认识DDR SDRAM

DDR SDRAM是double data rate synchronic dynamic random access memroy的英文缩写, 中文解释为双端速率的同步动态随机存储器。DDR，表示DDR架构，就是在一个时钟周期里，在I/O pin上传输两份数据words，提高了传输效率。 dynamic意为动态，表示掉电，数据丢失。ram表示，可以随机的对内存单元cell进行读写访问，而不必类似一些芯片需要顺序的读和写。 DDR由于其出色的性能被普遍当做主存，应用于计算机系统上。 以下对于DDR SDRAM的解读主要来源于阅读DDR spec 和 DDR2 spec.  (https://www.jedec.org) 。需声明当我使用 DDR SDRAM时，是对于使用DDR技术的memory的一种统称。

 

DDR协议标准历史发展历程

 

引脚分布差异

DDR 的pin分布，重点需要关注下面:

CK (clock) : 时钟信号，决定频率。

BA (bank address) : bank的选择。像DDR，它有(BA0-BA1)，内部最多有4个bank，而DDR2有(BA0-BA2)，内部可以有8个bank。BA pin上的引脚值，可以决定当前选择了哪个bank，该bank可能会被执行激活，read，write或者预充电的操作。

A0-A15: 这是DDR2的address引脚配置，提供行和列地址，定位在（BA0-BA2）选定的bank array(阵列)中的具体位置。

DQ：数据引脚。用于数据的输入和输出，这个和每个cell存储的数据量有关。如果每个cell是4bit，那么就是X4，有4个 data pin。如果每个cell是8bit，那么就是X8，有8个data pin。

 

内部组织架构

DDR内部分为若干个bank， 如示意图所示。

bank是一个array阵列，由一个个cell组成。

cell	cell	cell
cell	cell	cell
cell	cell	cell

上图是一个bank，其内部的组织架构简易图，以DDR2为例，实际上它的行数可以达到2^16行（A0-A15），列数也可以达到2^11(A0-A9,A11).  每个cell都有大小，一般是4bit，8bit和16bit. 也就是数据接口的大小,x4,x8,x16. 

DDR读写流程

以DDR2为例，

1.通过配置BA0-BA2的pin管脚，选择需要进行读写的bank。

2.通过配置A0-A15的pin管脚，选择要进行读写的cell的行号。

3.通过配置A0-A15的pin管脚，选择要进行读写的cell的列号。

4.配置DQ数据管脚，进行数据的读/写操作。

 

内存表达方式

以下是DDR2 spec上截取的不同存储容量的bank address，row address 行，column address 列，的配置表。我们以256Mb的为例进行讲解。

256Mb 的容量，可以通过 64Mb X4 , 32Mb X8, 16Mb X 16来表示。

以64Mb X4 为例， 64Mb 表示cell的个数， X4表示4bit，表示一个cell的大小。

cell个数： 它的行地址是A0-A12来表示，则就是2^13， 列地址是A0-A9,A11,那就是2^11. 因此一个bank中cell的个数就是

2^24,即2^10*2^10*2^4 = 1K*1K*16= 16M。 

bank个数： 4个

所以，总体cell的个数就是 16M * 4 = 64M， 且cell大小是4bit，所以 64M * 4bit 是256Mb.

 

Table 3 — 256 Mb addressing

Configuration	64 Mb x 4	32 Mb x 8	16 Mb x 16
# of Banks	4	4	4
Bank Address	BA0, BA1	BA0, BA1	BA0, BA1
Auto precharge	A10/AP	A10/AP	A10/AP
Row Address	A0 - A12	A0 - A12	A0 - A12
Column Address	A0 - A9, A11	A0 - A9	A0 - A8
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Table 4 — 512 Mb addressing

Configuration	128 Mb x 4	64 Mb x 8	32 Mb x 16
# of Banks	4	4	4
Bank Address	BA0, BA1	BA0, BA1	BA0, BA1
Auto precharge	A10/AP	A10/AP	A10/AP
Row Address	A0 - A13	A0 - A13	A0 - A12
Column Address	A0 - A9, A11	A0 - A9	A0 - A9
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Table 5 — 1 Gb addressing

Configuration	256 Mb x 4	128 Mb x 8	64 Mb x 16
# of Banks	8	8	8
Bank Address	BA0 - BA2	BA0 - BA2	BA0 - BA2
Auto precharge	A10/AP	A10/AP	A10/AP
Row Address	A0 - A13	A0 - A13	A0 - A12
Column Address	A0 - A9, A11	A0 - A9	A0 - A9
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Table 6 — 2 Gb addressing

Configuration	512 Mb x 4	256 Mb x 8	128 Mb x 16
# of Banks	8	8	8
Bank Address	BA0 - BA2	BA0 - BA2	BA0 - BA2
Auto precharge	A10/AP	A10/AP	A10/AP
Row Address	A0 - A14	A0 - A14	A0 - A13
Column Address	A0 - A9, A11	A0 - A9	A0 - A9
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Table 7 — 4 Gb addressing

Configuration	1 Gb x 4	512 Mb x 8	256 Mb x 16
# of Banks	8	8	8
Bank Address	BA0 - BA2	BA0 -BA2	BA0 - BA2
Auto precharge	A10/AP	A10/AP	A10/AP
Row Address	A0 - A15	A0 - A15	A0 - A14
Column Address	A0 - A9, A11	A0 - A9	A0 - A9
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