基于ARM的RAM存储器接口设计

SDRAM 在系统中主要用作程序的运行空间,数据及堆栈区。当系统启动时,处理器首先从复位地址起始处开始读取启动代码,在完成系统的初始化后,程序代码一般应调入SDRAM中运行,以提高系统的运行速度,同时,系统堆栈、用户堆栈以及运行数据也都放在SDRAM中。

1  SDRAM原理分析

本节先介绍了SDRAM的基本原理,然后介绍了一个具体SDRAM芯片HY57V641620HG的特性和引脚描述。

1.1  SDRAM介绍

DRAM是动态存储器Dynamic RAM的缩写,SDRAMSynchronous DRAM的缩写,中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲,同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机),利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现,还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上,它类似常规的DRAM,且也需时钟进行刷新。可以说,SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAMSDRAM 的存储单元可以理解为一个电容,总是倾向于放电,为避免数据丢失,必须定时刷新(充电)。由此可见,要在系统中使用SDRAM,就要求微处理器具有刷新控制逻辑,或在系统中另外加入刷新控制逻辑电路。SDRAM是多个Bank结构的,一般是一个Bank正在使用,其他Bank处于预充电状态,这样轮流读写和充电就不需要等待了,大大提高了存储器的访问速度。但是要实现这个功能,还必须增加对多个Bank的管理模块,控制Bank来进行预充电,所以在在多个BankSDRAM中,会有多根Bank的选择引脚。

1.2  HY57V641620HG的结构

HY57V641620HG是一个8MBCMOS同步DRAM,尤其适合大容量存储和高带宽的存储场合。HY57V641620HG分为4Bank,每个Bank大小为2MB。它所有的输入和输出是和时钟输入上升沿同步的,且电平与LVTTL相兼容。内部数据通道提高了带宽。特性如下:

l         单电源供电,电压3.0V~3.6V

l         54引脚TSOP II封装

l         所有引脚与LVTTL接口兼容

l         所有输入输出参考系统时钟

l         具有UDQMLDQM数据屏蔽功能

l         可编程脉冲宽度和脉冲类型

l         可编程CAS#反应时间

l         自动刷新和自我刷新功能

l         64ms 4096个自动刷新周期

1  引脚分配图

引脚描述如表所示。

                            RAM引脚描述

引脚

引脚名

描述

CLK

时钟

系统时钟输入

CKE

时钟使能

内部时钟控制信号

CS#

片选

禁止/使能除CLKCKEDQM的所有输入

BA0BA1

Bank地址

选择某个Bank00~11分别对应Bank0~Bank1

RAS#

行地址选择

RAS#为行地址选择,当为低电平时行地址单元

使能

CAS#

列地址选择

CAS#为行地址选择,当为低电平时行地址单元使能

WE#

写使能

WE#为低时,允许写操作

LDQM/UDQM

数据输入/输出屏蔽

 

DQ0~DQ15

数据输入/输出

输入和输出数据

VDD/VSS

电源/

内部电路和输入缓冲电源供电

VDDQ/VSSQ

数据输出电源/

输出缓冲电源供电

NC

未连接

不使用,悬空即可

2  接口电路与程序设计

本节讲述了HY57V641620HG SDRAMS 3C 44B0X的电路连接方式和S 3C 44B0X上存储器控制器寄存器的设置,对于SDRAM的读写操作只需一对读写宏就能完成,最后由在一个Main函数中测试了读写操作宏的正确性。

2.1  电路连接

要在系统中使用SDRAM,要求微处理器具有刷新控制逻辑,或在系统中另外加入刷新控制逻辑电路。S 3C 44B0X及其他一些ARM芯片在片内具有独立的SDRAM刷新控制逻辑,可方便地与SDRAM相连接。

SDRAM连接电路图如2所示,它接在Bank6上。HY57V641620HG分成4Bank;每个Bank的容量为 1M ×16位。Bank的地址由BA1BA0决定,00对应Bank001对应Bankl10对应Bank2 11对应Bank3。在每个Bank中,分别用行地址脉冲选通RAS和列地址脉冲选通CAS进行寻址。HY57V641620HG的行地址取地址线A0~A11位,即RA0~RA11;列地址取地址线低8位,即CA0~CA7SDRAMS 3C 44B0X专用SDRAM片选信号nSCS0/nGCS6选通,地址空间为0x 0C 000000~0x 0C 7FFFFF

 

2  SDRAM连接电路图

2.2  硬件和寄存器设置

由于HY57V641620HG接在Bank6上,首先应当设置BWCON寄存器的第27~24位,即ST6WS6DW6ST6决定Bank6上的SRAM是否采用UB/LB,默认为不采用,本实例默认即可,WS6决定Bank6的等待是否使能,默认为禁止等待,本实例也默认即可。DW6时决定Bank6的数据总线宽度。根据HY57V641620HG,本实例将其配置为16位的数据总线宽度,即DW6 = 01

BANKCON寄存器中的MT位在第四章已经介绍过,将其配置为SDRAM,即MT = 11Trcd位设置为00,即RAS#信号到CAS#信号的延迟时间为2个时间周期。SCAN位根据HY57V641620HG芯片需设置为8位列地址线。这里还要根据处理器主频来计算刷新计数器REFRESH[10:0]位。计算公式见第四章表4-8

BANKSIZE寄存器中的SCLKEN位可以取默认值0,也可以为1,在这取1,即减少功耗。BK76MAP位取默认值000刚好满足要求,即32MB/32MB。各寄存器参数设置如下:

;BANKCON6寄存器参数

B6_MT          EQU       0x3         ;SDRAM

B6_Trcd         EQU       0x0         ;2个时钟周期

B6_SCAN       EQU       0x0         ;8bit

;REFRESH寄存器参数

REFEN          EQU       0x1         ;刷新使能

TREFMD       EQU       0x0         ;CBR/自动刷新

Trp                EQU       0x0         ;2个时钟周期

Trc                EQU       0x1         ;5个时钟周期

Tchr                     EQU       0x2         ;3个时钟周期

;REFCNT = 2048 + 1 - MCLK(MHz) * 16

REFCNT               EQU       1049       ;刷新周期为16us, MCLK=64MHz 根据系统时钟计算

           ;SDRAM的刷新数率

;BANKSIZE寄存器参数

SCLKEN        EQU       0x1         ;减少功耗

BK67MAP      EQU       0x000     ;Bank6Bank7映射关系为32MB/32MB

;MRSR寄存器参数

B6_WBL        EQU       0x0     ;写脉冲长度为0

B6_TM          EQU       0x00       ;模式寄存器设置

B6_CL           EQU       0x010     ;CAS#延迟时间为2个时间周期

B6_BT           EQU       0x0         ;序列脉冲

B6_BL            EQU       0x0         ;脉冲长度为1

2.3  程序的编写

ARM处理器能自动产生刷新、读写SDRAM的时序,所以本程序比较简单,只要将字符“a”写入0x0cf00000起始的10个地址空间的RAM中,再读取出来校验即可。注意0x 0c 000000SDRAM的起始地址,为保护靠近0x 0c 000000的运行的程序,实例进行读写的空间要取大一些,这里取0x0cf00000。程序主体如下:

#define  WriteSdram(address,data)     *((volatile U8 *)(address))=(U8)data   //SDRAM

#define  ReadSdram(address)             *((volatile U8 *)(address))                   //SDRAM

void Main (void)

{

       ……

       UartPrintf("/n输入回车开始SDRAM读写操作");

       if(UartGetch()=='/r')

       {

              UartPrintf("/n正在SDRAM写操作…");

              j=0x0cf00000;

              for(i=0;i<10;i++)                       //0x0cf00000开始,写入10个‘a

              {

                  WriteSdram(j,'a');

                  j++;

             }

              j=0x0cf00000;

          UartPrintf("/n写操作完毕,正在SDRAM读操作…");

              for(i=0;i<10;i++)

              {

                     ReadData = ReadSdram(j);    //0x0cf00000开始,读取10个‘a

                     UartPrintf("/n地址%8x处读取的数据是%c", j, ReadData);

                     j++;

           }

           UartPrintf("/n操作完毕!");

       }

}

2.4 程序运行结果

3  小结

介绍HY57V641620HG SRAM的操作,不像对Flash Rom操作,还需要写入命令字,对RAM的读写操作比较简单,只要在相应的地址进行普通读写就行。使用SDRAM不但能提高系统表现,还能简化设计、提供高速的数据传输。嵌入式一般需要或大或小的RAM空间来保证程序的运行需要。

 
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