研二文献阅读报告（一）

        这是测试和仿真所用器件的原理剖面图，用到的工艺是0.18微米的PDSOI。所用到的结构是以传统横向SCR结构为基础，并在N阱P阱结上桥接了一个栅电极，从而能够降低器件的触发电压。器件分为左右两部分，左边由N阱和一对参杂类型不同的高参杂区域构成，右边由P阱和一对相似的一对参杂区域构成。

        这是器件在不同工作温度下，由专用仪器测得的TLP IV曲线，从图中可以看到器件的触发电压和维持电压，随着温度的升高都呈现出下降的趋势，文章通过TCAD仿真方法得到器件内部物理量的参数分布，从而对这一现象进行分析和讨论，从而对器件的特性温度相关性由更深入的了解。

        这是由TCAD软件得到的仿真结果，仿真用到了一种叫做多重电流脉冲仿真的方法，在该方法中，使用了特定的PWL来产生TLP电流脉冲，并施加在阳极上进行仿真。

        这是测试和仿真得到的触发电压和维持电压随温度变化的对比，两者的差距来自于栅电极偏压的不同，测试用到的是1.5V偏压，仿真用到的是1.0V偏压。尽管如此，两者都体现了一致的随温度变化趋势，也即无论是触发电压还是维持电压，随着温度的升高都呈现出下降的趋势。

        这是SCR的等效电路，两幅图分别表示寄生晶体管开启前后的电流路径。当晶体管未开启时，电流流经N阱P阱结，由于此时的PN结处于反便，只有很小的电流通过，器件处于高阻抗态；当PN结发生雪崩击穿后，产生了大量的电子和空穴，随之而来的是电流的上升，于是晶体管发射结两端的压降上升到足以开启晶体管时，器件的电流导通能力大幅提高，器件处于低阻态。

        这是在TCAD仿真中器件在触发前和维持状态时内部电流分布，从中可以对器件工作的物理过程进行说明。因为NPN晶体管的增益大于PNP晶体管，于是NPN更容易被开启（这是论文中的观点，但实际上晶体管的增益并不会影响其开启的难易程度，反倒是因为不同类型的半导体材料的电阻率不同，导致阱电阻的不同，从而影响了不同晶体管发射结的压降不同，才导致了晶体管导通时间有不同）。 当NPN开启后，由于正反馈作用，使得PNP能在较短时间内开启。从第一幅图中可以看到，流经N阱电阻的电流明显大于流经P阱电阻的电流。

        由于NPN开启早于PNP，于是触发电压由NPN的开启条件决定，而维持电压由PNP的开启决定。而寄生晶体管的开启取决于发射结是否正偏，于是可以对发射结正向导通的阈值进行研究。如图为寄生PNP与寄生NPN发射结在不同温度下施加偏压初期的静电势能分布。可以明显看到不论是寄生PNP还是寄生NPN，其发射结的阈值都随着温度的升高而降低，也就说明了晶体管能够在更高温度时更早开启。

        这是器件内在不同温度时的载流子迁移率变化曲线，左侧表示在触发状态时N阱电阻的载流子迁移率随温度的变化关系，而右侧表示在维持状态时P阱电阻的载流子迁移率随温度变化关系。分析其物理机理，由于温度的升高，器件内部的散射过程加剧，使得载流子迁移率不断下降，最终导致N阱电阻和P阱电阻增大，导致寄生晶体管的发射结偏压增大，最后影响其开启时间。

        这是在不同温度下器件处于触发和维持态时，内部电流密度随着温度变化的分布。可以看到，当温度升高时，器件触发和维持态的电流出现了下降趋势，从侧面也说明之前所做讨论的正确性。

        这是近期要进行仿真的器件的sde建模，参照了文献中的器件结构。但有一些小问题，即栅电极接触处于阴极接触的正上方，可能会出现不收敛的情况，仔细观察了一下文献中的器件，并没有这种问题，于是在仿真前需要对模型进行一定的修改。

        文献于2021年的MICROELECTRONICS RELIABILITY上发表，标题为Study on the high-temperature triggering and holding characteristics of PDSOI SCR devices。这篇文章的意义在于对SCR ESD防护器件的触发维持特性的温度相关性进行了更深入的探究，并采用TCAD仿真的方法模拟了器件内部的情况，从而更好地对物理机制分析提供可靠依据，填补了以往在这方面研究的空白。