9.13 存储器映射(上)

9.13 存储器映射(上)

存储器分类

ROM

Read Only Memory：只读、不能写、数据断电不消失
PROM：可以写一次
EPROM：可多次紫外线照射擦除
EEPROM：可多次电擦除，可访问和修改任何一个字节
Flash ：广义的EEPROM，以块为单位擦除

FLASH

NOR Flash：数据、地址线分开，具有随机寻址功能
NAND Flash ：数据、地址线复用，不能随机寻址、按页读取
eMMC：Nand Flash + 读写控制器 + MMC协议接口、BGA封装
SD：Nand Flash + 读写控制器 + SDIO协议接口、单独封装
3D/2D Nand：SLC、MLC、TLC
SSD：Nand Flash阵列+读写控制器

RAM

Random Access Memory：可读、可写、数据断电消失
SRAM：静态随机存储器，读写速度快、成本高(6个晶体管)
DRAM：动态随机存储器，成本低(1个晶体管+1个电容)、刷新
SDRAM：Synchronous DRAM：省去电容充电时间、流水线操作
MCP：eMCP、ND MCP

SDRAM

常用作内存：容量大、价格便宜、访问速度快、需控制器支持
DDR SDRAM：2.5V、Dual Data Rate SDRAM、时钟上升/下降沿
DDR2：1.8V、4Bit预取、800Mbps
DDR3：1.5V、8Bit预取、1600Mbps
DDR4：1.2V、3200Mbps

存储器接口

SRAM接口

全地址/数据总线接口：地址和存储单元一一对应
CPU可以直接访问
SRAM、NOR Flash
![[Pasted image 20201003190431.png]]

DRAM接口

行地址选择(RAS) +列地址选择(CAS)
CPU通过DRAM控制器访问
DRAM、SDRAM、DDRx SDRAM
![[Pasted image 20201003190449.png]]

串行接口

以串行方式发送地址和数据，速度慢
E2PROM、NAND Flash、SPI NOR Flash
![[Pasted image 20201003190500.png]]