mos管的栅极g,源极s，漏极d，衬底B

mos管的栅极g,源极s，漏极d，衬底B

重要参数

$$v_g{}_s,v_d{}_s,i_d$$

分别是栅源电压，漏源电压，和漏极电流

主要位置

衬底B为了避免存在漏电的风险，一般和漏极d相连。

mosfet的工作原理

​ mosfet可以导电首先要求$v_g{}_s$可以满足条件形成导电沟道，也就是$|v_g{}_s|$足够大，可以开启导电沟道，使得漏极源极之间导通；这时电路可以说已经是导通的了，所以可以在电路中加上电压$V_d{}_s$,这时就会产生电流，一般把电流$i_d$当作衡量值。

​ 这时如果用图表来描述各变量和$i_d$的特性的话,一个将体现出$v_g{}_s$在为开启了导电沟道之间的一个值的时候，可以发现无论如何$v_d{}_s$如何增大，这时$i_d$的最大值始终都几乎是一个固定值（不论$v_g{}_s$如何增大，$i_d$的增量几乎可以忽略不计）；但是当观察$v_g{}_s$和$i_d$的变化的时候可以看到，$v_g{}_s$的增大会引起$i_d$的大幅度变化（当然，依旧是有极限值的，只是一般不考虑），仿佛明明是$v_d{}_s$提供的电压用来输出$i_d$的，但此时好像$i_d$的取值和$v_d{}_s$无关了，$i_d$的增加都是由$v_{gs}$造成的，此时称为转移特性。

​ 最重要的就是以上两个图表，以及图表对应的斜率等信息。

其他几种mos管

​ 上述所讲的的是N沟道增强型mos管；也有一种N沟道耗尽型mos管，指天生就具有导电沟道（参杂了对应的半导体例子），被曾为耗尽型的原因可能是有时要利用这种特性使得$v_{gs}$为负，减小$i_d$。

​ 也有p沟道对应的管子p沟道耗尽型，注意此时是$v_{gs}$为负时刻才开启导电沟道即可。