ZVS和ZCS

转载一篇关于ZVS和ZCS的讲解,十分透彻易懂。

1.概述

        ZVS,全名Zero Voltage Switch,零电压开关。意思是让开关在两端电压为0时,进行开关操作。当然有时候ZVS也会代指这种技术,或者工作状态。比如“零电压开关技术”,“这个管子工作在ZVS”。

        ZCS,全名Zero Current Switch,零电流开关。意思是让开关在通过电流为0时,进行开关操作。当然有时候ZCS也会代指这种技术,或者工作状态。比如“零电流开关技术”,“这管子工作在ZCS”。

2.短路,断路,导通,关断,开关

        短路,可以看成一个0Ω电阻(∞S)。伏安特性是:电压为0,电流为任意值。伏安曲线是与电流轴重合的直线。

        断路,可以看成一个∞Ω电阻(0S)。伏安特性是:电流为0,电压为任意值。伏安曲线是与电压轴重合的直线。

        导通,即进行短路操作,或者叫:强制电压为0。

        关断,即进行断路操作,或者叫:强制电流为0。

        开关,工作状态要么短路要么断路的元件,二选一。从断路状态切换到短路状态叫导通。从短路状态切换到断路状态叫关断。

PS_1:对于半导体开关来说,一般使用“导通”、“关断”二词。对于机械开关来说,一般使用“闭合”、“分断”二词。

PS_2:开关在切换状态时,中间有个短暂的过渡态。此时开关论导通未完全导通,论关断未完全关断,可以看成具有一定值的电阻/电导。导通时,从0S→∞S中途的电导。关断时,从0Ω→∞Ω中途的电阻。

3.硬开关

        硬开关通俗讲就是硬来,强行导通或者断开。比如机械开关,日常按开关时有一定概率可以看到有电光(功率大时更明显),就是硬开关造成的打火现象。打火伴随着能量释放,说明硬开关操作是要损耗能量的。换成半导体开关器件(如BJT、MOS、IGBT),其开关状态切换过程也伴随着能量损耗。半导体开关的频率远比机械开关高,开关频率从2万次——200万次每秒都有,因为频率高,所以开关损耗非常可观。

        开关在切换开关状态时,中间有一个很短暂的过渡态。当开关导通时,在过渡态,就可以因为电压的作用下产生电流,从而有P=U²G>0,产生损耗。当开关关断时,在过渡态,因为通过的电流还不为0,从而有P=I²R>0,产生损耗。

       可见硬开关时,开关两端电压不为0,或者开关通过电流不为0,从而导致损耗的发生。既然如此,如果电压为0,或者电流为0,那么P=UI肯定也等于0,即0损耗。ZVS和ZCS正是基于这种原理。ZVS和ZCS统称软开关。把电压为0的开关称作ZVS,把电流为0的开关称作ZCS。

4.ZVS

        开关切换状态有“导通”和“关断”两种操作。所以对应就有“ZVS导通”和“ZVS关断”两种。

        ZVS导通:当开关两端电压为0时,执行“强制电压为0”是很自然的(短路的解释),因为电压已经是0了,自然就完成了,没有“强制”过程,也就没有损耗。开关的导通操作对外电路并没有造成什么影响(仅指短路的这个瞬间)。

        ZVS关断:短路期间,通过开关的电流是任意值。所以开关说不定在关断一个很大的电流。当要执行关断时,出现了两个约束:“电压必须为0”和“强制电流为0”。电路要同时满足两个约束,其中“电压必须为0”是条件,“强制电流为0”是操作操作不能影响到条件。假设在外面把开关给短路,两个约束即可满足了。因为条件由短路来满足的。开关在“强制”电流为0的过程时,电流可以“轻松地”转移到短路路径,即电流发生路径转移。“强制”过程很“轻松”,也就没有什么损耗。对于外电路来说,那一瞬间它们并不知道开关执行了关断操作。

        现实中不可能直接把开关短路,不然要开关何用?不过在开关关断的瞬间,并联能体现“短路”性质的元件/路径,即可。如果换一种更好的表述,可以表述成:存在一个与开关并联低阻抗元件/路径,在开关关断时完成分流任务,即可满足ZVS关断。

PS:比如电容就可以体现出短路特性,在自身两端电压变化不大时吸收大量电流。

5.ZCS

        开关切换状态有“导通”和“关断”两种操作。所以对应就有“ZCS导通”和“ZCS关断”两种,这里先分析ZCS关断。

        ZCS关断:当通过开关电流为0时,执行“强制电流为0”是很自然的(断路的解释),因为电流已经是0了,自然就完成了,没有“强制”过程,也就没有损耗。开关的关断操作对外电路并没有造成什么影响(仅指断路的这个瞬间)。

        ZCS导通:断路期间,开关两端电压是任意值。所以开关有可能在一个很大压差的情况下导通的。同样执行导通时出现两个约束:“电流必须为0”和“强制电压为0”。其中“电流必须为0”是条件,“强制电压为0”是操作操作不能影响到条件。解决办法就是外面把开关给断路,两个约束即可满足。因为条件由断路来满足的。开关在“强制”电压为0的过程时,电压可以“轻松地”转移到断路点,即电压发生节点转移。“强制”过程很“轻松”,也就没有损耗。对于外电路来说,那一瞬间它们并不知道开关执行了导通操作。

        现实中不可能直接把开关的那一路给断路,都断了怎么可以用?不过在开关导通的瞬间,串联能体现“断路”性质的元件/路径,即可。如果换一种更好的表述,可以表示成:存在一个与开关串联高阻抗元件/路径,在开关导通时完成分压任务,即可满足ZCS导通。

PS:比如电感就可以体现出断路特性,在自身电流变化不大时承受很大电压。

6.总结

        ZVS、ZCS,可以大幅降低半导体开关器件的开关损耗,因为在开关状态切换时,电压/电流总有一个为0,所以损耗为0。

实现方法:

ZVS导通:外电路创造出电压为0的条件,自然完成。

ZVS关断:存在一个与开关并联的低阻抗元件/路径,完成分流任务。

ZCS导通:存在一个与开关串联的高阻抗元件/路径,完成分压任务。

ZCS关断:外电路创造出电流为0的条件,自然完成。

7.后记

        前几天和别人聊起ZVS、ZCS技术时,虽然知道其原理,但是并不清楚实现的条件。在思想碰撞中想到“清华大学电路原理”曾经讲到过对开关的另一种解释。“强制电压/电流为0”中的“强制”很生动。很自然的的完成“ZVS导通”和“ZCS关断”的解释。但是“ZVS关断”和“ZCS导通”有点难以解释。于是通过现成的实例分析,比如“LLC移相全桥逆变”,“ZVS万伏升压器”,“DRSSTC初级逆变桥”等,发现“ZVS关断”的实现条件,再根据对偶原理,对偶出“ZCS导通”的实现条件。并通过“DRRSSTC初级逆变桥”等完成证实。

——by HD-nuke8800

SPI时钟真正的信号波形如下,但有可能示波器带宽不够高次谐波全丢了所以才失真了,变成了正弦波。

MOS管外围全面防护电路:

当电路进行工作的时候,DS之间的电压会对这些结电容进行充电,R7可以为结电容提供泄放通道,同时可以起到下拉接地的效果,防止MOS误导通。   R6和D3组成的回路可以在MOS关断的时候快速泄放掉MOS栅极的电容电荷。  MOS右侧的RC电路用于吸收MOS关断时候的反峰电压。

PMOS应用于电源开关:

ZVS即所谓零电压开关(ZVS)/零电流开关(ZCS)技术,或称软开关技术,小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理: 1. 上电瞬间,电源电压流经R1,R2,经过ZD1,ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1,MOS2的GS极,因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性(例如:MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等),导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3》IL2。因为L2,L3是在同一磁芯上绕制,本身存在磁耦合,所以,对磁芯的励磁电流为IL2,IL3之。之前提到IL3》IL2,而且从抽头看去,IL2,IL3的电流方向相反,所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用(有一部分抵消掉L2的励磁)。明白这点以后,继续往下分析。 3. 见图1,在上电瞬间,L2,L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示,因为具有相同的磁路,Ip1将在L2上产生一个互感电流,图中用蓝色线条表示,L2 L3与C1构成并联谐振,这个互感电流的方向同IL2相反,如此正反馈造成的结果是IL2越来越小,最终可单纯看做只有L3参与励磁。 4. 与此同时,B点电压升高,D1截止,C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小,A点近似接地,D2导通,将D点电位强行拉低至0.7V左右,MOS1失去VGS而截止。 5. 随着时间推移,L3对磁芯的励磁最终达到磁饱,大家注意,此时蓝色线条的电流因磁芯饱失去互感刚好减到0,MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻,瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上,使A点电位瞬间升高,D2截止,D点电位恢复至12V,MOS1获得VGS而导通(在VDS=0的情况下导通,故称ZVS)。继而B点近似接地,C点电压降到0.7V,MOS2截止,MOS1保持导通。当L2励磁达到饱时电路状态再次发生翻转,重复第4过程。 6. 整个过程中,翻转的时间由谐振电容C1的容量L2 L3共同决定,因为有C1构成谐振,初级电压波形呈完美正弦波,谐波分量大大减小,漏感的影响不复存在,因此变比等于匝比。L1为扼流电感,利用电感电流的不可突变特性,保证磁饱瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时,电路空载电流会增大,而且MOS管发热严重的原因。 因为利用了磁饱原理,所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱临界点之间,磁芯的储能作用得以最大发挥,传递功率相当大。
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