Section1:有源负载差动对(五管OTA)(2) – 性能参数
学习笔记
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前言
本文介绍共模输入电压、增益带宽积、压摆率等性能参数。
一、共模输入电压 V i n , c m V_{in,cm} Vin,cm
共模输入电压 V i n , c m V_{in,cm} Vin,cm应处于合理范围内,以确保差分对所有的管子都工作在饱和区。
1. 最大共模电压 V i n , c m ( m a x ) V_{in,cm}(max) Vin,cm(max)
当输入共模变大(即MOS的栅压增大),输入对管的漏端电压会变小(因为是反相的),源端的电压会变大(为保持电流
I
D
I_{D}
ID不变),故会压缩输入对管M1和M2的
V
D
S
V_{DS}
VDS。当M1和M2的
V
D
S
<
=
V
G
S
−
V
T
N
V_{DS}<=V_{GS}-V_{TN}
VDS<=VGS−VTN时,两个管子进入线性区。因此:
V
i
n
,
c
m
(
m
a
x
)
=
V
D
D
−
V
S
G
3
−
V
D
S
1
,
s
a
t
+
V
G
S
1
=
V
D
D
−
V
S
G
3
+
V
T
N
V_{in,cm}(max)=V_{DD}-V_{SG3}-V_{DS1,sat}+V_{GS1}=V_{DD}-V_{SG3}+V_{TN}
Vin,cm(max)=VDD−VSG3−VDS1,sat+VGS1=VDD−VSG3+VTN
2. 最小共模电压 V i n , c m ( m i n ) V_{in,cm}(min) Vin,cm(min)
先给出最小共模电压表达式
V
i
n
,
c
m
(
m
i
n
)
=
V
D
S
5
,
s
a
t
+
V
G
S
1
V_{in,cm}(min)=V_{DS5,sat}+V_{GS1}
Vin,cm(min)=VDS5,sat+VGS1
若
V
i
n
,
c
m
<
V
i
n
,
c
m
(
m
i
n
)
V_{in,cm}<V_{in,cm}(min)
Vin,cm<Vin,cm(min),M5会进入线性区。这是因为:当共模输入减小时,为保持电流
I
D
I_{D}
ID不变,
V
G
S
1
V_{GS1}
VGS1维持不变,这意味着M1的源极(即M5的漏极)是往下降的。当
V
D
S
5
<
=
V
D
S
5
,
s
a
t
=
V
G
S
5
−
V
T
N
V_{DS5}<=V_{DS5,sat}=V_{GS5}-V_{TN}
VDS5<=VDS5,sat=VGS5−VTN时,M5会进入线性区。
3. 例题
V
D
D
V_{DD}
VDD为5V,尾电流源
I
5
I_{5}
I5为100uA,输入对管M1、M2的宽长比
5
1
\frac{5}{1}
15,
V
D
S
5
,
s
a
t
V_{DS5,sat}
VDS5,sat为0.2V,计算输入共模范围。(
μ
n
C
O
X
=
113
×
1
0
−
6
,
μ
p
C
O
X
=
70
×
1
0
−
6
,
V
T
N
=
0.723
V
,
V
T
P
=
−
0.906
V
\mu_{n}C_{OX}=113\times10^{-6},\mu_{p}C_{OX}=70\times10^{-6},V_{TN}=0.723V,V_{TP}=-0.906V
μnCOX=113×10−6,μpCOX=70×10−6,VTN=0.723V,VTP=−0.906V)
(1) 最大共模电压:
先计算
V
S
G
3
V_{SG3}
VSG3:由
I
5
2
=
1
2
μ
p
C
O
X
W
3
L
3
(
V
G
S
3
−
V
T
P
)
2
\frac{I_{5}}{2}=\frac{1}{2} \mu_{p}C_{OX}\frac{W_{3}}{L_{3}}(V_{GS3}-V_{TP})^{2}
2I5=21μpCOXL3W3(VGS3−VTP)2,可得到
V
S
G
3
V_{SG3}
VSG3的表达式:
V
S
G
3
=
I
5
μ
p
C
O
X
L
3
W
3
−
V
T
P
V_{SG3}=\sqrt{\frac{I_{5}}{\mu_{p}C_{OX}}\frac{L_{3}}{W_{3}}}-V_{TP}
VSG3=μpCOXI5W3L3−VTP
因此,可以得到:
V
i
n
,
c
m
(
m
a
x
)
=
V
D
D
−
V
S
G
3
+
V
T
N
=
3.622
V
V_{in,cm}(max)=V_{DD}-V_{SG3}+V_{TN}=3.622V
Vin,cm(max)=VDD−VSG3+VTN=3.622V。
(2) 最小共模电压:
先计算
V
G
S
1
V_{GS1}
VGS1:由
I
5
2
=
1
2
μ
n
C
O
X
W
1
L
1
(
V
G
S
1
−
V
T
N
)
2
\frac{I_{5}}{2}=\frac{1}{2} \mu_{n}C_{OX}\frac{W_{1}}{L_{1}}(V_{GS1}-V_{TN})^{2}
2I5=21μnCOXL1W1(VGS1−VTN)2,可得到
V
G
S
1
V_{GS1}
VGS1的表达式:
V
G
S
1
=
I
5
μ
n
C
O
X
L
1
W
1
+
V
T
N
V_{GS1}=\sqrt{\frac{I_{5}}{\mu_{n}C_{OX}}\frac{L_{1}}{W_{1}}}+V_{TN}
VGS1=μnCOXI5W1L1+VTN
因此,可以得到:
V
i
n
,
c
m
(
m
i
n
)
=
V
D
S
5
,
s
a
t
+
V
G
S
1
=
1.344
V
V_{in,cm}(min)=V_{DS5,sat}+V_{GS1}=1.344V
Vin,cm(min)=VDS5,sat+VGS1=1.344V。
综上,输入共模电压满足:
1.344
V
<
=
V
i
n
,
c
m
<
=
3.622
V
1.344V<=V_{in,cm}<=3.622V
1.344V<=Vin,cm<=3.622V时,管子均处于饱和区。
二、增益带宽积 G B W GBW GBW
在单极点系统中,GBW是不变的,等于单位增益带宽,等于低频增益
A
V
A_{V}
AV与3dB带宽(极点
P
P
P)的乘积。增益带宽积
G
B
W
GBW
GBW是电路放大1倍时,能通过的信号的频率范围。
(1)低频增益 :
A
V
=
−
g
m
2
(
r
O
2
/
/
r
O
4
)
A_{V}=-g_{m2}(r_{O2}//r_{O4})
AV=−gm2(rO2//rO4)
(2)极点:输出节点对地的总电阻与输出节点对地的总电容的乘积分之一。
P
=
1
(
r
O
2
/
/
r
O
4
)
C
L
P=\frac{1}{(r_{O2}//r_{O4})C_{L}}
P=(rO2//rO4)CL1
增益带宽积
G
B
W
GBW
GBW为两者的乘积,即为
G
B
W
=
g
m
C
L
GBW=\frac{g_{m}}{C_{L}}
GBW=CLgm。(等式右侧的分母还需乘上
2
π
2\pi
2π)
注:增益带宽积的值是有隐含条件的,增益带宽积的值是在小信号下的带宽。例如,10MHz的信号按理说是可以通过100MHz带宽的电路的。但如果输出信号的幅值非常大,10MHz的信号进入运放,输出端得到的信号可能是发生畸变的。
三、压摆率 S R SR SR
(1) 压摆率的公式
由
q
=
C
v
q=Cv
q=Cv和
I
=
q
t
I=\frac{q}{t}
I=tq,得到:
S
R
=
v
t
=
I
C
SR=\frac{v}{t}=\frac{I}{C}
SR=tv=CI
(2) 压摆率的影响
压摆率可认为是,当向运放输入一个阶跃信号时,运放输出信号的最大变化速度,如下图:
S
R
=
2
π
f
i
n
V
p
SR=2\pi f_{in}V_{p}
SR=2πfinVp
信号幅值越大,信号的频率
f
i
n
f_{in}
fin越大,要求运放的SR也越大。
例:
下图是24kHz时测试的结果。显然输出波形已经失真,原因就是压摆率不够了,带宽也变成了17kHz左右。
如图所示,峰峰值2.96V对应的峰值电压Vp = 1.48V,SR=0.16V/uS。
根据压摆率的计算公式:
S
R
=
2
π
f
V
p
SR = 2πfVp
SR=2πfVp 计算得到:
f
=
0.16
/
(
2
π
∗
1.48
)
∗
1
0
6
=
17.2
k
H
z
f = 0.16 /(2π*1.48) * 10^6 = 17.2kHz
f=0.16/(2π∗1.48)∗106=17.2kHz
它的含义是:在输出峰值电压为1.48V时,全功率带宽为17.2kHz。当输入频率超过17.2kHz,如24kHz时,就会产生波形失真。
注:压摆率的值也是有隐含条件的,压摆率的值是在大信号下的带宽。
参考
[1] https://www.bilibili.com/video/BV1Aa4y1v7ab?spm_id_from=333.999.0.0
[2] https://blog.csdn.net/wwt18811707971/article/details/78492480
[3] https://mp.weixin.qq.com/s/PA3sh-KOIACTi8bz0Q0yTg