SPAD器件仿真（一）器件参数提取和dark下的I-V曲线仿真

一、器件参数提取

在之前的器件结构中，在doping中可以设置掺杂的深度，从而知道pn结的大致深度，具体的数值可以通过对器件结构文件进行参数提取，文件必须是进行过初始化的结构文件（.str）。

可以提取的参数有很多，这里说一下关于常用的PN结结深和最大电场的提取。

extract init inf="PIN_devices.str"
extract name="jx" xj material="Silicon" mat.occno=1 x.val=10.0 junc.occno=1

第一行代码：选择要提取的结构文件

第二行代码：提取器件的结深，可以通过更改junc.occno的数值，选择提取的是第几个pn结的结深（junc.occno=1提取第一个pn结结深，junc.occno=2提取第二个pn结结深）

extract name="jef" 2d.max.conc impurity="E Field"  material="Silicon"  \ 
              x.min=0 x.max=20 y.min=0 y.max=10.1
extract name="xposition of max field" x.pos
extract name="yposition of max field" y.pos

最大第一行代码：提取器件的某一范围（x.min=0 x.max=20 y.min=0 y.max=10.1）内的最大（2d.max.conc）电场强度（impurity="E Field"）

第二行，第三行代码：提取最大电场强度的坐标

二、DARK下的 I-V 特性曲线

go atlas simflags="-V 5.28.1.R -P 8 "
init infile=PIN_devices.str

首先，打开ATLAS并选择要仿真的结构文件。

#选择模型
models bipolar bbt.std  print 
impact selb 
#数值计算方法
method newton trap maxtrap=50 climit=1e-4
#初始化载流子
method carriers=0
#初始化
solve init
#载流子（电子和空穴）
method carriers=2
#设置日志文件，用于保存IV曲线
log outf=PIN_VB.log
#设置偏置电压
solve vanode=-0.01
solve vanode=-0.1
#偏置电压从1V递增到30V，步长（每次增长）1V，当cathode的电流达到1e-4A时，结束，进行下一句
solve vanode=-1 vstep=-1 vfinal=-30 name=anode compl=1e-4 cname=cathode
#结束并在tonyplot中显示IV曲线
log off
tonyplot PIN_VB.log

新行业新人，希望对你有用，更希望我们能多交流，一起进步。如果有不对的地方，望大家多多指正，谢谢。