三星和另一家韩国半导体大厂Hynix(海力士半导体)就在ISSCC 2012上拿出了真正的DDR4内存芯片样品。三星电子的样品基于30nm CMOS工艺和3层金属配线技术制造,单颗容量为4Gbit,设定运行电压为1.2V。实际运行的电压为1.14V,测定传输速度为 3.3Gbps(DDR4-3300)。当然,在三星20nm半导体生产线已经投入运行的情况下,DDR4 DRAM未来肯定会使用更先进的20nm制程工艺,频率将会比等效3300MHz更高。
ISSCC 2012上三星电子同样发表了它们的LPDDR3样品:单颗容量为4Gbit,基于30nm制造工艺,设定运行电压为1.2V,IO界面为32bit。最 高可在85度环境中工作,电压最低可至1.05V,此时运行速度可达1.6Gbps,功耗低至406mW。32bit的整个芯片可达到 6.4GByte/s的传输速。
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评论:
传统DDR和mDDR主要区别:
1. mDDR没有内置DLL,功耗更低。
2. mDDR接口电平是LCMOS,DDR是SSTL
尔必达破产,败在没看到移动互联的巨大机会,抱残守缺PC市场,破产是必然的!