零基础国产GD32单片机编程入门(八)内部片上FLASH读写实战含源码

光子物联单片机

于 2024-08-30 09:15:10 发布

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文章标签：单片机嵌入式硬件 mcu gd32

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一.概要

GD32F103C8T6是一款强大而灵活的微控制器，它的片内Flash存储器可以用来存储有关代码和数据，在实际应用中，我们也需要对这个存储器进行读写操作。

GD32F103C8T6单片机的FLASH主存储块按页组织，每页1KB。页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH，从这点来看，页面有点像通用FLASH的扇区。
本文介绍了GD32F103C8T6的FLASH存储空间，FLASH数据的读写，以及读写保护等。

二.内部FLASH地址空间排布

根据用途，GD32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。
主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里，用户还可以存储数据。
信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序(BootLoader)，当使用ISP方式加载程序时，就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息，主要有写保护字节，读保护字节等。

GD32F103C8T6是中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB，系统存储器2KB(启动代码),存储空间如下图：
在这里插入图片描述

三.内部FLASH主要特色

闪存控制器（FMC），提供了片上闪存需要的所有功能。在闪存的前256K字节空间内，CPU执行指令零等待。FMC也提供了页擦除，整片擦除，以及32位整字或16位半字编程闪存等操作。

1.最多支持高达3M字节的片上闪存可用于存储指令或数据；
2.在闪存的前256K字节空间内，CPU执行指令零等待；在此范围外，CPU读取指令存在较
长延时；
3.对于闪存大于512KB的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD，使用了两片闪存；前512KB容
量在第一片闪存（bank0）中，后续的容量在第二片闪存（bank1）中；
4.对于主存储闪存容量不多于512KB的GD32F10x_CL和GD32F10x_HD，只使用了bank0；
5.对于GD32F10x_MD，闪存页大小为1KB。GD32F10x_CL和GD32F10x_HD，
GD32F10x_XD，bank0的闪存页大小为2KB，bank1的闪存页大小为4KB；
6.支持32位整字或16位半字编程，页擦除和整片擦除操作；
7.大小为16字节的可选字节块可根据用户需求配置；
8.具有安全保护状态，可阻止对代码或数据的非法读访问；
9.具有擦除和编程保护状态，可阻止意外写操作。

四.内部FLASH读写操作

1.FLASH数据读取

内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何32位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。
以下是一个示例代码，展示了如何在C语言中读取GD32F103的内部Flash数据
// 假设我们要读取的数据在Flash地址0x8000000的位置
#define FLASH_ADDRESS 0x8000000
uint32_t data = (uint32_t)FLASH_ADDRESS;

2.FLASH数据擦除

GD32F103的FLASH在写入数据前确实需要先进行擦除操作。‌这是因为FLASH存储器的特性决定的，‌与其它FLASH存储器一样，‌GD32F103的FLASH也是按页（‌扇区）‌进行管理的，FLASH可以按页擦除，也可以整片擦除。

按页擦除操作流程：
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

3.FLASH数据写入

对主存储器数据写入每次可以写入16位。

FLASH数据写入操作流程：
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

五.内部FLASH的各种保护

1.写保护

GD32F103的FLASH写保护可以通过编程特定的选项字节来启用或禁用，以便保护特定的内存区域免受未经授权的写入，用于避免误写/误擦除操作。通过配置可选字节块的WP [31:0]某位为0可以单独使能某几页的保护功能。

2.读保护

将Flash设置为读保护的目的，是为了防止其他人通过STLINK等仿真器，将Flash中的程序读取出来(设想一下，你辛辛苦苦研发的产品，别人通过仿真器将程序读取出来，再copy一下产品的硬件，就可以生产),所以可以通过将Flash设置为读保护来保护自己的程序。

FMC提供了一个安全保护功能来阻止非法读取闪存。此功能可以很好地保护软件和固件免受非法的用户操作。

未保护状态：当将SPC字节和它的补字节被设置为0x5AA5，系统复位以后，闪存将处于非安全保护状态。主存储块和可选字节块可以被所有操作模式访问。

已保护状态：当设置SPC字节和它的补字节值为任何除0x5AA5外的值，系统复位以后，安全保护状态生效。需要注意的是，若该修改过程中，MCU的调试模块依然和外部JTAG/SWD设备相连，需要用上电复位代替系统复位以使得修改后的保护状态生效。在安全保护状态下，主存储闪存块仅能被用户代码访问且前4KB的闪存自动处于页擦除/编程保护状态下。在调试模式下，或从SRAM中启动时，以及从boot loader区启动时，这些模式下对主存储块的操作都被禁止。如果在这些模式下读主存储块，将产生总线错误。

六.FLASH读写例程

刷写FLASH地址从0x08004000开始的地址,内容是0x01234567

硬件准备：

STLINK接GD32F103C8T6开发板，STLINK接电脑USB口。

在这里插入图片描述

主要代码

#define FMC_PAGE_SIZE           ((uint16_t)0x400U)
#define FMC_WRITE_START_ADDR    ((uint32_t)0x08004000U)
#define FMC_WRITE_END_ADDR      ((uint32_t)0x08004800U)

uint32_t *ptrd;
uint32_t address = 0x00;
uint32_t data0   = 0x01234567U;


/* calculate the num of page to be programmed/erased */
uint32_t page_num = (FMC_WRITE_END_ADDR - FMC_WRITE_START_ADDR) / FMC_PAGE_SIZE;
/* calculate the num of page to be programmed/erased */
uint32_t word_num = ((FMC_WRITE_END_ADDR - FMC_WRITE_START_ADDR) >> 2);

/*!
    \brief      erase fmc pages from FMC_WRITE_START_ADDR to FMC_WRITE_END_ADDR
    \param[in]  none
    \param[out] none
    \retval     none
*/
void fmc_erase_pages(void)
{
    uint32_t erase_counter;

    /* unlock the flash program/erase controller */
    fmc_unlock();

    /* clear all pending flags */
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    
    /* erase the flash pages */
    for(erase_counter = 0; erase_counter < page_num; erase_counter++){
        fmc_page_erase(FMC_WRITE_START_ADDR + (FMC_PAGE_SIZE * erase_counter));
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    }

    /* lock the main FMC after the erase operation */
    fmc_lock();
}

/*!
    \brief      program fmc word by word from FMC_WRITE_START_ADDR to FMC_WRITE_END_ADDR
    \param[in]  none
    \param[out] none
    \retval     none
*/
void fmc_program(void)
{
    /* unlock the flash program/erase controller */
    fmc_unlock();

    address = FMC_WRITE_START_ADDR;

    /* program flash */
    while(address < FMC_WRITE_END_ADDR){
        fmc_word_program(address, data0);
        address += 4;
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); 
    }

    /* lock the main FMC after the program operation */
    fmc_lock();
}

/*!
    \brief      check fmc erase result
    \param[in]  none
    \param[out] none
    \retval     none
*/
void fmc_erase_pages_check(void)
{
    uint32_t i;

    ptrd = (uint32_t *)FMC_WRITE_START_ADDR;

    /* check flash whether has been erased */
    for(i = 0; i < word_num; i++){
        if(0xFFFFFFFF != (*ptrd)){
    
     
            break;
        }else{
            ptrd++;
        }
    }
}

/*!
    \brief      check fmc program result
    \param[in]  none
    \param[out] none
    \retval     none
*/
void fmc_program_check(void)
{
    uint32_t i;

    ptrd = (uint32_t *)FMC_WRITE_START_ADDR;

    /* check flash whether has been programmed */
    for(i = 0; i < word_num; i++){
        if((*ptrd) != data0){
       
      
            break;
        }else{
            ptrd++;
        }
    }
}

int main(void)
{
	rcu_apb2_clock_config(RCU_APB2_CKAHB_DIV1);//设置主频108M(#define __SYSTEM_CLOCK_108M_PLL_HXTAL         (uint32_t)(108000000)),8M外部晶振  (#define HXTAL_VALUE    ((uint32_t)8000000))
  systick_config();//配置1ms SysTick
	rcu_periph_clock_enable(RCU_AF);//AF时钟使能 
	
	fmc_erase_pages();//FLASH 擦除
	fmc_erase_pages_check();//读出来验证

	/* step2: program and check if it is successful. If not, light the LED2. */
	fmc_program();//FLASH写入
	fmc_program_check();//写入的数据验证
	while(1);
 
}