半导体的基本概念（一）

一、半导体的基本概念

       半导体：导电能力介于导体和绝缘体间。主要考虑四价元素和III-V族元素，如下图所示：

        其中Si和Ge的单晶被称为本征半导体，每一个原子均和周边的四个原子构成四个共价键。

        本征半导体在热力学温度T=0开尔文和外界无影响（光照等）情况下，价电子均被束缚在共价键中，不会存在自由电子的移动。当发生下面两种情况：

• 温度升高；
• 光线照射；

         共价键中的自由电子会欧聪外界获得能量，挣脱共价键的束缚，离开原子，成自由电子。与此同时，会在共价键中留下等数量的空穴。这个 被称为本征激发；留下的空穴带有正电荷，会与周边的电子重新组成新的共价键，该过程被称为本征复合。

         当温度一定时，本征激发和复合达到动态平衡（某一热平衡载流子浓度值）。该载流子浓度值ni ，与温度，玻尔兹曼常数，禁带宽度等相关。

          在本征半导体中加入3价或者5价的元素，就会得到杂质半导体。杂质半导体包含P型半导体和N型半导体。P型半导体，多子为空穴，少子为自由电子。N型半导体，则相反。

          多子和少子的热平衡浓度：在某个特定温度条件下，多子和少子的载流子浓度与本征半导体的浓度平方相等。杂质半导体达到动态平衡。

           n0×p0=ni2

          半导体和导体不同，导体中只有自由电子一种载流子，在电场作用下回产生定向的漂移作用，形成漂移电流。而半导体中，同时饱和自由电子和空穴两种载流子，它除了在电场作用下形成漂移作用，还会因为浓度差产生扩散作用。

         漂移--电场作用下产生的漂移电流；

         扩散—非平衡载流子浓度差作用下产生的扩散电流；

         处于热平衡状态的载流子（空穴和自由电子）不会产生电荷的定向运动，当光照不均匀时，热平衡条件被破坏，且出现的非平衡载流子的分布时不均匀的。

        电子迁移率：

• 电子迁移率—单位场强下的平均漂移速度；
• 与温度、掺杂浓度、载流子类型、半导体材料有关；
• 温度越高，掺杂浓度越高，电子迁移率越低；
• 空穴的电子迁移率高于自由电子；
• SI的电子迁移率低于Se；
• 迁移率大的，可制造高速，高频器件；

                     雪崩击穿与齐纳击穿：

• 击穿电压不同：雪崩击穿，击穿电压较高；
• 掺杂浓度不同：雪崩击穿，浓度低；齐纳击穿，浓度高；

1.1 PN结

阻挡层：空间势垒区，耗尽区

         VB=VT*ln（Na*Nd/Ni*Ni）      

Ni: 热平衡载流子浓度—本征激发和复合达到动态平衡；Na Nd越大，Ni越小，VB越大。Si的VB大于Ge; 温度越高，ni  越大，比VT的影响更大。通常温度每升高1°C，VB约减小2.5mV.

1.2 阻挡层宽度

1.3 伏安特性曲线

I=IS*(e^(V/VT)-1)

温度升高时，PN结两边的热平衡载流子浓度升高，从而导致IS变大；

温度每升高1°C，VDon约减小2.5mV;     温度越高，本征激发占据主导地位，杂质半导体就变得和本征半导体相似，PN结就不存在。因此芯片有个最高工作温度的限制。

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二、二极管的应用

1. 肖特基二极管

         Schottky Diode由金属-半导体结构构成。金属或者半导体中的电子，要逸出体外，需要克服体内原子核的吸引力。业界通常将一个电子逃逸出体内的能力称为逸出功。如果将金属（逸出功大）和半导体（逸出功小）相接触，电子就会从半导体逸出至导体中。从而是交界面的金属側聚集带负电的自由电子，半导体側留下带正电的施主离子。

        金属是导体，负电子只能分布在表面的一个薄层内，而N型半导体中的正离子将分布在较大的宽度内，如下图所示。产生内电场E，这个内电场会阻止N型半导体中的自由电子进一步相金属注入。同时，金属中少量能量大的自由电子会进入半导体的空间电荷区，并在内电场的作用下向半导体漂移，形成反向漂移电流。随着内建电场的增强，最后使得正、反电流的电子达到动态平衡，流过金属-半导体结的净电流为0.通常将这种净电流为0的金属-半导体结称为肖特基表面势垒。

肖特基二极管具有和PN结相似的伏安特性曲线。但存在下列区别：

• 只有N型半导体，只依赖一种载流子工作，无PN结中的少子储存现象，可以适用于高频高速电路；
• 无P型半导体，因此串联电阻小；
• 阻挡层比较薄，相应的正向导通和反向击穿电压均低于PN结；

只有在金属和低掺杂半导体形成的结才会产生上述单向导电性。如果N型半导体时高掺杂，则由于半导体内的空间电荷区薄，金属中的电子就会通过隧道效应进入半导体；半导体中的电子也会通过隧道效应进入金属，这样做，就会失去单向导电性。通常将这种接触称为欧姆接触。在普通的PN结二极管中，如果N区为低掺杂，则必须在其制作器件掺杂N+区，称为引线区，从这个区引出金属引线，一保证他们之间为欧姆接触。如下图所示。