区分ROM RAM DRAM SRAM DDRAM FLASH NOR FLASH

ROM：READ ONLY MEMORY，常用的硬盘存储器件，系统停电后依然保持数据；

RAM：RANDOM ACCESS MEMORY，常用作内存器件，读写速度快于ROM，系统停电后，数据消失；

DRAM：动态RAM，所谓“动态”，即当DRAM在供电状态，也需要不断刷新DRAM，对电容重新充电，才可以保持数据；

SRAM：静态RAM，常用作高速缓存器件，读写速度快于DRAM，供电状态，不需要刷新，因为SRAM使用了场效应管；

DDRAM：一种更为快速的SDRAM；

FLASH：从EEPROM进化而来，属于非易失存储器，早期的EEPROM可以电子可擦除编程，但速度慢，而FLASH对此进行改

       进，可以快速地擦写，也正因为快速擦写的操作非常类似于照相中的按快门操作，所以命名为”FLASH“。

NOR FLASH：”NOR一般只用来存储少量的代码；NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门接

           口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行 (XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR

           型）flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。“（引用来自

            http://www.eefocus.com/Canon/blog/07-08/2959_ddfbb.html）；

NAND FLASH：”NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就

           可以取代硬盘或其他块设备。“（引用来源同上）。

NOR FLASH和NAND FLASH现在普遍用于嵌入式和u盘中