单片机中的存储器讲解

单片机中的存储器

常用的存储器

易失性存储器RAM

RAM，随机访问存储器(Random Access Memory)，易失性存储器，它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。它的作用是当开机后系统运行占一部分外，剩余的运行内存越大，手机速度越快，运行的程序越多，剩余越少。

SRAM

静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种，所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。但是掉电了就会丢失

速度非常快，一般用在电脑的CPU，高速缓存

DRAM

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory），最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新一次，所以一般会给他配一个扫描电路，每隔一段时间就扫描数据并给他补电，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

SRAM 比较快、贵

DRAM 比较慢，便宜

非易失性存储器ROM

Mask ROM

只读存储器

PROM

Programmable ROM：可编程ROM，只能被编程一次

EPROM

Erasable Programmable ROM，EPROM：可擦写可编程ROM，擦写可达1000次

紫外线照射30min就可擦除

E2PROM

Electrically Erasable Programmable ROM：电子可擦除EPROM

Flash

闪存（flash memmory）：基于EEPROM，它已经成为一种重要的存储技术。固态硬盘（SSD），U盘（软盘），光盘等

const 修饰的全局变量，它是只读的，存放在 flash 中的只读数据区域

NOR Flash

用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本

读取的速度较快，但写入的速度慢

根据外部接口分，可分为普通接口和SPI接口的Nor Flash，多数支持CFI接口，所以，一般也叫做CFI接口

NADN Flash

它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

写入的速度快、价格较低

固态硬盘（Solid State Drive, SSD）也是以 NAND 型 Flash 为基础所建构的储存装置

单片机里全局变量、局部变量、堆、栈的存储区域

区域介绍

区域	作用
内存栈区	存放局部变量名
内存堆区	存放new或者malloc出来的对象
文字常量区	存放局部变量或者全局变量的值
（全局区）静态区	用于存放全局变量或者静态变量
代码区	二进制代码

栈区

stack

RW

通常是用于那些在编译期间就能确定存储大小的变量的存储区，

栈的大小是有限的，通常Visual C++编译器的默认栈的大小为1MB，所以不要定义int a[1000000]这样的超大数组。

堆区

heap

RW

它与数据结构中的堆是两回事，分配方式类似于链表。

如果程序员分配了却没有释放掉，那么就会出现常说的内存泄漏问题。

内存碎片：

需要注意的是，两个紧挨着定义的指针变量，所指向的malloc出来的两块内存并不一定的是紧挨着的，所以会产生内存碎片。

另外需要注意的一点是，堆的大小几乎不受限制，理论上每个程序最大可达4GB。
每个线程都会有自己的栈，但是堆空间是共用的。

	堆heap	栈stack
分配方式	一般由程序员分配释放， 若程序员不释放，程序结束时可能由OS回收 。	由编译器自动分配释放
存储空间是否连续	否，一般由malloc（或new）函数来分配内存块，并且需要用free（delete）函数释放内存。	是，两个紧密挨着定义的局部变量，他们的存储空间是紧挨着的。
生长方向	按内存地址由低到高方向生长，其大小由系统内存/虚拟内存上限决定，速度较慢，但自由性大，可用空间大。	按内存地址由高到低方向生长，其最大大小由编译时确定，速度快，但自由性差，最大空间不大。
存储的类型	那些在编译期间不能确定存储大小的变量的存储区	用于在函数作用域内创建，在离开作用域后自动销毁的变量的存储区。通常是局部变量，函数参数等的存储区。

静态区

static

RW

全局变量和静态变量的存储

初始化的放在 RW（可读可写）区域

未初始化的放在相邻的 ZI区域（零初始化数据区）

代码区

RO-只读（ReadOnly）

code

存放函数体的二进制代码

常量区

RO

常量字符串就是放在这里的

被包含在flash中，程序结束后由系统自动释放

内存分区分类

单片机内存被总分为flash(rom)和sram（ram）

flash里面的数据掉电可保存，sram中的数据掉电就丢失，sram的执行速度要快于flash，flash容量大于sram

我们正常下载程序都是下载存储进flash里面，这也是为什么断电可保存的原因

四个区域

单片机的程序存储分为code(代码存储区)、RO-data(只读数据存储区)、RW-data(读写数据存储区) 和 ZI-data(零初始化数据区)

• Flash 存储 code和RO-data

• SRAM存储 RW-data 和ZI-dat

  const 修饰的全局变量，它是只读的，存放在 flash 中的只读（RO）数据区域

  在编译后可以看到

  

	FLASH
Code（.text）	程序代码部分	程序代码区(code)
RO-data（.data）	存储const常量和指令	文字常量区
	SRAM
RW-data （.data）	存储初始化值不为0的全局变量，静态变量	栈区（stack）堆区（heap）全局区（静态区）（static）
ZI-data（.bss）	存储未初始化的全局变量或初始化值为0的全局变量，静态变量