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1.交流电
- 大小及方向均随时间做周期性变化的电流、电压、电动势统称为交流电。
- 若电流、电压、电动势随时间按正弦规律做周期性变化，则称其为正弦交流电。
- 直流电与交流电的区别在于：直流电的方向不随时间变化。
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2.正弦交流电三要素
- 角频率（频率或周期）、振幅（有效值）、初相位称为正弦量的三要素
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（1）频率：
- 正弦量在单位时间内作周期性循环变化的次数称为频率，用字母“f” 表示。 周期与频率的关系：两者互为倒数。
- 频率的单位是“赫兹”，用Hz表示。
- 周期、频率、角频率三者之间的关系
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（2）有效值： I、U、E
- 正弦交流电流有效值：
- 正弦交流电压有效值：
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注意：
- 在工程上所说的正弦电压、电流的大小都指的是有效值。
- 我国的市电电压为220V，飞机上的交流供电电压为115V，指的都是有效值。
- 一般的交流测量仪表测量出的数值是有效值。
- 交流电气设备铭牌上的额定电压、额定电流都是有效值。
- 交流电分析计算用有效值。
- 交流电器的耐压要用最大值。
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（3）相位差
- 两个同频率正弦交流信号（电流或电压）的相位之差。
- 超前、滞后：从波形看先出现正的最大值为超前，后者为滞后。
- 超前：当Δφ ＝φ1-φ2 >0°时，u1电压超前于u2电压；
- 滞后：当Δφ ＝φ1-φ2 <0°时，u1电压滞后于u2电压；
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3.流过负载的正弦电流的瞬时值为：
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4.负载两端的正弦电压的瞬时值为：
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5.单一参数交流电路
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（1）
- 频率关系：相同
- 大小关系：
- 相位关系：u、i 相位相同
- 相位差：
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（2）
- 频率关系：相同
- 大小关系：
- 相位关系：电压超前电流90°
- 相位差：
-
（3）
- 频率：相同
- 大小关系：
- 相位关系：电压滞后电流90°
- 相位差：
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6.半导体
- 半导体的特点：热敏性、光敏性、掺杂性。
- 常见的半导体为硅和锗。
- 半导体的导电特点：半导体中同时有两种载流子参与导电：一是自由电子，另一种是空穴，两种载流子电量相等、电性相反、移动方向相反。
- 自由电子带负电荷，空穴带正电荷。
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7.杂质半导体
- 掺入杂质的半导体称作杂质半导体。根据掺入杂质性质的不同。
- 可分为两种：N型半导体：掺杂五价元素；P型半导体：掺杂三价元素
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（1）在N型半导体中，自由电子数大于空穴数。
- 自由电子----多数载流子(多子)
- 空穴-----少数载流子(少子)
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（2）在P型半导体中，空穴数大于自由电子数。
- 空穴----多数载流子(多子)
- 自由电子-----少数载流子(少子)
- 不论N型半导体还是P型半导体，虽然都有一种载流子占多数，但是整个晶体仍然是不带电的。
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8.PN结
- 在一块纯净的半导体晶片上，采用特殊的掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元素和五价元素，则一侧形成P型半导体，另一侧形成N型半导体，在这两种杂质半导体的交界面附近形成一个具有特殊性质的薄层，这就是PN结。
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（1）PN结正偏：正极接P区，负极接N区
- 空间电荷区变窄，有利于多子扩散，电流增大，PN结导通。
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（2）PN结反偏：正极接N区，负极接P区
- 空间电荷区变宽，有利于少子漂移，电流减少，PN结截止。
- 利用PN结的单向导电性，可以制成半导体二极管及各种半导体元件。
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9.二极管
- 二极管由一个PN结构成，具有单向导电特性。
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二极管伏安特性：
- 正向特性：死区和导通区；
- 反向特性：截止区和反向击穿区。
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（1）稳压二极管在电路中能起稳定电压的作用，必须使稳压管工作于反向击穿区，这种击穿是可逆的，去掉外加电压后，击穿即可恢复。
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（2）发光二极管（LED）是一种把电能转变成光能的半导体器件。它也具有单向导电性，但在正向导通时会发光，光的颜色主要取决于制造时的材料。
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（3）光电二极管将光信号转换为电信号。光电流的大小与光照的强度和光的波长有关。
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10.三极管
- 半导体三极管在电路中主要起放大和电子开关作用。
- 三极管由两个PN结构成，根据PN结连接方法的不同，可以分为NPN型和PNP型。
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三极管三个区：发射区、集电区、基区。
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三个极：基极、集电极、发射极。
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两个结：发射结、集电结。
- 注意：发射极箭头指向外的是NPN管，发射极的箭头指向内的是PNP管。
- 发射区掺杂浓度最高，基区最薄，集电结面积最大。这些特点是三极管具有电流放大能力的内部条件。
- 三极管的输入特性曲线：
- 硅管：
- 锗管:
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三极管的输出特性曲线：
- （1）截止区：三极管的发射结和集电结都处于反向偏置。
- （2）放大区：三极管的发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置。
- （3）饱和区：三极管的发射结和集电结都处于正向偏置。
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