STM32之HAL开发——FSMC—扩展外部SRAM

最新推荐文章于 2025-06-17 11:22:27 发布

zhoutanooi

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文章标签： stm32 嵌入式硬件单片机

本文链接：https://blog.csdn.net/zhoutan001/article/details/138004074

SRAM读写时序

对SRAM进行读写数据时，它各个信号线的时序流程如下图
在这里插入图片描述
（图一）SRAM的读时序

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（图二）SRAM的写时序

流程解释

主机使用地址信号线发出要访问的存储器目标地址；
控制片选信号CS1#及CS2#使能存储器芯片；
若是要进行读操作，则控制读使能信号OE#表示要读数据，若进行写操作则控制写使能信号WE#表示要写数据；
使用掩码信号B#与UB#指示要访问目标地址的高、低字节部分；
若是读取过程，存储器会通过数据线向主机输出目标数据，若是写入过程，主要使用数据线向存储器传输目标数据。

参数介绍

在读写时序中，有几个比较重要的时间参数，在使用STM32 控制的时候需要参考，它们的介绍见下表。
在这里插入图片描述

SRAM时序结构体

控制FSMC使用SRAM存储器时主要是配置时序寄存器以及控制寄存器，利用HAL库的SRAM时序结构体以及初始化结构体可以很方便地写入参数。

typedef struct
{
   
   
   uint32_t FSMC_AddressSetupTime;       /*地址建立时间，0-0xF个HCLK周期*/
   uint32_t FSMC_AddressHoldTime;        /*地址保持时间，0-0xF个HCLK周期*/
   uint32_t FSMC_DataSetupTime;           /*地址建立时间，0-0xF个HCLK周期*/
   uint32_t FSMC_BusTurnAroundDuration;/*总线转换周期,0-0xF个HCLK周期，在NOR FLASH */
   uint32_t FSMC_CLKDivision;