模拟电子技术基础 第一章

常用半导体

• 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间
• 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体

•  载流子：

1.本征激发（ 热运动使电子挣脱产生空穴 ）

2.自由电子可以导电了

3.空穴的移动是相对的，也是载流子也能导电

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（假设在右上角有正电荷，左下角有负电荷）

产生向左下方向的电场

空穴左下的电子会向右上移动（几乎无能量损耗）又会产生新空穴，然后新空穴左下的电子又会向右上移动

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4.复合：自由电子乱跑回到空穴里，这一对自由电子空穴对就湮灭了，重新变成一个共价键的价电子

• 载流子的浓度

本征半导体的导电能力是和载流子的浓度相关

 ☆温度加高，本征激发速度越快，本征半导体中载流子的浓度就上升，

 ✪温度从T0到T1，浓度变化，最后到一个平衡值（动态平衡）（本征激发的速度和复合的速度近似）

复合的速度和载流子浓度有相关性

例子：空教室两个人蒙眼，乱跑撞一起的概率小，和空教室100个人蒙眼，撞一起的概率大

（温度上升，本征激发加大（此时复合还未加大）使得载流子的浓度加大，数目增高，复合再增加），使浓度到达一定程度，复合和激发就变得平衡了

• 杂质半导体

概念：掺入少量的杂质元素

•  N型半导体（negative charge负电荷）

掺入磷P（5价元素）（少数的P可以取代原来四价的位置，周围还是四价）

 掺入一点导电性能大大提高

多子，自由电子（负电negative charge）

少子，空穴

少子比本征状态下的少子要少

 ✪温度对N型半导体的影响不大，本身的多子已经是本征的上百万倍；温度对少子的影响很大，少子是空穴，由自由电子挣脱产生

与少子相关，受温度影响大；与多子相关，受温度影响较小。

施主原子固定在晶体结构中，不参与导电，提供自由电子

• P型半导体（ positive charge正电）

掺入硼，多子为空穴，少子为自由电子

（与N型对比）

PN结的形成

大的核都不会动，只有空穴和自由电子会动

*加PN方向正电压，耗尽层减小；加PN方向反电压（NP方向正电压），耗尽层增大

*无电场作用时，边界浓度差很大，高浓度区（电子）向低浓度区扩散

（扩散运动）

 电子与空穴复合后，在中间形成负离子区和正离子区，由于电荷存在形成空间电场

 由于电荷存在形成空间电场

*（+3带4个电子，所以呈现负电；+5带4个电子，所以呈现正电）

*在空间电场（耗尽层）的作用下，载流子发生运动，叫做漂移运动

P区是硼，N区是磷

相互湮灭；

 在中间打完变成“无人区”

 ✪离得近的自由电子和空穴相互湮灭的力大于空间电荷区的电场力；离得远的，受空间电荷区的阻力不能再复合，过不去了；（来了就被一脚踹回去）

多子之间是势垒，少子之间是坑

1.扩散运动 （ 多子的运动）

2.空间电荷区：耗尽层，阻挡层，PN结

3.漂移运动 （ 少子的运动）N区的空穴向P区和P区的自由电子向N区

4.对称结和不对称结

PN结的导电性

Vp>Vn

电流和电压方向相同

外加的电场，相当于消掉势垒，降线了，削弱了内电场的作用，使耗尽区变窄，电流快速增大

电阻作用：使电流I不会超过U/R（防止PN结烧掉）

Vp<Vn

电流和电压方向相同

 外加的电场，相当于加高势垒，升线了，增强了内电场的作用，增强漂移运动，使耗尽区变宽，电流小的可怜，但这个电流对温度特别敏感。Is:反向饱和电流 与少子浓度（很低）有关

本征激发（温度）Is很少，趋于0

PN结的电流方程

 

 UT是温度当量，适温下UT等于26mv

Ge 0.1V~0.3V   Si 0.6V~0.8V(一般按0.7V)

锗管反向电流比硅管大的多

PN结的伏安特性

i=f(u),通过改变电压大小来改变电路中电流iD和VD的一个分布

正向电流：电压增大迅速调集很多电子，使电流迅速增大

反向饱和电流：少子漂移运动（主要跟浓度有关，少子数目少，数目一定时电压大小变化，电流大小几乎不变）；受温度影响大受电压影响小

 

1.正向特性

死区：加的正向电流没有克服扩散运动的阻力，正向电流很小几乎为0；开启电压0.5v（硅）

Von导通电压：硅（0.7V）

2.反向击穿  V（BR）

• 1.雪崩击穿（掺杂浓度低）

外电场加速某一电子，撞击产生链式反应

掺杂浓度低时，pn结很宽时，漂移运动加速，少子中的自由电子可能会撞开共价键上的电子，自由电子瞬间变多，把PN结击毁

温度越高，所需击穿电压越高（需要形成粒子加速，加速时间大，加速形成大；温度升高，晶格会振动变大，使自由电子加速形成路径变短（因为会碰到那些振动的））

• 2.齐纳击穿（掺杂浓度高）

内电场加速某一电子，撞击产生链式反应

掺杂浓度高时，PN结很窄，场强很大，价电子可能会被直接捞出来

温度越高，所需击穿电压越低（温度越高，价电子越容易拉出来）

击穿，由于P热功率，

击穿后，若温度没达到损坏状态，则还没坏

再过热击穿就完了（二次击穿）

通过掺杂不同浓度来制作反向电压稳压二极管

蓝色为温度，反向特征受温度影响更大

电容（当两侧电压变化时，当中储存的电荷在变化）

  PN结的电容效应

1.势垒电容Cb

2.扩散电容Cd

 3.PN结

 知识点

半导体二极管

二极管的伏安特性曲线

 (1)正向特性 uD  > UD(on)   iD，呈指数规律

（2）反向特征 U（BR）<  uD < 0

      iD  =   -Is       uD <  -U(BR)

反向电流急剧上升

导通电压希望越小

稳压二极管

限流电阻的选择 

 

例题:

1.大题电路分析

1.5V > 12V

2.单选 

小总结 

 其他二极管

晶体三极管 

*场效应管只在N区流动（单极型晶体管）

*三极管在两个区间流动（双极型晶体管）

双极性晶体管

两入一出 NPN    一入两出 PNP

 向下V由大变小 NPN         向上V由大变小   PNP   

 三极管放大条件

原理

加Vcc时加强漂移运动，由于Ibn在B区积累了大量电子，电子由B区向C区大量移动

Icbo是C区的少子空穴形成

 (1)晶体管内部载流子的运动规律

 Icbo的方向与Ib相反（因为拐弯了）

(2)参数定义

 分母为输入，分子为输出

 B射CB  a基CE 

输入输出特征曲线

 UCE和UBE之间的“博弈”

 

 随着Uce增加电子被拉到集电极（C区）

要想保证ib不变（平移ib不变时的比较），就需要一个更大的Ube来争夺

由于UBE的工作电压在0.7V，在UCE >=1V时，几乎所有电流都参与形成Ib，UCE再增加UCE就几乎不变化了

由于ic=ib;，所以ic 小ib就小，ic 大ib就大

工作状态及判定

 

 NPN型/PNP型  正偏:P区大于N区；反偏：N区大于P区

 

截止区ib=0、ic 趋于0 

 

 

 

 

 

例题 

硅管：0.5V开启 0.7V导通

 

 

 硅 0.7V   锗 0.2V

 场效应管（单极型晶体管）

加PN方向正电压，耗尽层减小；加PN方向反电压（NP方向正电压），耗尽层增大

Ugs控制通道，UDS是变量

；结型

；绝缘栅型

前言    双极型晶体管：电流控制元件；单极型晶体管：电压控制元件

概述

结型场效应管

工作原理 

（栅极g，P区浓度很大；

导电沟道N区浓度远小于P区

，所以反偏变化，N区的变化会很大）

  工作时电压要小于,不能被夹断

加反向电压减弱多子扩散运动，增强少子漂移运动 ，使耗尽层扩大

 ，，使均匀的由P向N扩大

 N沟道和P沟道对称  N沟道 

由于UDS低端接地，会产生压差，|UDS|>|USG|  上面的扩散更厉害

UDS控制上面的PN结大小 

 R不变，越大，越大

通过控制   越大越小， 越小越大

耗尽层相当于体电阻

前提：过了预夹断

*UDG增大，夹断区增大， 减小，UGS确定时，UDS增大，增大，恒流，基本受UGS控制

*场效应管只在N区流动（单极型晶体管）

*三极管在两个区间流动（双极型晶体管）

输出特征曲线

控制沟道的大小

由于增大时电阻也增大，恒流只收控制

过大会击穿

可变电阻区（非饱和区），恒流区（饱和区）

*转移特性曲线（UGS和电流的关系）

对比预夹断轨迹

 结型场效应管存在缺点

 

绝缘栅型场效应管

 N沟道增强型MOS管

N沟道：从衬底指向沟道

 由于，上面由金属电极，上正下负，使电子向扩散，在上部的少子电子，变成多子电子形成反型层，电压增大到开启电压时，反型层才形成

 ugd<uT   ugs>VT

通过Ugs控制通道，Uds判断

输出特征曲线

一开始没有沟道，Ugs=UT才形成沟道

 *转移特征曲线

 N沟道耗尽型MOS管

预埋了沟道

 *输出和转移特征曲线

对比总结

分析Id与UGS曲线，UDS为变量

结型UGS<0，增强型MOS管UGS>0，耗尽型MOS管UGS有正有负

 场效应管参数