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RSS订阅原创 Athena仿真-----网格和镜像
由基础知识知道了怎么创建基本矩形网格，在关键的位置处的网格精细，如PN结或反型层的位置。同时，网格越细密仿真速度越慢，所以需要在关键的位置有精细的网格，较多的网格点，非关键区域的网格数量减少。比如在10um的衬底上进行掺杂，只需要掺杂区域的网格精细，其余区域的网格数量少，仿真精度没有降低的同时提高仿真速度。可以使用非均匀网格分布，在必要的位置处设置小的spac，在非必要处设置大的spac。但这种简单的方法减少的网格在设计中还不够，还需要其他方法减小非必要区域的网格点。
2023-04-12 10:42:13
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原创 Athena工艺仿真基础知识
当deckbuild运行或者当前的模拟器被设置为Athena，打开Commands菜单，如图所示。然后，选择，然后将出现Athena网格定义菜单。固定这个弹出窗口，因为它将经常被用于设计一个初始网格。右边的网格图可以通过点击右下角的ViewGrid显示。由上图可知，X方向的网格时非均匀的，Y方向的网格是均匀的。点击write自动输出以下代码。loc(location)表示轴上的一点，spac(spacing)表示该点处的间距。注：1）Athena模拟的最大网格节点数是20,000个。
2023-04-12 10:38:03
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原创 SPAD器件仿真（一）器件参数提取和dark下的I-V曲线仿真
第二行代码：提取器件的结深，可以通过更改junc.occno的数值，选择提取的是第几个pn结的结深（junc.occno=1提取第一个pn结结深，junc.occno=2提取第二个pn结结深）在之前的器件结构中，在doping中可以设置掺杂的深度，从而知道pn结的大致深度，具体的数值可以通过对器件结构文件进行参数提取，文件必须是进行过初始化的结构文件（.str）。可以提取的参数有很多，这里说一下关于常用的PN结结深和最大电场的提取。第二行，第三行代码：提取最大电场强度的坐标。
2023-03-10 10:22:03
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原创 SILVACO TCAD 软件使用参考
推荐新手书：唐龙谷老师《半导体工艺和器件仿真软年间Silvaco TCAD实用教程》。 本篇文章主要参考这本书和ATLAS说明书。因为是自己写的和软件翻译的，也许会有错误，但应该不会影响阅读理解。
2023-03-07 15:48:08
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siliaco器件与工艺模拟实验讲义 .zip
2023-04-11
silvaco tcadPPT，唐龙谷老师课本的配套PPT
2023-03-09
空空如也
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