bootloader之memcfg.inc 或memcfg.s memcfg.a

MEMCFG是什么？在你的stepldr目录下你会找到它！他在它在startup文件一开始调用

    OPT 2

    INCLUDE kxarm.h
    INCLUDE option.inc
    INCLUDE s2440addr.inc
    INCLUDE memcfg.inc

************************************************ ; NAME : MEMCFG.A ; DESC : Memory bank configuration file ; Revision: 02.28.2002 ver 0.0 ;************************************************ ;Memory Area ;GCS6 16bit(16MB) SDRAM(0x0c000000-0x0cffffff) ;GCS7 16bit(16MB) SDRAM(0x0d000000-0x0dffffff) ; or ;GCS6 32bit(32MB) SDRAM(0x0c000000-0x0dffffff) ;BWSCON DW8 EQU (0x0) DW16 EQU (0x1) DW32 EQU (0x2) WAIT EQU (0x1<<2) UBLB EQU (0x1<<3) ASSERT :DEF:BUSWIDTH [ BUSWIDTH=16 B1_BWSCON EQU (DW16) B2_BWSCON EQU (DW16) B3_BWSCON EQU (DW16) B4_BWSCON EQU (DW16) B5_BWSCON EQU (DW16) B6_BWSCON EQU (DW16) B7_BWSCON EQU (DW16) | ;BUSWIDTH=32 B1_BWSCON EQU (DW32) B2_BWSCON EQU (DW16) B3_BWSCON EQU (DW16) B4_BWSCON EQU (DW16) B5_BWSCON EQU (DW16) B6_BWSCON EQU (DW32) B7_BWSCON EQU (DW32) ] ;BANK0CON B0_Tacs EQU 0x0 ;0clk B0_Tcos EQU 0x0 ;0clk B0_Tacc EQU 0x7 ;14clk B0_Tcoh EQU 0x0 ;0clk B0_Tah EQU 0x0 ;0clk B0_Tacp EQU 0x0 B0_PMC EQU 0x0 ;normal ;BANK1CON B1_Tacs EQU 0x0 ;0clk B1_Tcos EQU 0x0 ;0clk B1_Tacc EQU 0x7 ;14clk B1_Tcoh EQU 0x0 ;0clk B1_Tah EQU 0x0 ;0clk B1_Tacp EQU 0x0 B1_PMC EQU 0x0 ;normal ;Bank 2 parameter B2_Tacs EQU 0x0 ;0clk B2_Tcos EQU 0x0 ;0clk B2_Tacc EQU 0x7 ;14clk B2_Tcoh EQU 0x0 ;0clk B2_Tah EQU 0x0 ;0clk B2_Tacp EQU 0x0 B2_PMC EQU 0x0 ;normal ;Bank 3 parameter B3_Tacs EQU 0x0 ;0clk B3_Tcos EQU 0x0 ;0clk B3_Tacc EQU 0x7 ;14clk B3_Tcoh EQU 0x0 ;0clk B3_Tah EQU 0x0 ;0clk B3_Tacp EQU 0x0 B3_PMC EQU 0x0 ;normal ;Bank 4 parameter B4_Tacs EQU 0x0 ;0clk B4_Tcos EQU 0x0 ;0clk B4_Tacc EQU 0x7 ;14clk B4_Tcoh EQU 0x0 ;0clk B4_Tah EQU 0x0 ;0clk B4_Tacp EQU 0x0 B4_PMC EQU 0x0 ;normal ;Bank 5 parameter B5_Tacs EQU 0x0 ;0clk B5_Tcos EQU 0x0 ;0clk B5_Tacc EQU 0x7 ;14clk B5_Tcoh EQU 0x0 ;0clk B5_Tah EQU 0x0 ;0clk B5_Tacp EQU 0x0 B5_PMC EQU 0x0 ;normal ;Bank 6 parameter B6_MT EQU 0x3 ;SDRAM B6_Trcd EQU 0x0 ;2clk B6_SCAN EQU 0x1 ;9bit ;Bank 7 parameter B7_MT EQU 0x3 ;SDRAM B7_Trcd EQU 0x0 ;2clk B7_SCAN EQU 0x1 ;9bit ;REFRESH parameter REFEN EQU 0x1 ;Refresh enable TREFMD EQU 0x0 ;CBR(CAS before RAS)/Auto refresh Trp EQU 0x1 ;3clk Trc EQU 0x1 ;5clk Trc= Trp(3)+Tsrc(5) = 8clock Tchr EQU 0x2 ;3clk ;REFCNT EQU 1580 ;HCLK=60Mhz, (2048+1-7.81*60) ;REFCNT EQU 1502 ;HCLK=70Mhz, (2048+1-7.81*70) ;REFCNT EQU 1424 ;HCLK=80Mhz, (2048+1-7.81*80) ;REFCNT EQU 1346 ;HCLK=90Mhz, (2048+1-7.81*90) ;REFCNT EQU 1268 ;HCLK=100Mhz, (2048+1-7.81*100) REFCNT EQU 489 ;HCLK=100Mhz, (2048+1-15.6*100) END

    OPT 1
    OPT 128
   
; Pre-d efined constants.
;
USERMODE    EQU  0x10
FIQMODE     EQU  0x11
IRQMODE     EQU  0x12
SVCMODE     EQU  0x13
ABORTMODE   EQU  0x17
UNDEFMODE   EQU  0x1b
MODEMASK    EQU  0x1f
NOINT       EQU  0xc0
这里主要配置的就是内存
BANK1~BANK7的BWSCON

B1_BWSCON

B1_Tacs

B1_Tcos

B1_Tacc

B1_Tcoh

B1_Tah

B1_Tacp

B1_PMC

如果是SDRAM, 则还需设置REFRESH寄存器

 

ARM memory control知识补充：

a)       Overview Feature

-Little/Big endian (selected by software)

-Address space: 128Mbytes per bank (total 1GB/8 banks)

-Programmable access size (8/16/32-bit) for all banks except bank0 (16/32-bit)

-Total 8 memory banks

Six memory banks for ROM, SRAM, etc.

Remaining two memory banks for ROM, SRAM, SDRAM, etc.

-Seven fixed memory bank start address (BANK0~BANK6)

- One flexible memory bank start address and programmable bank size (BANK7)

- Programmable access cycles for all memory banks

-External wait to extend the bus cycles

-Supporting self-refresh and power down mode in SDRAM

学过8051的都还有印象，片内有ROM和RAM的存储器，并且ROM和RAM 都是分别从0地址开始，还可以外接存储器，用movx命令读取数据。而ARM则不同了，ARM只是处理器，自身不带存储器，都是外接存储器，不管是ROM还是RAM, 统一编址，地址都是从连续的，从0地址开始，而不是分别从0地址开始，到0x40000_0000，分为8个bank，. 每个bank挂上一个存储器， 7个bank的起始地址是固定的。ARM开机后从地址0开始运行。

b)       BWSCON register 分析

BWSCON 是一个32位的register, 对应了BANK0-BANK7, 每个BANK使用4位。这4 位分别表示：

STx: 启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM, 此位为0；对于SRAM， 此位为1。

WSx: 是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0

DWx: 设置存储器的BUSWIDTH, 00=8-bit, 01=16-bit, 10=32-bit, 11=reserved

BANK0 对应的4位，是由硬件跳线决定，read-only

c)        SDRAM 知识补充

DRAM (Dynamic Random Access Memory) 需要不断Refresh才能保住数据，因此它是DRAM最终的要的操作。那么要隔多长时间重复一次刷新呢？目前公认的标准是，存储体中的电容的数据有效保存期是64ms，也就说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新的速度是：行数量/64 ms. 刷新操作分为两种：自动刷新(Auto Refresh, 简称AR)与自刷新(Self Refresh, 简称SR)。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供地址信息，因为这是一个内部的自动操作。对于AR, SDRAM内部有一个行地址生成器(也称刷新计数器)用来自动的依次生成行地址。由于刷新涉及所有的L-BANK, 因此在刷新过程中，所有L-BANK都停止工作，而每次刷新所占用9个时钟周期, 之后就可进入正常的工作状态，也就是说在这9个时钟时期内，所有工作指令只能等待而无法执行。SR则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最著名的应用就是STR (Suspend to RAM, 休眠挂起于内存)。在发出AR命令时，将CKE置于无效状态，就进入SR模式，此时不再依靠系统时钟工作 ，而是根据内部的时钟进行刷新操作。

d)       BANKCON0~BANKCON5 寄存器设置

Tacs: Address set-up time before nGCSn

Tcos: Chip selection set-up time before nOE

Tacc: Access cycle

Tcoh: Chip selection hold time after nOE

Tcah: Chip selection hold time after nOE

Tacp: Page mode access cycle @Page mode

PMC: Page mode configuration

注释：Tacs, Tcos, Tacc, Tcoh, Tcah, Tacp, PMC值是由存储器的datasheet决定的，里面有各时钟的极限值；顺便说说nWAIT引脚，WSn 是设定该管教是否起作用的，如果起作用必须将储存器(或者其他设备)相应的信号输入给nWAIT，如果年WAIT引脚没有用到时，必须接上，否则会将处理器琐死。

BANKCON6~BANKCON7 寄存器设置则不同，首先需要确定memory的type

MT: Determine the memory type

如果设置ROM或者 SRAM, 则设置Tacs, Tcos, Tacc, Tcoh, Tcah, Tacp, PMC

如果设置SDRAM, 则设置

Trcd: RAS to CAS delay

SCAN: Column address number

REFRESH寄存器，用于SDRAM refresh control register