DS18B20实现环境温度采集

目录

一、DS18B20简介

1.传感器引脚排列及说明

2.DS18B20主要数据部件

（1）64位ROM

（2）高度暂存器

3.温度转换的计算方法

二、DS18B20工作原理

1.初始化时序

2.写时序

3.读时序

三、DS18B20实现环境温度采集

1.电路原理图：

2.代码实现：

3.Proteus电路仿真：

4.时序测试：

5.普中开发板实现：

6.修改时序

四、总结

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一、DS18B20简介

DS18B20 是由 DALLAS 半导体公司推出的一种的“一线总线（单总线）”接口的温度传感器。与传统的热敏电阻等测温元件相比，它是一种新型的体积小、适用电压宽、与微处理器接口简单的数字化温度传感器。

1.传感器引脚排列及说明

2.DS18B20主要数据部件

DS18B20的主要数据部件有64位ROM；高速暂存器和存储器

（1）64位ROM

DS18B20片内都有唯一的64位光刻ROM编码，出厂时已刻好。它是DS18B20的地址序列码，目的是使每个DS18B20的地址都不相同，这样就可实现在一根总线上挂接多个DS18B20的目的。

（2）高度暂存器

高度暂存器片内有9个字节。

第1字节和第2字节是在单片机发给DS18B20温度转换命令发布后，经转换所得的温度值，以两字节补码形式存放其中。第3、4字节分别是由软件写入用户报警的上下限值TH和TL。第5个字节为配置寄存器，可对其更改DS18B20的测温分辨率，高速暂存器的第6、7、8字节未用，为全1。第9字节是前面所有8个字节的CRC码，用来保证正确通信。

其片内还有配置寄存器，用于设定分辨率。当设定为9位时，转换时间为93.75ms；设定10位时，转换时间为187.5 ms；当设定11位时，转换时间为375ms；当设定为12位时，转换时间为750ms。

下表为DS18B20温度转换后所得到的16位转换结果的典型值。

3.温度转换的计算方法

当DS18B20采集的温度为+125℃时，输出为0x07d0，则：

实际温度=（0x07d0）/16=(0×163+7×162+13×161+0×160)/16=125℃

当DS18B20采集的温度为-55℃时，输出为0xfc90，由于是补码，则先将11位数据取反加1得0x0370，注意符号位不变，也不参加运算，则

实际温度=（0x0370）/16=(0×163+3×162+7×161+0×160)/16=55℃

注：负号则需对采集的温度进行判断后，再予以显示。

二、DS18B20工作原理

1.初始化时序

（1）拉低总线480μs，产生复位脉冲，然后释放总线

（2）DS18B20在监测到请求后，会拉低信号，约60~240μs表示应答

（3）在拉低信号的时候，单片机读取总线的电平，若为低电平，则初始化成功

（4）DS18B20在拉低电平的60~240μs之后，会释放总线。

代码实现：

void init_ds18b20(void)		//函数功能：18B20初始化
{
	 uchar x=0; 
	 DQ =0;    
	 delay5(120); 
	 DQ =1;    
	 delay5(16);
	 delay5(80);
}

2.写时序

总线控制器通过控制单总线高低电平持续时间从而把逻辑1或0写进DS12B20中。每次传输1位数据。

当主机把数据线从高电平拉至低电平时，产生时间片。所有时间片必须有最短为60μs的持续期，在各写周期间必须有最短为1μs的恢复时间。

在I/O线由高电平变为低电平之后，DS12B20 在15μs~60μS间对I/O线采样。若为高电平，写1就发生。若为低电平，写0就发生。

对于写1时间片的情况，数据线必须先被拉至逻辑低水平，然后就被释放，时数据线在写时间片开始之后的15μs之内拉至高电平。

对于写0时间片的情况，数据线必须被拉至逻辑低水平且保持低电平60μs。

代码实现：

void writebyte(uchar dat) 			//函数功能：写1字节
{
 uchar i=0;
 for(i=8;i>0;i--)
 {
	  DQ =0;
	  DQ =dat&0x01;				//写"1" 在15µs内拉低
	  delay5(12);	   			//写"0" 拉低60µs
	  DQ = 1;	   
	  dat>>=1;
	  delay5(5);
	  }
}

3.读时序

当从DS1820读数据时，主机产生读时间片。当主机把数据线从逻辑高电平拉至低电平时，产生读时间片。

数据必须保持在低逻辑电平至少1μs；来自DS1820的输出数据在读时间片下降沿之后的15μs有效。因此，在读时间片结束时，I/O引脚需拉回至高电平。所有读时间片的最短持续期限为60μs，各读时间片之间必须有最短为1μs的恢复时间。

说明，TRC和T SAMPLE之和必须小于15μs。

说明，通过使TINRT好TRC尽可能小，且把主机采样时间定在15μs期间的末尾，系统时序关系就有最大余地。

代码实现：

uchar readbyte(void) 			//函数功能：读取1字节数据
{
	uchar i=0;
	uchar date=0;
	for (i=8;i>0;i--)
	{
		  DQ =0;
		  delay5(1);
		  DQ =1;			//15µs内拉释放总线
		  date>>=1;
		  if(DQ)
		  date|=0x80;
		  delay5(11);
	 }
 	return(date);
}

三、DS18B20实现环境温度采集

1.电路原理图：

2.代码实现：

#include "reg51.h"
#include "intrins.h"
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int 
#define out P2
sbit smg1=out^4;
sbit smg2=out^5;
sbit DQ=P3^7;
void delay5(uchar);
void init_ds18b20(void);
uchar readbyte(void);
void writebyte(uchar);
uchar retemp(void);

void main(void)
{
uchar i,temp;
delay5(1000);
while(1)
	{
	 temp=retemp();	
	 for(i=0;i<10;i++)
	 {
	 out=(temp/10)&0x0f;
	 smg1=0;
	 smg2=1;
	 delay5(1000);	
	 out=(temp%10)&0x0f;
	 smg1=1;
	 smg2=0;
	 delay5(1000);	
	 }
	}

}

void delay5(uchar n)
{
	 do
	 {
	 _nop_();
	 _nop_();
	 _nop_();
	 n--;
	 }
	 while(n);
}

void init_ds18b20(void)
{
	 uchar x=0; 
	 DQ =0;    
	 delay5(120); 
	 DQ =1;    
	 delay5(16);
	 delay5(80);
}

uchar readbyte(void)
{
	uchar i=0;
	uchar date=0;
	for (i=8;i>0;i--)
	 {
		  DQ =0;
		  delay5(1);
		  DQ =1;	
		  date>>=1;
		  if(DQ)
		  date|=0x80;
		  delay5(11);
	 }
 	return(date);
}

void writebyte(uchar dat)
{
 uchar i=0;
 for(i=8;i>0;i--)
	 {
	  DQ =0;
	  DQ =dat&0x01;
	  delay5(12);	  
	  DQ = 1;	   
	  dat>>=1;
	  delay5(5);
	  }
}

uchar retemp(void)
{
	uchar a,b,tt;
	uint t;
	init_ds18b20();
	writebyte(0xCC); 
	writebyte(0x44);
	init_ds18b20();
	writebyte(0xCC); 
	writebyte(0xBE); 
	a=readbyte();
	b=readbyte();
	t=b;
	t<<=8;
	t=t|a;
	tt=t*0.0625;
	return(tt);
}

3.Proteus电路仿真：

可以看到随着我们改变温度，显示屏的温度也随之变化。

4.时序测试：

分析波形可知，此程序符合技术要求。

5.普中开发板实现：

6.修改时序

我们通过更改延时delay的延时值，再重新运行之前的实验

发现温度显示混乱，不会在返回正确的温度。

四、总结

通过本次实验仿真，我们了解学习了DS18B20单总线接口的温度传感器，掌握了其基本构成及工作原理，了解到时序函数在传感器工作中显得尤其重要。时序不正确可能会导致温度显示异常。

参考博客链接：

【常用传感器】DS18B20温度传感器原理详解及例程代码_ds18b20温度传感器工作原理-CSDN博客