动态RAM的刷新

最新推荐文章于 2024-03-14 19:18:35 发布
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分类专栏： 计算机组成原理
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第二种为什么没有死区，其实是因为存取周期周期变成1μs（这1μs中包含了读写时间，也包含了刷新一行的时间，所以才没有死区）

若是将存取周期变成0.5μs，则不包含刷新的时间，若是这个时候还是一个读写，然后刷新一次的话，就有死区，死区的时间是0.5μs

（以上图片是借鉴，其实上面几张图很常见，出现在教科书，辅导资料中，若是涉及侵权，通知我之后，若我看到之后，会及时删掉）

muguangyu
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RAM刷新周期问题
05-27 1万+
在刷新模式中死时间应试是连续的不能进行存取操作的时间。 RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内（2ms），先让存储器读写，然后集中刷新，这样就存在死区问题，如果是存取周期为2us的话，这样对于64*64的存储矩阵来说，集中刷新为128us，死区时间也为128us。 2、分散式刷新，将存储周期分为两部分，第一部分为存储器读写，第二部分为刷新，假如都为2us，这样，存取周期也就是
计算机组成原理主存储器—动态RAM刷新
ChenfengZhang的博客
09-08 1630
主存储器—动态RAM刷新集中刷新分散刷新异步刷新 动态RAM刷新与行地址有关，即每次刷新都刷新一行 集中刷新 死区：0.5us*128=64us 死时间率：128/4000=0.32 分散刷新 异步刷新
【计算机组成原理】动态RAM（DRAM）的三种刷新方式
热门推荐
qq_43610614的博客
04-21 4万+
动态RAM共有三种刷新方式：集中刷新，分散刷新，异步刷新 刷新的实质：先将原信息读出，再由刷新放大器形成原信息重新写入的再生成的过程 为什么要进行刷新：存储单元被访问是随机的，有些存储单元可能长时间的不被访问，不进行存储器的读写操作，其存储单元内的原信息就可能会丢失。 刷新是一行行进行的，必须在刷新周期内 刷新周期：对DRAM的所有存储单元恢复一次原状态的时间间隔 刷新间隔：两次刷新的起始时间差（...
计算机组成原理(期末复习)
m0_48717581的博客
12-28 710
（图源自老师ppt）
动态RAM与静态RAM
LuckyStar的博客
03-20 6474
1. 存储原理 动态RAM是利用电容存储电荷的方式存储数据的； 静态RAM是利用触发器的稳态特性来存储数据的； 2. 集成度 动态RAM集成度低，静态RAM集成度高 动态RAM每一个单元的电路包含一个晶体管+一个电容； 静态RAM每一个单元的电路包含6个晶体管； 3. 芯片引脚 DRAM的行地址和列地址可以分别进行传送，地址线条数为原来的一半，因此引脚数减少了； SRAM引脚数多； 4. 功耗 DRAM功耗小 SRAM功耗大 5. 速度 DRAM运用充放电来存储信息，因此速度慢； SRAM运用触发器存储信息
动态半导体ram依据什么存储信息_静态ram和动态ram的区别是什么
weixin_39844963的博客
12-22 4295
随机存取存储器(random access memory，RAM)又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理...
半导体存储器RAM
qq_56107224的博客
12-23 2091
前提 集成度：就是存储一个二进制位单元需要的原件个数 1 SRAM存储器的工作原理 通常把存放一个二进制位的物理器件称为存储元，它是存储器的 最基本构件。地址码相同的多个存储元构成一个存储单元。若干 存储单元的集合构成存储体。 静态随机存储器（SRAM）的存储元是用双稳态触发器（六管MOS） 来记忆信息的，因此即使信息被读出后，它仍保持其原状态而不需 要再生（非破坏性读出）.但是，只要电源被切断，原来的保存信 息便会丢失，故它属易失性半导体存储器。 SRAM的存取速度快，但集成度低，功耗较大，.
动态RAM为什么要刷新？一般有几种刷新方式？
04-19
动态RAM需要刷新是因为它不能像静态RAM一样保持数据一直存在。动态RAM需要周期性地读取并重新写入数据，以避免数据被擦除或失效。一般有两种刷新方式：自刷新和外部刷新。自刷新时，DRAM芯片自己周期性地刷新；外部...
计算机逻辑结构与基础课件：5_1_7动态RAM的基本存储单元.ppt
06-29
2. 存在漏电阻，数据必须定期刷新：由于动态RAM的基本存储单元使用电容器存储电荷，因此存在漏电阻现象，需要定期刷新数据以维持数据的正确性。 存储器的层次化体系 存储器的层次化体系是指计算机系统中的存储器...
动态RAM刷新及动态RAM和静态RAM的比较
weixin_44915226的博客
03-05 2162
集中刷新 以128×128矩阵为例： 每次刷新一行，每一行都要刷新 刷新的时间间隔为2毫秒，存取周期为0.5微秒，那么共有4000个周期。 后面128个周期用来刷新 那么“死区”为 0.5微秒×128=64微秒 ，“死时间率”为 128/4000×100%=3.2%，在此时间内，想访问动态RAM必须等待。   分散刷新 存取周期为1微秒。前0.5微秒用来读写，后0.5微秒用来刷新。 这样128行，在128微秒内就会全部刷新一次。2ms内，就会刷新2000/128=15.625次。这是一种过度刷
随机存储器，静态RAM和动态RAM
最新发布
m0_74762905的博客
03-14 1262
集中刷新：在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间进行逐行刷新，此刻必须停止读写操作，例如：对128*128矩阵的存储芯片进行刷新时，若存取时间为0.5us，刷新周期为2ms,则对128行集中刷新需要64us，其余时间用来读写信息，在这64us内不能进行读写操作，称为死时间，所占比为64/2000。存储电荷的原理来寄存信息，采用充放电来保存代码，充完电为1，否则为0.动态RAM一个单元电路有一个晶体管和一个电容器，集成度较高，且行列分别传输，地址条数少一半，引脚较少。
DRAM三种刷新方式详解
piscesQ
07-04 1万+
设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失，所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的，为了【全部】内存都能保住电荷，必须对【所有】的行都得补充。 假设刷新1行的时间为0.5μs（刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期＞真正用于存取的时间，因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。——对于SRAM也是这样，对于DRA
2023考研|计算机组成原理：动态RAM的刷新
计算机考研
12-28 1185
2023年考研预计在12月下旬，打算参加2023年计算机考研的考生建议可以开始考虑报考院校与专业目录等信息了，以下是小编搜集的计算机组成原理的知识资料，可供参考。
计组学习笔记（三）：SRAM与DRAM
qq_39378221的博客
06-22 1万+
一、半导体存储芯片  先了解了解我们RAM的真面目——半导体存储芯片，主存通常就是由多个这样的半导体芯片组成。    （1）存储矩阵：由大量相同的位存储单元阵列构成。  （2）译码驱动：将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号，该信号在读写电路的配合下完成对被选中单元的读和写。（包括译码器，驱动器）  （3）读写电路：完成读写操作。（包括读出放大器，写入电路）。  （4）读/写控制线：...
数据的表示和运算
hongcaixia的博客
03-26 2567
数据的表示和运算 一、数值和编码 1.基本概念 ①进位制：表示数时，仅用一位数码往往不够用，必须用进位计数的方法组成多位数码。多位数码每一位的构成以及从低位到高位的进位规则称为进位计数制，简称进位制。 ②数值数据：可用来表示数量的多少，可比较其大小，分为整数和实数，整数又分为无符号整数和带符号整数。 ③非数值数据：没有大小之分，不表示数量的多少，主要包括字符数据和逻辑数据。 2.进位记数制 数值型...
SDRAM之刷新（原理分析、波形设计、代码编写、仿真测试）
qq_41776667的博客
04-20 2235
文章目录功能思路分析如何实现SDRAM读写功能SDRAM自刷新描述自动刷新波形时间参数设计看表命令设计看表时钟分析设计：波形设计代码设计状态机设计计数器设计数据存储设计main代码刷新模块代码仲裁模块代码顶层模块代码代码编译testbench功能仿真总结 功能思路分析 时序接口设计： 根据读数据手册步骤分析，看我的博客。 对于多时序冲突问题：是否考虑状态机架构 看单时序时间参数分析：考虑设计计...
计算机组成原理主存储器—动态RAM与静态RAM比较
ChenfengZhang的博客
09-08 1893
主存储器—动态RAM与静态RAM比较 项目 DRAM（主存） SRAM（缓存） 存储原理 电容 触发器 集成度 高（一个晶体管一个电熔） 低（六个晶体管） 芯片引脚 少 多（高速度） 功耗 少（刷新用电） 高 价格 低 高 速度 慢（主要有读写与充电） 快 刷新 有 无 ...
（四.2）计算机组成原理笔记——存储器（静态RAM和动态RAM的区别，动态RAM的刷新, ROM……）
weixin_43920952的博客
03-18 1万+
         ■ 随机存取存储器 ■ 1.随机存取存储器：按存储信息的原理不同分为：静态RAM和动态RAM 2.静态RAM（SRAM）：用触发器工作原理存储信息，但电源掉电时，存储信息会丢失具有易失性。 3.存储器的基本单元电路：存储器中用于寄"0"和"1"代码的电路 4.动态RAM（DRAM）：靠电容存储电荷的原理存储信息，具有不易失性 5.动态RAM的刷新分为三种：集中...
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