:Verilog中的assign语句和always块中的组合逻辑是并发执行的。• 顺序:always块中的时序逻辑是顺序执行的,受时钟信号控制。

2024-05-03 16:03:55 1204

原创 EDA(三)DFT之Yield

在DFT中,Yield指的是在设计、制造和测试整个流程中,成功生产出无缺陷或符合性能标准的集成电路(IC)的比率。这个比率可以通过以下公式计算:[ Yield (%) = \frac{合格芯片数量}{开始生产的芯片数量} \times 100 ]

2024-05-01 15:28:38 180

原创 EDA(二)DFT之MBIST

MBIST 是一种有效的存储器自检测技术,它通过减少对外部测试设备的依赖,提高了生产效率并降低了成本。然而,设计者需要仔细考虑测试算法的选择和测试覆盖率,以确保存储器的可靠性。MBIST(Memory Built-In Self-Test,内置存储器自检测)是一种用于检测半导体存储器(如 RAM)中制造缺陷和操作故障的技术。它允许存储器在没有外部测试设备的情况下进行自我测试,从而提高了生产效率并降低了成本。MBIST 的核心思想是利用存储器内部的逻辑电路来执行测试,而不需要外部的测试设备。

2024-05-01 15:07:37 1217

原创 微电子领域材料生长方法(七)脉冲激光沉积(PLD)

脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,简称PLD)是一种先进的薄膜制备技术,它利用高能脉冲激光束照射固体靶材,产生高温等离子体,进而在基底上形成薄膜。综上所述,PLD是一种具有广泛应用前景的薄膜制备技术,它通过激光与靶材的相互作用产生等离子体,进而在基底上形成薄膜。随着激光技术的发展和对PLD过程理解的加深,预计PLD技术将在薄膜制备领域发挥更加重要的作用,特别是在高性能薄膜材料的制备上。• 激光与靶材相互作用:研究激光与靶材相互作用的物理机制,以提高薄膜质量。

2024-04-28 20:21:35 1138

原创 微电子领域材料生长方法(六)液相外延(LPE)

液相外延(Liquid Phase Epitaxy, LPE)是一种用于生长单晶薄膜的技术,特别是在半导体材料的制备中。LPE技术允许在较低的温度下从熔体中生长出高质量的单晶层,这对于某些在高温下容易分解或难以生长的材料尤其有用。液相外延是一种成熟的技术,对于生长特定类型的晶体材料具有独特的优势。随着技术的不断进步,LPE在材料科学和器件工程中的应用将会更加广泛。

2024-04-27 16:25:09 2114

原创 微电子领域常见概念(九)势垒层

势垒层(Barrier Layer)是半导体异质结构中的一个关键组成部分,尤其在制作如高电子迁移率晶体管(HEMTs)、量子阱激光器(QWLs)和多量子阱结构(MQWs)等器件时至关重要。势垒层的设计和优化对于实现高性能半导体器件至关重要。通过精确控制势垒层的物理和化学特性,可以显著提高器件的电子特性和整体性能。

2024-04-25 23:16:42 1120

原创 微电子领域常见概念(八)靶材

靶材作为PVD技术中不可或缺的材料,其质量直接影响到薄膜的性能和应用。因此,靶材的研发和生产是一个涉及材料科学、表面科学、真空技术等多个领域的综合技术问题。随着新技术的发展,靶材的应用范围将不断扩大,其性能也将得到进一步提升。靶材是用于物理气相沉积(PVD)技术中的一种关键材料,它在制备薄膜的过程中起到至关重要的作用。PVD技术包括多种不同的工艺,如磁控溅射、离子束溅射、分子束外延(MBE)、电子束蒸发等,这些工艺都需要使用靶材。一个典型的靶材例子是氮化铝(AlN)靶材,它在现代电子器件制造中非常重要。

2024-04-24 23:36:43 1159

原创 微电子领域常见概念(七)晶格匹配

晶格匹配是半导体器件制造中一个非常重要的概念,对于提高器件性能和可靠性具有重要意义。随着半导体技术的不断进步,晶格匹配技术也在不断发展和完善。晶格匹配虽然在减少晶格畸变和提高器件性能方面具有重要作用,但在实际应用中也需要考虑其可能带来的副作用。通过优化设计、选择合适的材料和生长技术,以及采用适当的后处理技术,可以最大限度地减少这些副作用,实现高性能的半导体器件。

2024-04-23 21:15:32 2407

原创 微电子领域常见概念(六)化学键合

o 在微电子领域,配位键合在某些类型的催化剂和功能性材料中发挥作用,尤其是在涉及到金属有机骨架(MOFs)或其他配位聚合物的应用中。o 在有机半导体和某些类型的分子电子器件中,π-π堆叠相互作用是重要的,因为它们有助于形成稳定的平面结构,这对于电子传输是有益的。o 尽管氢键通常被认为是一种较弱的相互作用,但在微电子领域,特别是在生物传感器和某些类型的分子电子学中,氢键的作用不容忽视。• 定义:金属键合是通过金属原子释放的自由电子(称为“电子海”或“电子云”)与正电荷的金属离子之间的相互作用形成的。

2024-04-22 19:23:52 1397

原创 微电子领域常见概念(五)界面结合能

界面结合能是指在两个不同相(例如固体-固体、固体-液体或固体-气体)的接触面上,单位面积的结合能。它是材料表面能和界面处原子间相互作用能的总和。

2024-04-22 17:43:31 1747

原创 微电子领域材料生长方法(五)分子束外延(MBE)

因其高精度的生长控制和能够生长多种材料的能力,在半导体器件制造、光电子器件、量子器件等领域有着广泛的应用。随着技术的发展,MBE技术不断演进,以满足不同材料和器件的特定需求,有望在更多领域得到应用。MBE技术利用分子束的定向性,通过精确控制各种元素的分子束或原子束在衬底表面的沉积速率,实现单晶薄膜的生长。MBE技术在高真空环境中进行,通过将不同元素的分子束或原子束(如金属和非金属元素)以特定角度和速率射向加热的衬底,使分子或原子在衬底表面吸附并发生表面迁移,最终形成有序排列的晶体薄膜。

2024-04-20 22:04:26 3421

原创 微电子领域材料生长方法(四)原子层沉积(ALD)

在每个步骤中,一种化学前驱体(通常是气态的化合物)被引入到反应室中,与基底表面的特定吸附层发生反应。这个过程重复进行,直到达到所需的薄膜厚度。原子层沉积(Atomic Layer Deposition,简称ALD)是一种用于在材料表面沉积薄膜的先进技术。它能够以原子层级的精确控制薄膜的厚度和组成,广泛应用于半导体、光伏、光学涂层、催化剂和生物医学等领域。原子层沉积技术因其独特的优势,在材料科学和工程领域中具有广泛的应用前景。随着对材料性能要求的不断提高,ALD技术将继续发展,以满足新的挑战和需求。

2024-04-20 17:02:45 1369

原创 微电子领域常见概念(四)牺牲层

牺牲层(Sacrificial Layer)是一种在微纳制造工艺中使用的特殊材料层,其主要作用是在器件制造的某个阶段提供必要的结构支撑或作为临时基底,然后在后续步骤中被有意移除,以释放或形成所需的结构。随着技术的进步和成本的降低,牺牲层技术有望在未来的材料科学和电子器件制造中发挥更大的作用。牺牲层材料的选择取决于所需解决的问题和最终应用。理想的牺牲层材料应具有良好的附着力、化学稳定性、适当的晶格常数和热膨胀系数。牺牲层的移除是加工过程中的关键步骤,需要确保不会对已完成的结构造成损伤。

2024-04-19 17:30:01 2683

原创 微电子领域常见概念(三)外延

外延生长是一种晶体生长方法,其特点是在单晶衬底上生长的薄膜保持与衬底相同的晶体取向和晶格结构。这种生长方式可以精确控制薄膜的厚度、晶体质量和掺杂浓度,对于制造高性能的电子和光电器件至关重要。

2024-04-18 16:51:53 660 1

原创 微电子领域常见概念(二)缓冲层

缓冲层(Buffer Layer)是一种在材料科学和器件工程中广泛使用的技术,特别是在半导体、光电子和微电子机械系统(MEMS)等领域。缓冲层的主要目的是在两种不同材料之间提供一个中间层,以改善它们之间的界面特性,减少缺陷,提高整体结构的稳定性和性能。缓冲层的材料选择取决于所需解决的问题和最终应用。理想的缓冲层材料应具有良好的附着力、化学稳定性、适当的晶格常数和热膨胀系数。随着材料科学和制造技术的进步,缓冲层的设计和应用将更加多样化和优化。缓冲层的制备技术需要精确控制薄膜的厚度和质量。

2024-04-18 16:45:31 1431 1

原创 微电子领域常见概念(一)衬底

衬底是用于生长外延层、薄膜或其他材料的底层基板。在半导体器件中,衬底通常是指晶体生长的起点,它可以是单晶的也可以是多晶的,甚至是非晶态的,具体取决于应用需求。

2024-04-18 16:34:57 909 1

原创 微电子领域常用材料简介(二)蓝宝石衬底

蓝宝石衬底是一种以氧化铝(Al2O3)单晶为主要成分的材料,因其优异的光学性能、机械性能和化学稳定性而在多个领域得到广泛应用。特点光学性能:蓝宝石具有很高的光学透过率,能够透过可见光和部分红外光,这使得它成为微电子管介质材料、超声传导元件、波导激光腔等光学元件的理想选择。同时,它也被用作红外军事器件、航天飞行器、高强度激光器和光通信的窗口材料。机械性能:蓝宝石的硬度非常高,仅次于钻石,因此具有很高的耐磨性和强度,适用于恶劣环境中的使用,如锅炉水表、商品条码扫描器、轴承等精密制造领域。

2024-04-16 22:54:50 1398

原创 微电子领域技术概述(二)剥离技术

剥离技术是一种材料加工方法,它允许将一层材料从一个基底上分离出来,通常用于半导体、复合材料或多层薄膜结构的制造。这种技术在微电子、光电子、纳米技术和柔性电子等领域有着广泛的应用。剥离技术的关键优势在于它能够以非接触的方式进行加工,从而减少对材料的损伤,保持材料的完整性和性能。机械剥离:这是一种传统的剥离方法,通过物理手段(如刮刀、胶带剥离等)将薄膜从基底上剥离。这种方法简单易行,但可能对薄膜造成机械损伤。激光剥离:使用激光能量来去除或削弱薄膜与基底之间的结合力,从而使薄膜从基底上分离。

2024-04-15 18:53:31 690 1

原创 微电子领域材料生长方法(三)化学气相沉积(CVD)

等离子体增强化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,简称PECVD)是化学气相沉积(CVD)技术的一种变体,它利用等离子体来促进化学反应,从而在较低的温度下沉积薄膜。CVD技术有多种变体,如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等,每种方法都有其特定的应用和优势。• 对于某些材料,CVD过程可能需要非常高的温度,这可能限制了可用衬底材料的选择。

2024-04-14 22:01:56 2889 1

原创 微电子领域技术概述(一)键合技术

键合技术是一种将两个或多个材料表面紧密连接在一起的方法,广泛应用于半导体制造、微电子封装、光学器件以及医疗器械等领域。键合技术的关键在于创建一个坚固且可靠的连接界面,以确保连接后的整体性能和稳定性。直接键合(Direct Bonding): 直接键合是一种通过物理接触将两个清洁、平整的表面连接在一起的方法。这种键合依赖于材料表面的微观机械力,如范德华力,以及可能的化学键合。直接键合通常用于硅晶片或其他半导体材料的键合,要求极高的表面平整度和清洁度。

2024-04-14 21:24:24 1525 1

原创 微电子领域材料生长方法(二)物理气相沉积(PVD)

PVD技术的核心在于通过高能粒子的轰击或热量的传递,使材料从固态转变为气态,然后在基底表面冷凝形成薄膜。溅射:在外加电场的作用下,惰性气体(通常是氩气)被电离成高能离子,这些离子被加速并轰击靶材,将靶材的原子或分子“溅射”出来。通过改变沉积条件,如基底温度、沉积压力、靶材与基底的距离、沉积时间等,可以调整薄膜的微观结构、厚度、成分和应力等特性。高纯度薄膜:由于在高真空环境中进行,可以制备高纯度的薄膜,减少杂质和气体的污染。选择合适的靶材,即将被蒸发或溅射的材料,通常为需要沉积的薄膜材料。

2024-04-13 21:19:20 1548 1

原创 芯片赛博都市—转发影视飓风【芯片放大几万倍,你会看到什么?-哔哩哔哩】

一期视频基本把芯片从基本结构讲到了比较新的知识,又没有特别冗杂以至于让普通人失去兴趣(还能顺便一拍即合),还能有很好的视觉效果。无论是对知识的理解还是最后的呈现都非常有水平,影视飓风团队的学习和表达能力真的牛!平面的显微照片和最后垂直方向的电镜照片,可以通过三维动画的形式结合在一起,让观众意识到那些绚丽的二维照片也只不过是芯片的冰山一角,下面还有更加复杂的立体结构。但是如果能把这个效果做出来会更加震撼~期待有团队能把这个做出来~

2024-04-12 16:16:33 491

原创 微电子研究常用物品(一)热释胶带

热释胶带的使用可以在电子元件生产、维修、二维材料的转移等领域提供便利,特别是在需要精确控制和无损剥离的应用中具有重要价值。通过上述步骤,可以有效地利用热释胶带的特性,实现物品的固定和转移。热释胶带是一种具有特殊性质的胶带,它能够在加热到一定温度后失去粘性,从而实现简便的剥离。这种胶带广泛应用于电子元件生产、二维材料的转移以及其他需要临时固定和后续容易移除的应用场景。

2024-04-12 15:36:43 569

原创 微电子领域材料生长方法(一)磁控溅射

磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。

2024-04-11 21:17:35 609 1

原创 EDA(一)DFT之SOC测试压缩的新进展

一、测试压缩的基本概念SoC测试压缩技术是一种用于减少SoC测试过程中所需存储和传输的测试数据量的方法。随着集成电路设计的不断发展,SoC的复杂性不断提高,导致测试数据量急剧增加,这不仅增加了测试成本,还延长了测试时间。为了解决这些问题,测试压缩技术应运而生,它通过特定的算法对测试数据进行编码,以减少数据的大小,同时保证测试的完整性和有效性。测试压缩技术的基本概念包括:数据编码:测试数据压缩涉及到将原始的测试向量(测试输入和预期输出)通过某种编码算法转换为更紧凑的形式。

2024-04-10 21:48:57 834

原创 半导体的一些表征方法(论文学习)

一束波长为λ的X射线入射到一个完整晶体的晶面(hkl),X射线DM照射到晶面A上的原子M发生散射,另一条与之平行的X射线FN受到晶面B上的原子N的散射,若着两条入射光线以及反射光线之间的光程差为入射光波长的整数倍时,则说明在该方向上的散射线具有相同的相位,满足相干条件,出现干涉现象。AFM的两个关键部件是扫描管和悬臂下的探针,为了获得样品表面的形貌信息,扫描管会控制探针在距离样品表面很近的范围内移动,探针会产生一个反馈信号来表示随着探针与样品表面距离的不同而产生的相互作用的大小。

2024-04-09 17:53:20 1480

原创 石墨烯上AlN和GaN的形成机制

各状态下Al原子有不同的吸附概率,根据不同位置的概率分布,我们得到了Al原子在完整石墨烯环上不同位置的吸附概率。大部分AlN成核位点集中在完整的石墨烯C-C环的空心处,少数成核位点在破碎的石墨烯C-C环的中心。图1a为AlN的生长过程。而后,在GaN的生长过程中,氮源(NH3)蚀刻石墨烯表面并引入缺陷和成核位点,从而导致石墨烯的晶格呈现完整晶格和破碎晶格两种状态。研究表明,由于石墨烯上缺乏用于成核的悬空键,因此无法在原始石墨烯上生长外延层,因此我们在石墨烯薄膜中引入缺陷以增强其化学反应性。

2024-04-08 05:00:05 984

原创 微电子领域常用材料简介(一)二维材料石墨烯

石墨烯可以用来制作晶体管,由于石墨烯结构的高度稳定性,这种晶体管在接近单个原子的尺度上依然能稳定地工作。石墨烯有望在诸多应用领域中成为新一代器件,为了探寻石墨烯更广阔的应用领域,还需继续寻求更为优异的石墨烯制备工艺,使其得到更好的应用。其优异的光学、电学、力学、热学性质促使研究人员不断对其深入研究,随着石墨烯的制备方法不断被开发,石墨烯必将在不久的将来被更广泛地应用到各领域中。石墨烯常见的粉体生产的方法为机械剥离法、氧化还原法、SiC外延生长法,薄膜生产方法为化学气相沉积法(CVD)。

2024-04-07 15:07:24 292

空空如也

空空如也

TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹

TA关注的人

提示
确定要删除当前文章?
取消 删除