- 博客(7)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 研二文献阅读（五）
这篇文章是2023年发表在micromachine上的文章，主要是提出了一种新型的DTSCR器件，通过结构创新来使得器件的电流泄放能力得到提高，算是在新型器件结构的一种新的尝试。这是一种新型的DTSCR器件，其通过构建一个对称的SCR结构，得到了两条ESD冲击路径，从而增大了电流泄放能力，提高了器件的失效电流。这是传统的二极管触发SCR器件，可以看到其与新型器件的区别在于，其内部只有一条单独的泄放通路，以及一个寄生SCR结构。如图所示为器件二极管导通前后时的电流分布。
2024-10-15 15:34:28
168
原创 研二文献阅读（四）
这篇文章发表在1999年的solid-state electronics，是介绍DTSCR器件较早的论文，其中的观点放在现在也不过分，例如DTSCR器件的其中一条优势在于改变了器件触发机制，提高了器件的使用寿命，并且通过改变二极管的串联数量来改变器件的触发电压等等，但也有不足的地方，例如没有进行不同器件之间的对比，以及器件的特性难以通过量化的手段进行表现，同时论文中也有表达不清晰指代不明确的问题，总的来说作为了解DTSCR工作机制的需求来看，也算是能够发挥一定的作用。
2024-10-12 17:38:54
365
原创 器件仿真学习记录（一）
为了使得从像sentaurus process的TCAD sentaurus工具中得到的包括了掺杂信息的器件结构，能够和garand和garand mc相兼容，使用了sentaurus process的张量网格转换。在工艺仿真中，工艺步骤例如刻蚀，淀积，离子注入，热退火，以及氧化是基于物理方程进行仿真的，而这些物理方程也决定着不同的工艺步骤。特别地，sentaurus interconnect标出了在互连结构中的热源，而其对于间隙，连接中断和裂开的产生，是由像应力和温度漂移等的物理现象导致的。
2024-09-10 21:46:24
2025
原创 研二文献阅读（三）
通过提取多脉冲仿真TLP IV曲线和实测TLP IV曲线的特征参数，可以看到该仿真方法对于实际器件的特征预测是具有一定说服力的，也为今后类似的研究工作提供了一种较为有效的方法。今天要讲的论文主要介绍的是和实测TLP对应的TLP仿真的实验方法，在某些场景下可以进行器件参数变化趋势的预估。这是使用单脉冲TLP瞬态仿真得到的IV曲线图和实测TLP IV曲线的对比，有一定的符合度，但是局部的数值差距还是挺大的。这是得到的多脉冲仿真的IV曲线和实测TLP曲线的对比图，可以看到曲线还是具有很好的符合度的。
2024-09-08 20:26:16
188
原创 研二文献阅读（二）
这是传统的LDMOS DDSCR的器件结构，主要有三部分组成，最左边是包裹着P+和N+区域的P阱，中间是包含着N+区域的N阱，最右边同样也是包含着N+和P+的P阱，要注意中间的N阱是将两个P阱包含起来的，最后其实还有一个P型衬底以及在表面形成的栅氧和STI。这是改良版器件的电流分布图，可以看到在N阱部分的P+区域的有明显的电流集中的现象，使得原本处于表面的电流的路径更加分散，从而缓解了热量的集中，有利于电流的泄放，从而增大器件的失效电流。其次是从最高温度的角度来看，也有了比较好的改善。
2024-09-08 14:45:50
1277
原创 origin极简入门教程
导入数据后，最简单的绘图方法是：全选book中的数据（表格有颜色变化），在菜单栏中选择绘图，并选择合适的图样后，可以得到对应的garph文件。其中左边是要绘制的图表类型，右边的每一行对应book中的每一列，同时可以设置x轴y轴误差以及label，将合适的数据设置为x轴和y轴后，在下面选择图层后点击添加，再点击应用后可以得到对应的图线，最后点击确定。对坐标轴的格式进行设置，可以双击坐标轴，在对话框中可以对坐标轴的起始和终止以及间隔进行设置，垂直坐标轴的设置是类似的，同理标题网格以及轴线和刻度线也可进行设置。
2024-09-06 17:54:42
599
原创 研二文献阅读报告（一）
因为NPN晶体管的增益大于PNP晶体管，于是NPN更容易被开启（这是论文中的观点，但实际上晶体管的增益并不会影响其开启的难易程度，反倒是因为不同类型的半导体材料的电阻率不同，导致阱电阻的不同，从而影响了不同晶体管发射结的压降不同，才导致了晶体管导通时间有不同）。这篇文章的意义在于对SCR ESD防护器件的触发维持特性的温度相关性进行了更深入的探究，并采用TCAD仿真的方法模拟了器件内部的情况，从而更好地对物理机制分析提供可靠依据，填补了以往在这方面研究的空白。
2024-09-02 09:47:54
1720
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人