3D-WLCSP封装的工艺流程及应用

1.介绍

        WLCSP（Wafer Level Chip Scale Packaging）即晶圆级芯片封装方式，不同于传统的芯片封装方式（先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20%的体积），此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。

        WLCSP晶圆级芯片封装方式的最大特点便是有效地缩减封装体积，故可搭配于行动装置上而符合可携式产品轻薄短小的特性需求，数据传输路径短、稳定性高由于电路布线的线路短且厚（标示A至B的黄线），故可有效增加数据传输的频寛减少电流耗损，也提升数据传输的稳定性。散热特性佳，由于WLCSP少了传统密封的塑料或陶瓷包装，故IC芯片运算时的热能便能有效地发散，而不致增加主机体的温度，而此特点对于行动装置的散热问题助益极大。

        WLCSP可以被分成两种结构类型：直接BOP（bump On pad）和重新布线(RDL)。

2.重新布线(RDL)

        重新布线(RDL)是将原来设计的IC线路接点位置(I/O pad)，通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置，使IC能适用于不同的封装形式。晶圓級金属布线制程，是在IC上涂布一层绝缘保护层，再以曝光显影的方式定义新的导线图案，然后利用电镀技术制作新的金属线路，以连接原来铝垫和新的凸块或者金垫，达到线路重新分布的目的。重新布线的金属线路以电镀铜材料为主，根据需要也可在铜线路上镀镍金或者镍钯金。厚铜结构由于具有低电阻、高散热和低成本的优点，成为大电流以及大功率器件的最佳选择。

        重新布线优点：可改变线路I/O原有的设计，增加原有设计的附加价值；可加大I/O的间距，提供较大的凸块面积，降低基板与元件间的应力，增加元件的可靠性；取代部分IC线路设计，加速IC开发时间。

3.晶圆级封装(WLCSP) & 倒片封装(Flip-Chip)

        受电子产品的小、轻、薄的驱动，封装领域也是不断开发出新的封装type。CSP封装就是比较革命性的产品，Size是裸芯片的1.2倍甚至同等大小，尤其随着移动电子的兴起，这种裸芯片封装(Wafer Level CSP)封装已经是最小最省钱的封装方式了，虽然前期需要RDL的光罩费用，但是它省去了Leadframe的费用，直接solder bump焊接到主板上即可。

        CSP(Chip-Scale or Chipe-Size Package)的concept起源于1990s，follow的是IPC/JEDEC J-STD-012标准，它主要应用于Low pin count的EEPROMs、ASICs 以及microprocessors (MCU)等，尤其当Wafer越大而Die又越小的时候，其成本会更有优势。

        CSP封装主要的步骤为： 把die mount到epoxy interposer上，再用wire bond (gold or Al)将PAD和基板连接起来，第三步用Molding Plastic封装保护Die和Wire，最后再将Solder ball贴到Interposer底部。

        当然上面的wire bond会让封装比起die size还要大一点。而且从die到lead frame上的导线还有连接阻抗的，后来发展到用bump代替wire bond，所以就发展到Flip chip代替Wire bond封装，这样就节省了wire bond的空间了，所以就可以做到Die几乎等size的package了。

        倒片封装(FC: Flip-Chip)，自然就要讲到这个bump了，不可能把die切割了再去长这个bump吧，所以必须在Wafer还没切割之前就做完这个process，所以就叫做Wafer Level CSP封装了 (WLCSP)。

        Flip-Chip封装主要的三个步骤，Die上长bumps，脸朝下把长好球的die贴倒贴到衬底或者基板上，然后填充(underfilling)。

        WLCSP现在已经是封装技术的主流，主要有两种，一种是直接BOP (Bump On Pad)，还有一种是RDL (Redistribution Layer)。BOP技术还需要根据是否需要Polymer做re-passivation，再分为BON(Bump on SiN)和BOR (Bump on Repassivation)。BOP广泛应用于Analog/Power封装，它由于电流是直接垂直流过，没有横向RDL，所以对于功率器件封装很有优势，Cost也很低，但是它的Pin count比较有限，所以才发展到RDL+Bump。BOP是直接把UBM/Bump锚在Top Metal的PAD上，而RDL+Bump是用Polymer (Polyimide或PBO) 隔离并布线并且把Bump与device surface隔开。

        再简单讲一下RDL+Bump+铜柱的工艺流程吧，和FAB工艺差不多吧，四层光罩即可。RDL之间的dielectric用Polyimide隔离。Metal可以用电镀长上去(Seed用Sputter)。

        成型之后的RDL+Bump就是如下图的样子：

        最早的WLCSP是Fan-In的，意思就是bump全部长在die上，而die和Pad的连接主要就是靠RDL的Metal Line来连接的。与之对应的就是Fan-Out的WLCSP封装，这就是把bump长到chip外面去了 (1.2倍)，面积大点，bump的压力不会对芯片造成损伤。

        讲solder ball之前，还是总结一下Flip-Chip和WLCSP之间到底区别是什么？Flip-chip一般还是需要衬底的，只是它通过solder ball倒装贴上去的(代替Wire bond)而已，而WLCSP是把长好的球做好之后直接贴到PCB板上去。

        好了，不管是Flip-Chip还是WLCSP都需要一个东西叫做Solder Ball (锡球)，那接下来该讲解Solder Ball了，这些Bump是怎么长上去的。

        先讲讲为啥用锡球？那就要回答一个问题，Solder Ball的技术要求是什么？

1. Fully Freflowable：类似焊锡熔融才能连接，那焊锡的要求就是加热不能随意流动，必须往中间聚拢(Self-Center)，而且易坍塌(Collapse)，这就是焊锡的特点。

2. 可控的Alloy成分: 一般用10~15%的锡铅合金(63Sn/Pb)能提高液态温度到200~215C。

3. 能兼容各种Alloy要求： 比如共晶Sn/Pb (Eutectic)，High Pb，以及Sony Green提出的Pb-Free等各种Alloy来适应市场要求。

4. 能控制Bump高度确保良率，厚度deviation<2.5um。

        锡球的大小一般是150um, Pitch约0.5mm。也有uBump尺寸在75~130um，也有用300~500um的。一般Solder Ball Bump成分是锡铅共晶(Sn63Pb37)，但是现在环境污染的要求(RoHS)推出无铅锡球等，但不管怎么变技术上重点是组装回流焊的温度曲线必须满足特定温度上保持一段时间(thermal budget)稳定。

        锡球工艺一般采取的工艺有: 蒸发(Evaporation)、电镀(Electroplating)、印刷(Screen printing)、或针孔沉积(Needle depositing)等，但是Solder ball不是直接与Pad Metal连接的，类似FAB的Metal一样，必须要有Adhesion和Barrier Layer，而这层过渡的Metal就是UBM (Under Bump Metallization)，作用当然就是Adhesion和Barrier了，而且要求必须接触电阻低。而这个UBM通常采用Sputter或电镀的方式都可以实现。最后用常用的电镀法讲述锡球形成的过程(最后一步Bump Shaping是通过第六步的形状回流后包裹成型的)。

4.晶圆级封装应用

        WLCSP适用于广泛的市场，通常与模拟和混合信号，无线连接和汽车设备类别有关；包括集成无源设备，编解码器，功率放大器，IC驱动器，RF收发器，无线局域网芯片，GPS和汽车雷达等应用。WLCSP提供了最低的总体拥有成本，从而在利用最小外形尺寸的同时实现了更高的半导体含量。它是当今市场上性能最高，最可靠的半导体封装平台之一。从市场角度来看，WLCSP非常适合但不限于手机，平板电脑，笔记本电脑，磁盘驱动器，数码相机和摄像机，导航设备，游戏控制器。

        从历史上看，WLCSP受手机，平板电脑和计算市场的推动。以及最近的汽车和可穿戴设备市场。如今，高 端智能手机中30％的包装都是WLCSP。根据YoleDéveloppement的说法，WLCSP市场预计将从2018年的$ 3B增长到2023年的$ 5.6B，CAGR为8%（图1）。该市场估计包括晶圆级，管芯级和测试服务。此外，WLCSP制造继续由外包的半导体组装和测试服务（OSAT）提供商主导。在排名前10位的制造商中，有8家是OSAT。

业内企业：

苏州捷研芯电子科技有限公司 (jyxsolution.com)