Athena仿真-----网格和镜像

目录

一、使用松弛参数来减少非必要区域中的网格点（relax）

二、使用镜像参数在“Y”平面中反射一个结构（mirror）

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由基础知识知道了怎么创建基本矩形网格，在关键的位置处的网格精细，如PN结或反型层的位置。同时，网格越细密仿真速度越慢，所以需要在关键的位置有精细的网格，较多的网格点，非关键区域的网格数量减少。比如在10um的衬底上进行掺杂，只需要掺杂区域的网格精细，其余区域的网格数量少，仿真精度没有降低的同时提高仿真速度。可以使用非均匀网格分布，在必要的位置处设置小的spac，在非必要处设置大的spac。但这种简单的方法减少的网格在设计中还不够，还需要其他方法减小非必要区域的网格点。

一、使用松弛参数来减少非必要区域中的网格点（relax）

网格的质量对于Athena的模拟至关重要。由初始化或沉积在影响网格的工艺步骤（例如，蚀刻或氧化）中生成的基于矩形的网格可以在未涉及的区域中保持完整。Grid Relax功能允许在模拟期间的任何点上增加这些区域的间距。这个功能很有用，有两个原因：首先，初始的小间距在整个结构中传播。其次，总是需要在离子注入的区域设置一个精细的网格，但在热步骤中轮廓变平后，精细网格可能不必要。因此，放松一个最初的精细网格可以节省后续步骤中的模拟时间。relax语句的参数从athena  relax菜单中设置

ATHENA Command Menu→Structure→Relax...

 选择Entire Grid（整个网格），可以在整个结构上预形成网格松弛，或者在选定的矩形区域内，如果选择“Selected（选择）”并在“Location Select（位置选择）”中指定Xmin、Xmax、Ymin和Ymax。从“material（材质）”菜单中选择材质将指定将受网格松弛操作影响的材质区域。默认值是指定区域内的所有材质。通过选择X direction, Y direction, 或 Both（X方向、Y方向或两者），可以在一个方向或两个方向上执行网格线消除。除基板外，不能对个别材料进行X方向的relax松弛操作。

#两个方向都进行松弛操作
relax dir.x=t dir.y=t

如下图所示，网格点的总数从708个减少到388个。与松弛前的栅格（左上角图）相比，请注意，氧化物间隔层和聚栅极内的栅格没有变化。这是由于以下三个因素造成的：

1）松弛算法仅适用于矩形基底网格

2）从不消除区域边界附近的网格线

3）松弛区域应至少为5乘5个网格点。

在硅中，每一条水平线都被消除。每条第二条垂直线的下部也被消除了。这是因为该算法不允许形成钝角三角形。

 如果不希望网格在y=0.3以上松弛，请选择“Selected”并在“location select”框中设置四个边界。这将给出以下松弛的声明：

relax x.min=0.00 x.max=1.00 y.min=0.30 y.max=1.00 dir.x=t dir.y=t

在这种情况下，网格点的数量是567个。y=0.3以上的网格保持完整（上图左下角的图），X和y方向的消除只发生在y=0.3以下。

若要在y=0.3以下区域仅在X方向的松弛，选择X方向，并保留“Area and Location Selections”设置。这将提供以下Relax语句：

relax x.min=0.00 x.max=1.00 y.min=0.30 y.max=1.00 dir.x=t dir.y=f

关于relax功能，需要记住的是，它可以避免创建钝三角形，避免直接在材料边界上松弛。这有时会导致在期望区域的一个子集中没有松弛或网格松弛。完全控制网格的最理想的方法是使用DevEdit。

二、使用镜像参数在“Y”平面中反射一个结构（mirror）

这个步骤必须在将结构导出到器件模拟器或设置电极名称之前完成。一般情况下，当结构不再对称时，应进行结构反射（例如，倾斜的注入物、不对称蚀刻或沉积），或者当反射边界条件不再适用于侧面时，侧面将是结构的中心。

ATHENA Command Menu→Structure→Mirror...

struct mirror left

将 结构以左边界为对称轴进行镜像。也就是说结构的左半部分是右侧部分的完整镜像副本，包括节点坐标、掺杂值等。在进行镜像时，请注意舍入错误。如果反射的边界不平滑到0.1埃以内，一些点将被重复。