STM32H7中FMC高速读写SDRAM

最新推荐文章于 2024-10-15 13:16:27 发布
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分类专栏： MCU Basic 文章标签： stm32 嵌入式硬件 单片机
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本文链接：https://blog.csdn.net/yybyg/article/details/137993403
版权

STM32H7中FMC高速读写SDRAM

仅供个人学习，参考armfly
关于 SDRAM 的学习资料，推荐此贴：
http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=1930。
特别是《高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版》，强烈推荐大家一定看下。

SRAM硬件设计

STM32H7采用的 32 位FMC 接口驱动 ISSI的 SDRAM，型号IS42S32800G-6BLI，最高支持 166MHz的时钟，容量 32MB。
标准的 SDRAM 一般都是 4 个 BANK，这个芯片也不例外，芯片的总容量：2Mbit x 32bit x 4bank = 268,435,456bits = 256Mbit 。
每个 BANK 由 4096rows x 512columns x 32bits 组成。
这个比较重要，配置的时候要用到，也就是 12 行 9 列。
片选采用的 SDNE0，那么 SDRAM 的首地址是 0xC000 000，控制 32MB 的空间。
用到引脚所代表的含义：
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

SDRAM寄存器的几个重要参数

STM32H7 把这几个关键的参数做到了一个寄存器里面了，这些参数，手册上面有一些说明，但比较的笼统。
在这里插入图片描述
tRCD（TRCD）：
在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔，这个间隔被定义为 tRCD，即 RAS to CAS Delay（RAS 至 CAS 延迟），大家也可以理解为行选通周期，这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间（从一种状态到另一种状态变化的过程）所制定的延迟。tRCD 是 SDRAM 的一个重要时序参数，广义的 tRCD 以时钟周期数为单位，比如 tRCD=2，就代表延迟周期为两个时钟周期。具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，对于 STM32H7 驱动 SDRAM，采用的 200MHz，实际使用要做 2 分频，即 100MHz，那么我们设置 tRCD=2，就代表 20ns 的延迟。
CL（CAS Latency）：
在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数据通过数据 I/O 通道（DQ）输出到内存总线上了。但是在 CAS 发出之后，仍要经过一定的时间才能有数据输出，从 CAS 与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间，被定义为 CL（CAS Latency，CAS 潜伏期）。由于 CL 只在读取时出现，所以 CL 又被称为读取潜伏期（RL，Read Latency）。CL 的单位与 tRCD 一样，为时钟周期数，具体耗时由时钟频率决定。数据写入的操作也是在 tRCD 之后进行，但此时没有了 CL（记住，CL 只出现在读取操
作中）。
tWR（TWR）：
**数据并不是即时地写入存储电容，因为选通三极管（就如读取时一样）与电容的充电必须要有一段时间，**所以数据的真正写入需要一定的周期。为了保证数据的可靠写入，都会留出足够的写入/校正时间
（tWR，WriteRecovery Time），这个操作也被称作写回（Write Back）。
◆ tRP（TRP）：
在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送 RAS 行有效命令打开新的工作行，这个间隔被称为 tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）。和 tRCD、CL 一样，tRP 的单位也是时钟周期数，具体值视时钟频率而定。

FMC时钟源选择

使用 FMC 可以选择如下几种时钟源 HCLK3，PLL1Q，PLL2R 和 PER_CK。我们这里直接使用 HCLK3，配置 STM32H7 的主频为 400MHz 的时候，HCLK3 输出的 200MHz，这个速度是 FMC 支持的最高时钟，正好用于这里：
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
FMC 驱动 SDRAM 的话，必须对 FMC 的时钟做 2 分频或者 3 分频，而且仅支持这两种分频方式，也就是说，SDRAM 时钟可以选择 200MHz/2 = 100MHz，或者 200MHz/3 = 66MHz。

SDRAM驱动



/* #define SDRAM_MEMORY_WIDTH            FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_8  */
/* #define SDRAM_MEMORY_WIDTH            FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16 */
#define SDRAM_MEMORY_WIDTH               FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_32

#define SDCLOCK_PERIOD                   FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2
/* #define SDCLOCK_PERIOD                FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_3 */

#define SDRAM_TIMEOUT                    ((uint32_t)0xFFFF)
#define REFRESH_COUNT                    ((uint32_t)1543)    /* SDRAM自刷新计数 */  

/* SDRAM的参数配置 */
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1             ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_2             ((uint16_t)0x0001)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_4             ((uint16_t)0x0002)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_8             ((uint16_t)0x0004)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL      ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_INTERLEAVED     ((uint16_t)0x0008)
#define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_2              ((uint16_t)0x0020)
#define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3              ((uint16_t)0x0030)
#define SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD    ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_PROGRAMMED ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE     ((uint16_t)0x0200)

static void SDRAM_GPIOConfig(void);
static void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram, FMC_SDRAM_CommandTypeDef *Command);


/*
*********************************************************************************************************
*	函 数 名: bsp_InitExtSDRAM
*	功能说明: 配置连接外部SDRAM的GPIO和FMC
*	形    参: 无
*	返 回 值: 无
*********************************************************************************************************
*/
void bsp_InitExtSDRAM(void)
{
    SDRAM_HandleTypeDef      hsdram = {0};
	FMC_SDRAM_TimingTypeDef  SDRAM_Timing = {0};
	FMC_SDRAM_CommandTypeDef command = {0};

    
	/* FMC SDRAM所涉及到GPIO配置 */
	SDRAM_GPIOConfig();

	/* SDRAM配置 */
	hsdram.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;

	/* 
       FMC使用的HCLK3时钟，200MHz，用于SDRAM的话，至少2分频，也就是100MHz，即1个SDRAM时钟周期是10ns
       下面参数单位均为10ns。
    */
	SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay    = 2; /* 20ns, TMRD定义加载模式寄存器的命令与激活命令或刷新命令之间的延迟 */
	SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7; /* 70ns, TXSR定义从发出自刷新命令到发出激活命令之间的延迟 */
	SDRAM_Timing.SelfRefreshTime      = 4; /* 50ns, TRAS定义最短的自刷新周期 */
	SDRAM_Timing.RowCycleDelay        = 7; /* 70ns, TRC定义刷新命令和激活命令之间的延迟 */
	SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime    = 2; /* 20ns, TWR定义在写命令和预充电命令之间的延迟 */
	SDRAM_Timing.RPDelay              = 2; /* 20ns, TRP定义预充电命令与其它命令之间的延迟 */
	SDRAM_Timing.RCDDelay             = 2; /* 20ns, TRCD定义激活命令与读/写命令之间的延迟 */

	hsdram.Init.SDBank             = FMC_SDRAM_BANK1;               /* 硬件设计上用的BANK1 */
	hsdram.Init.ColumnBitsNumber   = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;   /* 9列 */
	hsdram.Init.RowBitsNumber      = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_12;     /* 12行 */
	hsdram.Init.MemoryDataWidth    = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_32;	/* 32位带宽 */
	hsdram.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;  /* SDRAM有4个BANK */
	hsdram.Init.CASLatency         = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;       /* CAS Latency可以设置Latency1，2和3，实际测试Latency3稳定 */
	hsdram.Init.WriteProtection    = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE; /* 禁止写保护 */
	hsdram.Init.SDClockPeriod      = SDCLOCK_PERIOD;                /* FMC时钟200MHz，2分频后给SDRAM，即100MHz */
	hsdram.Init.ReadBurst          = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;       /* 使能读突发 */
	hsdram.Init.ReadPipeDelay      = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_0;       /* 此位定CAS延时后延后多少个SDRAM时钟周期读取数据，实际测此位可以设置无需延迟 */

	/* 配置SDRAM控制器基本参数 */
	if(HAL_SDRAM_Init(&hsdram, &SDRAM_Timing) != HAL_OK)
	{
		/* Initialization Error */
		Error_Handler(__FILE__, __LINE__);
	}

	/* 完成SDRAM序列初始化 */
	SDRAM_Initialization_Sequence(&hsdram, &command);
}

/*
*********************************************************************************************************
*	函 数 名: SDRAM_GPIOConfig
*	功能说明: 配置连接外部SDRAM的GPIO
*	形    参: 无
*	返 回 值: 无
*********************************************************************************************************
*/
static void SDRAM_GPIOConfig(void)
{
	GPIO_InitTypeDef GPIO_Init_Structure;

    /*##-1- 使能FMC时钟和GPIO时钟 ##################################################*/
	__HAL_RCC_GPIOD_CLK_ENABLE();
	__HAL_RCC_GPIOE_CLK_ENABLE();
	__HAL_RCC_GPIOF_CLK_ENABLE();
	__HAL_RCC_GPIOG_CLK_ENABLE();
	__HAL_RCC_GPIOH_CLK_ENABLE();
	__HAL_RCC_GPIOI_CLK_ENABLE();

	  /* 使能FMC时钟 */
	  __HAL_RCC_FMC_CLK_ENABLE();
		
	/*-- 安富莱STM32-V7发板 SDRAM GPIO 定义 -----------------------------------------------------*/
	/*
	 +-------------------+--------------------+--------------------+--------------------+
	 +                       SDRAM pins assignment                                      +
	 +-------------------+--------------------+--------------------+--------------------+
	 | PD0  <-> FMC_D2   | PE0  <-> FMC_NBL0  | PF0  <-> FMC_A0    | PG0 <-> FMC_A10    |
	 | PD1  <-> FMC_D3   | PE1  <-> FMC_NBL1  | PF1  <-> FMC_A1    | PG1 <-> FMC_A11    |
	 | PD8  <-> FMC_D13  | PE7  <-> FMC_D4    | PF2  <-> FMC_A2    | PG4 <-> FMC_A14    |
	 | PD9  <-> FMC_D14  | PE8  <-> FMC_D5    | PF3  <-> FMC_A3    | PG5 <-> FMC_A15    |
	 | PD10 <-> FMC_D15  | PE9  <-> FMC_D6    | PF4  <-> FMC_A4    | PG8 <-> FC_SDCLK   |
	 | PD14 <-> FMC_D0   | PE10 <-> FMC_D7    | PF5  <-> FMC_A5    | PG15 <-> FMC_NCAS  |
	 | PD15 <-> FMC_D1   | PE11 <-> FMC_D8    | PF11 <-> FC_NRAS   |--------------------+
	 +-------------------| PE12 <-> FMC_D9    | PF12 <-> FMC_A6    | PG2  --- FMC_A12 (预留64M字节容量，和摇杆上键复用）
	                     | PE13 <-> FMC_D10   | PF13 <-> FMC_A7    |
	                     | PE14 <-> FMC_D11   | PF14 <-> FMC_A8    |
	                     | PE15 <-> FMC_D12   | PF15 <-> FMC_A9    |
	 +-------------------+--------------------+--------------------+
	 | PH2 <-> FMC_SDCKE0| PI4 <-> FMC_NBL2   |
	 | PH3 <-> FMC_SDNE0 | PI5 <-> FMC_NBL3   |
	 | PH5 <-> FMC_SDNW  |--------------------+
	 +-------------------+
	 +-------------------+------------------+
	 +   32-bits Mode: D31-D16              +
	 +-------------------+------------------+
	 | PH8 <-> FMC_D16   | PI0 <-> FMC_D24  |
	 | PH9 <-> FMC_D17   | PI1 <-> FMC_D25  |
	 | PH10 <-> FMC_D18  | PI2 <-> FMC_D26  |
	 | PH11 <-> FMC_D19  | PI3 <-> FMC_D27  |
	 | PH12 <-> FMC_D20  | PI6 <-> FMC_D28  |
	 | PH13 <-> FMC_D21  | PI7 <-> FMC_D29  |
	 | PH14 <-> FMC_D22  | PI9 <-> FMC_D30  |
	 | PH15 <-> FMC_D23  | PI10 <-> FMC_D31 |
	 +------------------+-------------------+

	 +-------------------+
	 +  Pins remapping   +
	 +-------------------+
	 | PC0 <-> FMC_SDNWE |
	 | PC2 <-> FMC_SDNE0 |
	 | PC3 <-> FMC_SDCKE0|
	 +-------------------+

	*/
	 /*##-2- 配置GPIO ##################################################*/
	GPIO_Init_Structure.Mode      = GPIO_MODE_AF_PP;
	GPIO_Init_Structure.Pull      = GPIO_PULLUP;
	GPIO_Init_Structure.Speed     = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;
	GPIO_Init_Structure.Alternate = GPIO_AF12_FMC;

	/* GPIOD */
	GPIO_Init_Structure.Pin  = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_8| GPIO_PIN_9 | GPIO_PIN_10 |\
							   GPIO_PIN_14 | GPIO_PIN_15;
	HAL_GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_Init_Structure);

	/* GPIOE */  
	GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_7| GPIO_PIN_8 | GPIO_PIN_9 |\
							  GPIO_PIN_10 | GPIO_PIN_11 | GPIO_PIN_12 | GPIO_PIN_13 | GPIO_PIN_14 |\
							  GPIO_PIN_15;	  
	HAL_GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_Init_Structure);

	/* GPIOF */  
	GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_2| GPIO_PIN_3 | GPIO_PIN_4 |\
							  GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_11 | GPIO_PIN_12 | GPIO_PIN_13 | GPIO_PIN_14 |\
							  GPIO_PIN_15;
	HAL_GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_Init_Structure);

	/* GPIOG */  
	GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 |  
							  GPIO_PIN_4 | GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_8 | GPIO_PIN_15;
	HAL_GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_Init_Structure);

	/* GPIOH */  
	GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_2 | GPIO_PIN_3 | GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_8 | GPIO_PIN_9 |\
							  GPIO_PIN_10 | GPIO_PIN_11 | GPIO_PIN_12 | GPIO_PIN_13 | GPIO_PIN_14 |\
							  GPIO_PIN_15;	
	HAL_GPIO_Init(GPIOH, &GPIO_Init_Structure); 

	/* GPIOI */  
	GPIO_Init_Structure.Pin = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_2 | GPIO_PIN_3 | GPIO_PIN_4 |\
							  GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_6 | GPIO_PIN_7 | GPIO_PIN_9 | GPIO_PIN_10;
	HAL_GPIO_Init(GPIOI, &GPIO_Init_Structure);  
}

/*
*********************************************************************************************************
*	函 数 名: SDRAM初始化序列
*	功能说明: 完成SDRAM序列初始化
*	形    参: hsdram: SDRAM句柄
*			  Command: 命令结构体指针
*	返 回 值: None
*********************************************************************************************************
*/
static void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram, FMC_SDRAM_CommandTypeDef *Command)
{
	__IO uint32_t tmpmrd =0;
 
    /*##-1- 时钟使能命令 ##################################################*/
	Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;
	Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;;
	Command->AutoRefreshNumber = 1;
	Command->ModeRegisterDefinition = 0;

	/* 发送命令 */
	HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);

    /*##-2- 插入延迟，至少100us ##################################################*/
	HAL_Delay(1);

    /*##-3- 整个SDRAM预充电命令，PALL(precharge all) #############################*/
	Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_PALL;
	Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
	Command->AutoRefreshNumber = 1;
	Command->ModeRegisterDefinition = 0;

	/* 发送命令 */
	HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);

    /*##-4- 自动刷新命令 #######################################################*/
	Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;
	Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
	Command->AutoRefreshNumber = 8;
	Command->ModeRegisterDefinition = 0;

	/* 发送命令 */
	HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);

    /*##-5- 配置SDRAM模式寄存器 ###############################################*/
	tmpmrd = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1          |
					 SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL   |
					 SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3           |
					 SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |
					 SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;

	Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;
	Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
	Command->AutoRefreshNumber = 1;
	Command->ModeRegisterDefinition = tmpmrd;

	/* 发送命令 */
	HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);

    /*##-6- 设置自刷新率 ####################################################*/
    /*
        SDRAM refresh period / Number of rows）*SDRAM时钟速度 – 20
      = 64ms / 4096 *100MHz - 20
      = 1542.5 取值1543
    */
	HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(hsdram, REFRESH_COUNT); 
}

读写测试

/*
*********************************************************************************************************
*	函 数 名: bsp_TestExtSDRAM
*	功能说明: 扫描测试外部SDRAM的全部单元。
*	形    参: 无
*	返 回 值: 0 表示测试通过； 大于0表示错误单元的个数。
*********************************************************************************************************
*/
uint32_t bsp_TestExtSDRAM1(void)
{
	uint32_t i;
	uint32_t *pSRAM;
	uint8_t *pBytes;
	uint32_t err;
	const uint8_t ByteBuf[4] = {0x55, 0xA5, 0x5A, 0xAA};

	/* 写SRAM */
	pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
	for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
	{
		*pSRAM++ = i;
	}

	/* 读SRAM */
	err = 0;
	pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
	for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
	{
		if (*pSRAM++ != i)
		{
			err++;
		}
	}

	if (err >  0)
	{
		return  (4 * err);
	}

	/* 对SRAM 的数据求反并写入 */
	pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
	for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
	{
		*pSRAM = ~*pSRAM;
		pSRAM++;
	}

	/* 再次比较SDRAM的数据 */
	err = 0;
	pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
	for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
	{
		if (*pSRAM++ != (~i))
		{
			err++;
		}
	}

	if (err >  0)
	{
		return (4 * err);
	}

	/* 测试按字节方式访问, 目的是验证 FSMC_NBL0 、 FSMC_NBL1 口线 */
	pBytes = (uint8_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
	for (i = 0; i < sizeof(ByteBuf); i++)
	{
		*pBytes++ = ByteBuf[i];
	}

	/* 比较SDRAM的数据 */
	err = 0;
	pBytes = (uint8_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
	for (i = 0; i < sizeof(ByteBuf); i++)
	{
		if (*pBytes++ != ByteBuf[i])
		{
			err++;
		}
	}
	if (err >  0)
	{
		return err;
	}
	return 0;
}

/*
*********************************************************************************************************
*	函 数 名: bsp_TestExtSDRAM2
*	功能说明: 扫描测试外部SDRAM，不扫描前面4M字节的显存。
*	形    参: 无
*	返 回 值: 0 表示测试通过； 大于0表示错误单元的个数。
*********************************************************************************************************
*/
uint32_t bsp_TestExtSDRAM2(void)
{
	uint32_t i;
	uint32_t *pSRAM;
	uint8_t *pBytes;
	uint32_t err;
	const uint8_t ByteBuf[4] = {0x55, 0xA5, 0x5A, 0xAA};

	/* 写SRAM */
	pSRAM = (uint32_t *)SDRAM_APP_BUF;
	for (i = 0; i < SDRAM_APP_SIZE / 4; i++)
	{
		*pSRAM++ = i;
	}

	/* 读SRAM */
	err = 0;
	pSRAM = (uint32_t *)SDRAM_APP_BUF;
	for (i = 0; i < SDRAM_APP_SIZE / 4; i++)
	{
		if (*pSRAM++ != i)
		{
			err++;
		}
	}

	if (err >  0)
	{
		return  (4 * err);
	}

#if 0
	/* 对SRAM 的数据求反并写入 */
	pSRAM = (uint32_t *)SDRAM_APP_BUF;
	for (i = 0; i < SDRAM_APP_SIZE / 4; i++)
	{
		*pSRAM = ~*pSRAM;
		pSRAM++;
	}

	/* 再次比较SDRAM的数据 */
	err = 0;
	pSRAM = (uint32_t *)SDRAM_APP_BUF;
	for (i = 0; i < SDRAM_APP_SIZE / 4; i++)
	{
		if (*pSRAM++ != (~i))
		{
			err++;
		}
	}

	if (err >  0)
	{
		return (4 * err);
	}
#endif	

	/* 测试按字节方式访问, 目的是验证 FSMC_NBL0 、 FSMC_NBL1 口线 */
	pBytes = (uint8_t *)SDRAM_APP_BUF;
	for (i = 0; i < sizeof(ByteBuf); i++)
	{
		*pBytes++ = ByteBuf[i];
	}

	/* 比较SDRAM的数据 */
	err = 0;
	pBytes = (uint8_t *)SDRAM_APP_BUF;
	for (i = 0; i < sizeof(ByteBuf); i++)
	{
		if (*pBytes++ != ByteBuf[i])
		{
			err++;
		}
	}
	if (err >  0)
	{
		return err;
	}
	return 0;
}
使用STM32CubeMX在嵌入式系统中实现通过FMC读写SDRAM
weixin_50547796的博客
05-31 228
中的存储器是非常重要的组成部分，为了满足大容量和高速度要求，SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是常用的选择之一。根据所使用的具体STM32微控制器和SDRAM芯片型号，参考它们的数据手册来确定正确的引脚分配。选择SDRAM的类型和模式，例如SDRAM类型选择为"SDRAM"，SDRAM模式选择为"Initialization sequence"。首先，包含所需的头文件，包括FMC和SDRAM的驱动文件。然后，在主函数中初始化FMC和SDRAM。
STM32H750驱动SDRAM-W9825G6KH芯片
C2001102的博客
09-06 1530
本文介绍了STM32H750的SDRAM驱动配置，利用cubemx。 **介绍了W9825G6KH芯片一些参数的计算方法，可对照自己的开发板进行配置，计算方法都是一样的**
STM32H7x3 FMC拓展外部SDRAM全总结
MUZI_Lee的博客
03-19 5432
限于成本或其他原因，MCU的内存资源十分有限，而针对于部分应用场合，如GUI应用，仅使用内部的RAM空间显得捉襟见肘。因此MCU一般都支持外扩RAM，而不同厂家都有自己的解决方案，本文针对stm32h743/750系列MCU在使用FMC拓展SDRAM做出详细的详细的阐述。
探索STM32H7的世界：一探高效硬件设计的奥秘
最新发布
gitblog_09709的博客
10-15 833
探索STM32H7的世界：一探高效硬件设计的奥秘 【下载地址】STM32H7原理图资源下载 STM32H7原理图资源下载本仓库提供了一份STM32H7微控制器的原理图资源文件，该文件详细描述了STM32H7芯片的外部电路设计，包括CPU外部Flash、SDRAM以及SD卡等关键组件的连接方式 ...
STM32 FMC篇-SDRAM（IS42S16400J）
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05-17 2760
读写时A0~A11作为行地址线输入，A0~A7作为列地址线输入。一个bank有12根行地址、8根列地址，总线宽度为16位，所以SDRAM容量=4*4096*256*16=64Mb=8MB。CKE高电平时使用AUTO REFRESH，通常显高电平，只有在使用SELF REFRESH时CKE低电平。在写入（0个时钟延迟）和读取（2个时钟延迟）期间激活或停用DQ。在配置SDRAM工作状态时发送对应指令。
stm32cubemx读写SDRAM-W9825G6KH
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我的blog屋
11-01 1万+
转自：https://blog.csdn.net/mculover666/article/details/108221735 本篇详细的记录了如何使用STM32CubeMX配置 STM32F767IGT6 的硬件FMC外设与 SDRAM 通信（W9825G6KH）。 1. 准备工作 硬件准备 开发板 首先需要准备一个开发板，这里我准备的是STM32F767IGT6的核心板。 SDRAM 核心板板载一片SDRAM，型号为 W9825G6KH，大小为 32 MB。 软件准备 需要准备一份
STM32(H7)学习记录-1 FMC
m0_71918616的博客
03-13 618
对于存储器宽度为16位时，（个人理解）stm32一个地址下的是一个字节（8bit），因此，26位地址是512Mbit，映射到外设上也是512Mbit，因此可以计算得到地址线数量=512Mbit/16=2^25，一种处理就是使用ADDR[25:1]。比如，NE1的地址是0x60000000,外部存储器宽度是32bit，则地址ADDR[25:2]，此时,FMC_A[0]（ADDR[2])连接外部存储器地址A[0]。复用到io引脚上地址引脚ADDR[25:0]，共计26路地址。对于存储器宽度为32位时，类同。
【正点原子STM32】FSMC_FMC——SDRAM实验（存储器类型、SDRAM操作命令、SDRAM工作流程（初始化、读和写）、FMC相关寄存器和HAL库驱动、SDRAM模块驱动步骤）
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02-28 3639
通常情况下，可以通过指定基地址和存储器大小来确定外部SDRAM的地址范围，并将其映射到MCU的内部地址空间中，以便MCU可以直接访问外部SDRAM的数据。然后，MCU在访问外部存储器时，会将内部地址转换为外部存储器的物理地址，从而实现对外部存储器的访问。在刷新期间，SDRAM会按照一定的规则，重新读取存储单元中的数据，并重新写入以维持电荷的状态，以防止数据丢失。总的来说，FMC外部器件地址映射是通过配置FMC参数和寄存器来实现的，确保外部存储器的地址范围能够被正确地映射到STM32的内部地址空间中。
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STM32H750驱动LTDC LCD RGB屏（7寸，800X480分辨率）【支持STM32H7系列，寄存器驱动】.zip
06-14
STM32H750是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能微控制器，属于STM32H7系列，其强大的处理能力和丰富的外设接口使其在嵌入式开发领域广泛应用。在这个项目中，我们将专注于如何使用STM32H750驱动一个7...
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FMC是STM32H7系列微控制器中的一个重要组件，它允许高速访问各种类型的外部存储器，如SDRAM、NAND Flash、NOR Flash等。FMC支持多种时序配置，以适应不同类型的内存设备。在本例程中，我们关注的是FMC与SDRAM的连接...
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SDRAM，英文名是： Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步动态随机存储器，相较于 SRAM（静态存储器），SDRAM 具有：容量大和价格便宜的特点。STM32F429 支持 SDRAM，因此，我们可以外挂 SDRAM，从而大大降低外扩内存的成本。阿波罗板载的 SDRAM 型号为：W9825G6KH，其内部结构框图如图所示。最后，我们来看看使用 HAL 库实现对 W9825G6KH 的驱动，需要对 FMC 进行哪些配置。
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