LTspice introduction - 15 NPN型三极管的伏安特性

最新推荐文章于 2023-09-10 22:46:35 发布
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Version 4
SHEET 1 2612 1528
WIRE 2128 1152 1984 1152
WIRE 1984 1200 1984 1152
WIRE 2128 1216 2128 1152
WIRE 1920 1248 1840 1248
WIRE 1840 1264 1840 1248
WIRE 1840 1360 1840 1344
WIRE 1984 1360 1984 1296
WIRE 2128 1360 2128 1296
FLAG 2128 1360 0
FLAG 1984 1360 0
FLAG 1840 1360 0
SYMBOL npn 1920 1200 R0
SYMATTR InstName Q1
SYMATTR Value 2N2222
SYMBOL voltage 2128 1200 R0
SYMATTR InstName V1
SYMATTR Value 0.
SYMBOL current 1840 1344 M180
WINDOW 0 23 79 Left 2
WINDOW 3 24 0 Left 2
SYMATTR InstName I1
SYMATTR Value 0.
TEXT 1824 1408 Left 2 !.dc V1 0 15 10m I1 20u 100u 20u
TEXT 1992 1448 Top 1 ;This example schematic is supplied for informational/educational purposes only.


将以上内容保存成2V-I-Curve_NPN_DC_sweep.asc文件，用LTspice打开，然后执行Run进行仿真，结果如下：


lantianjialiang
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LM317 LTSPICE 模型
11-24
* *LM337 negative voltage regulator *Connections Input Adj. Output .subckt LM337 8 1 19 .MODEL QN NPN (BF=50 TF=1N CJC=1P) .MODEL QPOUT PNP (BF=50 TF=1N RE=.2 CJC=1P) .MODEL QP PNP CJC=1P TF=2N .MODEL DN D .MODEL D2 D BV=12 IBV=100U R10 25 6 1K Q3 8 17 16 QPOUT Q4 8 25 17 QP R18 19 17 250 R19 19 16 .3 G1 8 6 1 18 .1 C7 6 2 .04U R24 2 8 100 I_ADJ 0 1 65U R26 8 25 200K Q5 25 4 19 QP R27 16 4 200 R28 7 4 7K D1 8 7 D2 D2 8 6 DN V1 18 19 1.25 .ENDS ** ============================================= Version 4 SymbolType CELL RECTANGLE Normal 64 48 -64 -48 TEXT 0 -29 Center 0 LM317 SYMATTR Value LM317 SYMATTR Prefix X SYMATTR Value2 LM317 SYMATTR Description LM317 voltage regulator SYMATTR ModelFile LM317.sub PIN -64 0 LEFT 8 PINATTR PinName IN PINATTR SpiceOrder 1 PIN 0 48 BOTTOM 8 PINATTR PinName ADJ PINATTR SpiceOrder 2 PIN 64 0 RIGHT 8 PINATTR PinName OUT PINATTR SpiceOrder 3
模电的复习-----双极结型三极管（BJT）
qq_42312125的博客
10-30 5170
双极结型三极管 通俗点，就叫做三极管，这可是我们经常用的电子器件，没有它，都活不下去了。 结构分类： NPN PNP 结构组成： 发射极 基极 集电极 这个结构不管是NPN还是PNP都一定存在的。 三极管中载流子运动相关特性 以NPN型为例，N1-P-N2中，由于集电极反偏，所以存在Icn(Icn是指N1中的集电极电流)，Icbo(Icbo指反向饱和电流)，因此根据前人的推论，就会存在...
ltspice-model-index：LTspice标准.MODEL指令的索引
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LTspice buck电路PI+PID控制-环路增益测量
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LTspice buck电路PI+PID控制-环路增益测量，完整的LTspice仿真模型和相关控制器设计的matlab代码。 之前压缩包有问题无法解压，已经修复
在 LTSpice 中测量晶体管电流放大倍数
TSINGHUAJOKING
09-10 797
随着基极电流增加， 电流增益降低，  这一点， 与单个三极管基本上是相同的。选择一个 2N3904 NPN 型晶体管模型，  使用一个线性上升电压源， 从0V线性上升到10V，  通过 R1 给三极管提供基极电流，  这样就可以获得一个上升的基极电流，  通过测量 基极电流和集电极电流，  就可以计算出三极管在不同的基极电流下的电流增益了。天， 在面包板上测试了NPN三极管以及级联达林顿三极管的电流增益， 下面通过 LTspice 仿真软件来对三极管以及级联达林顿三极管的电流增益进行仿真。
LTspice introduction - 12 二极管的伏安特性
贾亮的专栏
05-02 2208
Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE 112 32 -80 32 WIRE -80 96 -80 32 WIRE 112 112 112 32 WIRE -80 240 -80 176 WIRE 112 240 112 176 WIRE 112 240 -80 240 WIRE 112 272 112 240 FLAG 112 272 0 SYMBOL voltage -8
SPICE电路仿真（4）--三极管
ouening的博客
07-12 8290
根据ngspice的手册介绍，下面的BJT的模型SPICE描述 书写以下电路图的SPICE模型，交流分析 仿真文件如下：Transistor Amplifier Simulation Example* 三极管的SPICE语法，mname是model name，可以用.MODEL新建 * QXXXXXXX nc nb ne <ns> mname <area=val > <areac=val > <
pspice中参数的意义
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01-10 1万+
摘自：http://royroyyy.blog.163.com/blog/static/137650617201102610471196/ 有源器件在符号库中的名称（NAME）通常以关键字开头，后根长度不超过8个字符的字母或数字命名，如Q2N2222表示已知NPN型BJT。74系列的数字集成电路芯片以他们的模型号作为源器件名称。 有源器件的参数均在它们的模型中描述。在PSP
模拟电路&仿真LTspice（2）：三极管特性曲线
不写手发抖的博客
02-09 9694
好久没有回顾旧知识了，重新温习一下模拟电路，若有误之处，烦请指教。 三极管特性曲线课本上画的也是十分美观的，它主要描述：三极管各端电流与2个PN结外加电压之间的关系，反应晶体管的电气性能的外部特性。 在绘制特性曲线前，还是讲讲LTspice的操作。 如上图所示，通过界面可以调用电阻Res、电感L、电容Cap、电源地GND、二极管Dio、其它器件可以调用如下图 里面可以调用各种器件，...
二极管的伏安特性解释
07-12
伏安特性是指加在二极管两端的电压u与流过=极管的电流，之间的关系，即，I=f（U）。2CP12（普通型硅=极管）和2AP9（普通型锗二极管）的伏安特。 （1）正向特性 二极管伏妄特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线 死区，对应的电压称为死区电压。硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0. 2V. 当正向电压超过某一数值后， 内电场就被大大削弱，正向电流迅速增大，二极管导通，这一区域称为正向导通区。二极管一旦正向导通后，只要正向电压稍有变化，就会使正向电流变化较大，二极管的正向特性曲线很陡。因此，二极管正向导通时，管子上的正向压降不大，正向压降的变化很小，一般硅管为o. 7V左右，锗管为0. 3V左右。因此，在使用二极管时，如果外加电压较大，一般要在电路中串接限流电阻，以免产生过大电流烧坏二极管。 （2）反向特性 二极管伏妄特性曲线的第三象限称为反向特性，它表示外加反向电压时二极管的工作情况
LTspice软件包和运放基本参数仿真演示LTSPICE例程文件
11-15
一款高性能SPICE仿真软件而且免费、原理图采集和波形查看器，集成增强功能和模型，简化了模拟电路的仿真.与常规SPICE仿真器相比，我们对SPICE的功能改进使开关稳压器仿真速度极其快，用户只需几分钟的时间便可查看大多数开关稳压器的波形。本视频概述了在模拟电路设计中使用LTspice的优势以及如何轻松入门。
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科大奥瑞物理实验——AD590温度特性测试与研究
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Version 4 SHEET 1 2612 1528 WIRE 2128 1152 1984 1152 WIRE 1984 1200 1984 1152 WIRE 2128 1216 2128 1152 WIRE 1920 1248 1840 1248 WIRE 1840 1264 1840 1248 WIRE 1920 1264 1920 1248 WIRE 1936 1264 1920 12
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ltspice-mos tool .exe
最新发布
09-26
LTspice-MOS是一款用于电路仿真和分析的软件工具，具体而言，LTspice-MOS是Linear Technology推出的一种针对MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的模型库。该软件工具为电子工程师提供了一个方便快捷的仿真平台...

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