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RSS订阅原创 阅读论文-构网型储能变流器-功率环设计
但是作者在这边文章中提到，实际上也是一个经典的问题，就是典型的VSG功率环或者其他具有二阶特性的功率环在设计时，下垂、阻尼是耦合在一起的，没有办法分开设计，这是控制结构的限制。文章在下面给出了一个图，从另一个角度以也说明了，下垂会受到惯量和阻尼的影响，随着阻尼系数的增加，下垂斜率不断减小。值得一提的是，这篇文章写的比较早，同时也写到在PLL上面做文章也可以让跟网型变流器展现出惯性和阻尼，但是这种方式是依赖于电网频率的，并不会对功率输入有影响，这使得直流侧的扰动会直接传递到交流测。
2025-10-06 11:21:38
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原创 阅读论文-构网变流器限流-幅值限幅器
在分析电流限幅器的特性时，电流内环一般带宽比较高，可以被忽略。从控制框图上可以看出，在双环控制的基础上，加入了电压、电流前馈，这使得整体控制环路的积分系数都非常小，可以忽略，并且在低穿环节，为了防止电压积分环节windup，一般要关闭积分。简介：文章分析了构网变流器在加入电流限幅值后的等效电路，分析了其暂态特性。这条功角曲线对的电网电压为1.0pu，可以发现，经过限流之后，功角曲线变得复杂起来，不再是之前简单的正弦曲线。本章作者在开头引出分析的控制结构，在电流的输入环节加入电流限幅器，并简单介绍。
2025-10-03 11:09:14
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原创 论文阅读-《Transient Stability of Voltage-Source Converters With Grid-Forming Control: A Design-Oriented》
简介：该论文分析了在电网大扰动（低穿）下，两种基本的控制结构（有无惯性）的暂态稳定性问题。文章先分析了不同控制结构，区分为两类，有惯性和无惯性。通过建立大信号模型，分析了不同控制结构下，不同参数对暂态稳定性的影响。文章首先摆出了四种经典的控制结构，如下所示针对前两种，可以整理出以下公式根据这个公式可以看出，在（a）和（b）之间具有相似性，这表明功率同步控制（PSC）和基本的下垂控制具有异曲同工之妙，只是在叫法上有所不同，其实本质上时一样的。与此同时，这两种控制方式都没有模拟同步机的惯性，所以将他们归为一类，
2025-10-02 19:57:14
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原创 三相LCL并网逆变器—滤波器参数设置
通过第一篇文章对滤波器的分析，LCL滤波器具有具有良好的高频衰减特性，能够很好的抑制并网电流的谐波，提升并网的电能质量。但是LCL滤波器属于三阶滤波器，结构复杂，在参数设计时，需要考虑到多种因素的限制。本文将首先分析寄生参数对滤波器性能的影响，然后介绍滤波器参数应该怎样选择。
2024-11-25 20:26:16
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原创 基于倒立摆模型的平衡小车
越大，系统的响应速度越快，系统的调节精度越高，也就是对偏差的分辨率(重视程度)越高，但将产生超调，甚至导致系统不稳定。积分作用系数越大，系统静态误差消除越大，但积分作用过大，在响应过程的初期会产生积分饱和现象，从而引起响应过程的较大超调。(3) 微分环节能反映偏差信号的变化趋势(变化速率)，并能在偏差信号值变得太大之前，在系统中引入一个有效的早期修正信号，从而加快系统的动作速度，减少调节时间。值得补充的是，这里的角度、角速度信息反馈是基于MPU6050，而在速度环的速度反馈是基于电机的编码器。
2024-11-08 20:37:35
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原创 浅谈SiC MOSFET之驱动电阻设计
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的驱动电阻，通常称为栅极驱动电阻，是连接在MOSFET的栅极和驱动电路之间的电阻。外部栅极驱动电阻器在限制栅极驱动路径中的噪声和振 铃方面发挥着至关重要的作用。如果没有尺寸合适的栅极电阻器，寄生电感和电容、高 dv/dt 和 di/dt 以及体二极管反向恢复可能导致不良行为。输入电容 CISS (CGD + CGS) 和 源极电感 LS 之间原本非常高的 Q 谐振可通过回路的串联电阻分量 RG (RG = RHI 或 LO+RGATE+RG,I) 进行衰减。
2024-05-14 10:32:45
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原创 浅谈SiC MOSFET之双脉冲原理
在平常的使用中，我们基本通过芯片手册来了解功率器件的各种性能参数，但是手册中的参数的测量环境都是在理想状态下，与实际使用或多或少都会有差别。通过双脉冲实验可以获取器件在真实工况下的参数，对于产品设计很有帮助。
2024-05-14 09:42:01
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空空如也
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