3D封装技术定义和解析

SIP有多种定义和解释,其中一说是多芯片堆叠的3D封装内系统集成,在芯片的正方向堆叠2片以上互连的裸芯片的封装。SIP是强调封装内包含了某种系统的功能封装，3D封装仅强调在芯片方向上的多芯片堆叠,如今3D封装已从芯片堆叠发展到封装堆叠,扩大了3D封装的内涵。
　　
　　3D封装的形式有很多种,主要可分为填埋型、有源基板型和叠层型等3类。填埋型三维立体封装出现上世纪80年代,它是将元器件填埋在基板多层布线内或填埋、制作在基板内部，它不但能灵活方便地制作成填埋型,而且还可以作为IC芯片后布线互连技术,使填埋的压焊点与多层布线互连起来。这就可以大大减少焊接点,提高电子部件封装的可靠性。有源基板型是用硅圆片集技术，做基板时先采用一般半导体IC，制作方法作一次元器件集成化,形成有源基板，然后再实施多层布线,顶层再安装各种其他IC芯片或元器件，实现3D封装。叠层型三维立体封装是将LSI、VLSI、2D-MCM,甚至WSI或者已封装的器件,无间隙的层层叠装互连而成。这类叠层型是应用最为广泛的一种,其工艺技术不但应用了许多成熟的组装互连技术,还发展了垂直互连技术,使叠层型封装成为发展势头最迅猛发展速度最快的3D封装。但有源基板型3D封装却是人们一直力求实现的封装。
　　伴随着手机的大量使用，手机的功能越来越强大，既要实现轻、薄、小又要功能强大，这其中离不开的就是叠层型的3D封装。目前有许多种基于堆叠方法的3D封装,主要包括:硅片与硅片的堆叠(W2W)、芯片与硅片的堆叠(D2W)以及芯片与芯片的堆叠(D2D)。归纳起来其主要堆叠方式可以通过2种方法实现：封装内的裸片堆叠和封装堆叠，封装堆叠又可分为封装内的封装堆叠和封装间的封装堆叠。
　　裸片堆叠的封装主要有2种,一是MCP,二是SCSP。MCP涵盖SCSP,SCSP是MCP的延伸。SCSP的芯片尺寸