存储系统-半导体存储原理及芯片

本文深入探讨了半导体存储器,包括TTL、ECL电路的基本概念,重点介绍了MOS和CMOS两种金属氧化物半导体技术在存储系统中的应用。通过理解这些基本原理,可以更好地了解半导体存储器的工作方式。
摘要由CSDN通过智能技术生成

TTL(晶体管-晶体管逻辑电路,Transistor-Transistor Logic),
ECL(射极耦合逻辑电路,Emitter Couple Logic),一种使晶体管工作在非饱和状态的电流开关电路。
MOS金属氧化物半导体(场效应管)
CMOS互补对称金属氧化物半导体(Complementary symmetry metal oxide semiconductor)

半导体存储器

存储芯片
双极型,特点:速度快,功耗大,容量小。
分为TTL型和ECL型;
MOS型,特点:功耗小,容量大。
按照工作方式分类:静态MOS,动态MOS
按照电路结构分类:P-MOS ,N-MOS , CMOS(PN两者互补而成)
存储信息原理
静态存储器SRAM(双极型,静态MOS型)
依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。
功耗较大,速度快,作Cache。

动态存储器DRAM(动态MOS型)

依靠电容存储电荷的原理存储信息。
功耗较小,容量大,速度较快,作主存。

双极型存储单元
静态MOS存储单元
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