NOR flash与NAND flash的区别

FLASH存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器，部分书籍会把FLASH存储器称为FLASH ROM，但它的容量一般比EEPROM大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位。如有的FLASH存储器以4096 个字节为扇区，最小的擦除单位为一个扇区。根据存储单元电路的不同，FLASH存储器又分为NOR FLASH 和NAND FLASH，见下表。

NOR FLASH 与NAND FLASH 特性对比

特性	NOR FLASH	NAND FLASH
同容量存储器成本	较贵	较便宜
集成度	较低	较高
介质类型	随机存储	连续存储
地址线和数据线	独立分开	共用
擦除单元	以“扇区/块”擦除	以“扇区/块”擦除
读写单元	可以基于字节读写	必须以“块”为单位读写
读取速度	较高	较低
写入速度	较低	较高
坏块	较少	较多
是否支持XIP	支持	不支持

NOR与NAND的共性是在数据写入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇区/块”为单位的。而NOR与NAND特性的差别，主要是由于其内部“地址/数据线”是否分开导致的。

由于NOR的地址线和数据线分开，它可以按“字节”读写数据，符合CPU的指令译码执行要求，所以假如NOR上存储了代码指令，CPU给NOR一个地址，NOR 就能向CPU 返回一个数据让CPU 执行，中间不需要额外的处理操作。

而由于NAND的数据和地址线共用，只能按“块”来读写数据，假如NAND上存储了代码指令，CPU给NAND 地址后，它无法直接返回该地址的数据，所以不符合指令译码要求。表中的最后一项“是否支持XIP”描述的就是这种立即执行的特性(eXecute In
Place)。

若代码存储在NAND上，可以把它先加载到RAM存储器上，再由CPU执行。所以在功能上可以认为NOR是一种断电后数据不丢失的RAM，但它的擦除单位与RAM有区别，且读写速度比RAM要慢得多。

另外，FLASH的擦除次数都是有限的(现在普遍是10万次左右)，当它的使用接近寿命的时候，可能会出现写操作失败。由于NAND通常是整块擦写，块内有一位失效整个块就会失效，这被称为坏块，而且由于擦写过程复杂，从整体来说NOR坏块少，寿命更长。由于可能存在坏块，所以FLASH存储器需要“探测/错误更正(EDC/ECC)”算法来确保数据的正确性。
由于两种FLASH 存储器特性的差异，NOR FLASH一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合，包括SD卡、U盘以及固态硬盘等，都是NAND FLASH类型的。

另可参考： NOR flash 和NAND flash区别深入分析