STM32H7中FMC高速读写SDRAM
仅供个人学习，参考armfly
关于 SDRAM 的学习资料，推荐此贴：
http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=1930。
特别是《高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版》，强烈推荐大家一定看下。
SRAM硬件设计
STM32H7采用的 32 位FMC 接口驱动 ISSI的 SDRAM，型号IS42S32800G-6BLI，最高支持 166MHz的时钟，容量 32MB。
标准的 SDRAM 一般都是 4 个 BANK，这个芯片也不例外，芯片的总容量：2Mbit x 32bit x 4bank = 268,435,456bits = 256Mbit 。
每个 BANK 由 4096rows x 512columns x 32bits 组成。
这个比较重要，配置的时候要用到，也就是 12 行 9 列。
片选采用的 SDNE0，那么 SDRAM 的首地址是 0xC000 000，控制 32MB 的空间。
用到引脚所代表的含义：
SDRAM寄存器的几个重要参数
STM32H7 把这几个关键的参数做到了一个寄存器里面了，这些参数，手册上面有一些说明，但比较的笼统。
tRCD（TRCD）：
在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔，这个间隔被定义为 tRCD，即 RAS to CAS Delay（RAS 至 CAS 延迟），大家也可以理解为行选通周期，这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间（从一种状态到另一种状态变化的过程）所制定的延迟。tRCD 是 SDRAM 的一个重要时序参数，广义的 tRCD 以时钟周期数为单位，比如 tRCD=2，就代表延迟周期为两个时钟周期。具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，对于 STM32H7 驱动 SDRAM，采用的 200MHz，实际使用要做 2 分频，即 100MHz，那么我们设置 tRCD=2，就代表 20ns 的延迟。
CL（CAS Latency）：
在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数据通过数据 I/O 通道（DQ）输出到内存总线上了。但是在 CAS 发出之后，仍要经过一定的时间才能有数据输出，从 CAS 与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间，被定义为 CL（CAS Latency，CAS 潜伏期）。由于 CL 只在读取时出现，所以 CL 又被称为读取潜伏期（RL，Read Latency）。CL 的单位与 tRCD 一样，为时钟周期数，具体耗时由时钟频率决定。数据写入的操作也是在 tRCD 之后进行，但此时没有了 CL（记住，CL 只出现在读取操
作中）。
tWR（TWR）：
**数据并不是即时地写入存储电容，因为选通三极管（就如读取时一样）与电容的充电必须要有一段时间，**所以数据的真正写入需要一定的周期。为了保证数据的可靠写入，都会留出足够的写入/校正时间
（tWR，WriteRecovery Time），这个操作也被称作写回（Write Back）。
◆ tRP（TRP）：
在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送 RAS 行有效命令打开新的工作行，这个间隔被称为 tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）。和 tRCD、CL 一样，tRP 的单位也是时钟周期数，具体值视时钟频率而定。
FMC时钟源选择
使用 FMC 可以选择如下几种时钟源 HCLK3，PLL1Q，PLL2R 和 PER_CK。我们这里直接使用 HCLK3，配置 STM32H7 的主频为 400MHz 的时候，HCLK3 输出的 200MHz，这个速度是 FMC 支持的最高时钟，正好用于这里：
FMC 驱动 SDRAM 的话，必须对 FMC 的时钟做 2 分频或者 3 分频，而且仅支持这两种分频方式，也就是说，SDRAM 时钟可以选择 200MHz/2 = 100MHz，或者 200MHz/3 = 66MHz。
SDRAM驱动
/* #define SDRAM_MEMORY_WIDTH FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_8 */
/* #define SDRAM_MEMORY_WIDTH FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16 */
#define SDRAM_MEMORY_WIDTH FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_32
#define SDCLOCK_PERIOD FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2
/* #define SDCLOCK_PERIOD FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_3 */
#define SDRAM_TIMEOUT ((uint32_t)0xFFFF)
#define REFRESH_COUNT ((uint32_t)1543) /* SDRAM自刷新计数 */
/* SDRAM的参数配置 */
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1 ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_2 ((uint16_t)0x0001)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_4 ((uint16_t)0x0002)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_8 ((uint16_t)0x0004)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_INTERLEAVED ((uint16_t)0x0008)
#define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_2 ((uint16_t)0x0020)
#define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3 ((uint16_t)0x0030)
#define SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_PROGRAMMED ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE ((uint16_t)0x0200)
static void SDRAM_GPIOConfig(void);
static void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram, FMC_SDRAM_CommandTypeDef *Command);
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: bsp_InitExtSDRAM
* 功能说明: 配置连接外部SDRAM的GPIO和FMC
* 形 参: 无
* 返 回 值: 无
*********************************************************************************************************
*/
void bsp_InitExtSDRAM(void)
{
SDRAM_HandleTypeDef hsdram = {0};
FMC_SDRAM_TimingTypeDef SDRAM_Timing = {0};
FMC_SDRAM_CommandTypeDef command = {0};
/* FMC SDRAM所涉及到GPIO配置 */
SDRAM_GPIOConfig();
/* SDRAM配置 */
hsdram.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;
/*
FMC使用的HCLK3时钟，200MHz，用于SDRAM的话，至少2分频，也就是100MHz，即1个SDRAM时钟周期是10ns
下面参数单位均为10ns。
*/
SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay = 2; /* 20ns, TMRD定义加载模式寄存器的命令与激活命令或刷新命令之间的延迟 */
SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7; /* 70ns, TXSR定义从发出自刷新命令到发出激活命令之间的延迟 */
SDRAM_Timing.SelfRefreshTime = 4; /* 50ns, TRAS定义最短的自刷新周期 */
SDRAM_Timing.RowCycleDelay = 7; /* 70ns, TRC定义刷新命令和激活命令之间的延迟 */
SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime = 2; /* 20ns, TWR定义在写命令和预充电命令之间的延迟 */
SDRAM_Timing.RPDelay = 2; /* 20ns, TRP定义预充电命令与其它命令之间的延迟 */
SDRAM_Timing.RCDDelay = 2; /* 20ns, TRCD定义激活命令与读/写命令之间的延迟 */
hsdram.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1; /* 硬件设计上用的BANK1 */
hsdram.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9; /* 9列 */
hsdram.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_12; /* 12行 */
hsdram.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_32; /* 32位带宽 */
hsdram.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4; /* SDRAM有4个BANK */
hsdram.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3; /* CAS Latency可以设置Latency1，2和3，实际测试Latency3稳定 */
hsdram.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE; /* 禁止写保护 */
hsdram.Init.SDClockPeriod = SDCLOCK_PERIOD; /* FMC时钟200MHz，2分频后给SDRAM，即100MHz */
hsdram.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE; /* 使能读突发 */
hsdram.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_0; /* 此位定CAS延时后延后多少个SDRAM时钟周期读取数据，实际测此位可以设置无需延迟 */
/* 配置SDRAM控制器基本参数 */
if(HAL_SDRAM_Init(&hsdram, &SDRAM_Timing) != HAL_OK)
{
/* Initialization Error */
Error_Handler(__FILE__, __LINE__);
}
/* 完成SDRAM序列初始化 */
SDRAM_Initialization_Sequence(&hsdram, &command);
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: SDRAM_GPIOConfig
* 功能说明: 配置连接外部SDRAM的GPIO
* 形 参: 无
* 返 回 值: 无
*********************************************************************************************************
*/
static void SDRAM_GPIOConfig(void)
{
GPIO_InitTypeDef GPIO_Init_Structure;
/*##-1- 使能FMC时钟和GPIO时钟 ##################################################*/
__HAL_RCC_GPIOD_CLK_ENABLE();
__HAL_RCC_GPIOE_CLK_ENABLE();
__HAL_RCC_GPIOF_CLK_ENABLE();
__HAL_RCC_GPIOG_CLK_ENABLE();
__HAL_RCC_GPIOH_CLK_ENABLE();
__HAL_RCC_GPIOI_CLK_ENABLE();
/* 使能FMC时钟 */
__HAL_RCC_FMC_CLK_ENABLE();
/*-- 安富莱STM32-V7发板 SDRAM GPIO 定义 -----------------------------------------------------*/
/*
+-------------------+--------------------+--------------------+--------------------+
+ SDRAM pins assignment +
+-------------------+--------------------+--------------------+--------------------+
| PD0 <-> FMC_D2 | PE0 <-> FMC_NBL0 | PF0 <-> FMC_A0 | PG0 <-> FMC_A10 |
| PD1 <-> FMC_D3 | PE1 <-> FMC_NBL1 | PF1 <-> FMC_A1 | PG1 <-> FMC_A11 |
| PD8 <-> FMC_D13 | PE7 <-> FMC_D4 | PF2 <-> FMC_A2 | PG4 <-> FMC_A14 |
| PD9 <-> FMC_D14 | PE8 <-> FMC_D5 | PF3 <-> FMC_A3 | PG5 <-> FMC_A15 |
| PD10 <-> FMC_D15 | PE9 <-> FMC_D6 | PF4 <-> FMC_A4 | PG8 <-> FC_SDCLK |
| PD14 <-> FMC_D0 | PE10 <-> FMC_D7 | PF5 <-> FMC_A5 | PG15 <-> FMC_NCAS |
| PD15 <-> FMC_D1 | PE11 <-> FMC_D8 | PF11 <-> FC_NRAS |--------------------+
+-------------------| PE12 <-> FMC_D9 | PF12 <-> FMC_A6 | PG2 --- FMC_A12 (预留64M字节容量，和摇杆上键复用）
| PE13 <-> FMC_D10 | PF13 <-> FMC_A7 |
| PE14 <-> FMC_D11 | PF14 <-> FMC_A8 |
| PE15 <-> FMC_D12 | PF15 <-> FMC_A9 |
+-------------------+--------------------+--------------------+
| PH2 <-> FMC_SDCKE0| PI4 <-> FMC_NBL2 |
| PH3 <-> FMC_SDNE0 | PI5 <-> FMC_NBL3 |
| PH5 <-> FMC_SDNW |--------------------+
+-------------------+
+-------------------+------------------+
+ 32-bits Mode: D31-D16 +
+-------------------+------------------+
| PH8 <-> FMC_D16 | PI0 <-> FMC_D24 |
| PH9 <-> FMC_D17 | PI1 <-> FMC_D25 |
| PH10 <-> FMC_D18 | PI2 <-> FMC_D26 |
| PH11 <-> FMC_D19 | PI3 <-> FMC_D27 |
| PH12 <-> FMC_D20 | PI6 <-> FMC_D28 |
| PH13 <-> FMC_D21 | PI7 <-> FMC_D29 |
| PH14 <-> FMC_D22 | PI9 <-> FMC_D30 |
| PH15 <-> FMC_D23 | PI10 <-> FMC_D31 |
+------------------+-------------------+
+-------------------+
+ Pins remapping +
+-------------------+
| PC0 <-> FMC_SDNWE |
| PC2 <-> FMC_SDNE0 |
| PC3 <-> FMC_SDCKE0|
+-------------------+
*/
/*##-2- 配置GPIO ##################################################*/
GPIO_Init_Structure.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
GPIO_Init_Structure.Pull = GPIO_PULLUP;
GPIO_Init_Structure.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;
GPIO_Init_Structure.Alternate = GPIO_AF12_FMC;
/* GPIOD */
GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_8| GPIO_PIN_9 | GPIO_PIN_10 |\
GPIO_PIN_14 | GPIO_PIN_15;
HAL_GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_Init_Structure);
/* GPIOE */
GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_7| GPIO_PIN_8 | GPIO_PIN_9 |\
GPIO_PIN_10 | GPIO_PIN_11 | GPIO_PIN_12 | GPIO_PIN_13 | GPIO_PIN_14 |\
GPIO_PIN_15;
HAL_GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_Init_Structure);
/* GPIOF */
GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_2| GPIO_PIN_3 | GPIO_PIN_4 |\
GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_11 | GPIO_PIN_12 | GPIO_PIN_13 | GPIO_PIN_14 |\
GPIO_PIN_15;
HAL_GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_Init_Structure);
/* GPIOG */
GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 |
GPIO_PIN_4 | GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_8 | GPIO_PIN_15;
HAL_GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_Init_Structure);
/* GPIOH */
GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_2 | GPIO_PIN_3 | GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_8 | GPIO_PIN_9 |\
GPIO_PIN_10 | GPIO_PIN_11 | GPIO_PIN_12 | GPIO_PIN_13 | GPIO_PIN_14 |\
GPIO_PIN_15;
HAL_GPIO_Init(GPIOH, &GPIO_Init_Structure);
/* GPIOI */
GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_2 | GPIO_PIN_3 | GPIO_PIN_4 |\
GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_6 | GPIO_PIN_7 | GPIO_PIN_9 | GPIO_PIN_10;
HAL_GPIO_Init(GPIOI, &GPIO_Init_Structure);
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: SDRAM初始化序列
* 功能说明: 完成SDRAM序列初始化
* 形 参: hsdram: SDRAM句柄
* Command: 命令结构体指针
* 返 回 值: None
*********************************************************************************************************
*/
static void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram, FMC_SDRAM_CommandTypeDef *Command)
{
__IO uint32_t tmpmrd =0;
/*##-1- 时钟使能命令 ##################################################*/
Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;
Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;;
Command->AutoRefreshNumber = 1;
Command->ModeRegisterDefinition = 0;
/* 发送命令 */
HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);
/*##-2- 插入延迟，至少100us ##################################################*/
HAL_Delay(1);
/*##-3- 整个SDRAM预充电命令，PALL(precharge all) #############################*/
Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_PALL;
Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
Command->AutoRefreshNumber = 1;
Command->ModeRegisterDefinition = 0;
/* 发送命令 */
HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);
/*##-4- 自动刷新命令 #######################################################*/
Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;
Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
Command->AutoRefreshNumber = 8;
Command->ModeRegisterDefinition = 0;
/* 发送命令 */
HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);
/*##-5- 配置SDRAM模式寄存器 ###############################################*/
tmpmrd = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1 |
SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL |
SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3 |
SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |
SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;
Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;
Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
Command->AutoRefreshNumber = 1;
Command->ModeRegisterDefinition = tmpmrd;
/* 发送命令 */
HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);
/*##-6- 设置自刷新率 ####################################################*/
/*
SDRAM refresh period / Number of rows）*SDRAM时钟速度 – 20
= 64ms / 4096 *100MHz - 20
= 1542.5 取值1543
*/
HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(hsdram, REFRESH_COUNT);
}
读写测试
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: bsp_TestExtSDRAM
* 功能说明: 扫描测试外部SDRAM的全部单元。
* 形 参: 无
* 返 回 值: 0 表示测试通过； 大于0表示错误单元的个数。
*********************************************************************************************************
*/
uint32_t bsp_TestExtSDRAM1(void)
{
uint32_t i;
uint32_t *pSRAM;
uint8_t *pBytes;
uint32_t err;
const uint8_t ByteBuf[4] = {0x55, 0xA5, 0x5A, 0xAA};
/* 写SRAM */
pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
{
*pSRAM++ = i;
}
/* 读SRAM */
err = 0;
pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
{
if (*pSRAM++ != i)
{
err++;
}
}
if (err > 0)
{
return (4 * err);
}
/* 对SRAM 的数据求反并写入 */
pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
{
*pSRAM = ~*pSRAM;
pSRAM++;
}
/* 再次比较SDRAM的数据 */
err = 0;
pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
{
if (*pSRAM++ != (~i))
{
err++;
}
}
if (err > 0)
{
return (4 * err);
}
/* 测试按字节方式访问, 目的是验证 FSMC_NBL0 、 FSMC_NBL1 口线 */
pBytes = (uint8_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < sizeof(ByteBuf); i++)
{
*pBytes++ = ByteBuf[i];
}
/* 比较SDRAM的数据 */
err = 0;
pBytes = (uint8_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < sizeof(ByteBuf); i++)
{
if (*pBytes++ != ByteBuf[i])
{
err++;
}
}
if (err > 0)
{
return err;
}
return 0;
}
/*
*********************************************************************************************************
* 函 数 名: bsp_TestExtSDRAM2
* 功能说明: 扫描测试外部SDRAM，不扫描前面4M字节的显存。
* 形 参: 无
* 返 回 值: 0 表示测试通过； 大于0表示错误单元的个数。
*********************************************************************************************************
*/
uint32_t bsp_TestExtSDRAM2(void)
{
uint32_t i;
uint32_t *pSRAM;
uint8_t *pBytes;
uint32_t err;
const uint8_t ByteBuf[4] = {0x55, 0xA5, 0x5A, 0xAA};
/* 写SRAM */
pSRAM = (uint32_t *)SDRAM_APP_BUF;
for (i = 0; i < SDRAM_APP_SIZE / 4; i++)
{
*pSRAM++ = i;
}
/* 读SRAM */
err = 0;
pSRAM = (uint32_t *)SDRAM_APP_BUF;
for (i = 0; i < SDRAM_APP_SIZE / 4; i++)
{
if (*pSRAM++ != i)
{
err++;
}
}
if (err > 0)
{
return (4 * err);
}
#if 0
/* 对SRAM 的数据求反并写入 */
pSRAM = (uint32_t *)SDRAM_APP_BUF;
for (i = 0; i < SDRAM_APP_SIZE / 4; i++)
{
*pSRAM = ~*pSRAM;
pSRAM++;
}
/* 再次比较SDRAM的数据 */
err = 0;
pSRAM = (uint32_t *)SDRAM_APP_BUF;
for (i = 0; i < SDRAM_APP_SIZE / 4; i++)
{
if (*pSRAM++ != (~i))
{
err++;
}
}
if (err > 0)
{
return (4 * err);
}
#endif
/* 测试按字节方式访问, 目的是验证 FSMC_NBL0 、 FSMC_NBL1 口线 */
pBytes = (uint8_t *)SDRAM_APP_BUF;
for (i = 0; i < sizeof(ByteBuf); i++)
{
*pBytes++ = ByteBuf[i];
}
/* 比较SDRAM的数据 */
err = 0;
pBytes = (uint8_t *)SDRAM_APP_BUF;
for (i = 0; i < sizeof(ByteBuf); i++)
{
if (*pBytes++ != ByteBuf[i])
{
err++;
}
}
if (err > 0)
{
return err;
}
return 0;
}
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