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RSS订阅原创 使用B1500测量器件电容简单教程
选择CMU校准，第一个是相位校准，需要将测试引脚悬空，再点击measure；第二个是开路校准，同样需要将测试引脚悬空；第三个是短路引脚，需要将测试引脚短接，再点击measure，最后点击三角符号，进行电容测量。进入测试界面，对测试过程中的参数进行设置，例如起始偏压和最终偏压以及步长，还有频率以及积分时间模式设置为PLC，能够提高精度，可以根据需求进行设置。选择C-V测试模块后，进入频道定义界面，进行MU的设置。最后进入显示界面，将偏压设置为横轴，电容设置为纵轴，以及添加显示列表等。
2024-12-22 20:28:59
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原创 研二文献阅读（十）
这幅图表示的是不同D1值对HH-LVTSCR器件TLP IV特性曲线对比，相较于传统LVTSCR器件，相同D1值的情况下，其维持电压分别提高了66%、66%、60%以及29%，从中可以看到对于更大的D1值，HH-SCR器件的维持电压的提高幅度有所下降，这是因为更大D1值导致了流经表面二极管-NPN路径的电流占比下降，这也说明了维持电压的高低和电流在两条路径的占比有关，这两条路径分别死二极管-NPN路径和SCR路径。
2024-11-12 19:22:11
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原创 研二文献阅读（九）
SCR器件因其出色的ESD鲁棒性，以及优秀的单位面积失效电流而受到广泛关注。这幅图是LSCR器件的版图，也可以理解为器件的俯视图，红色区域代表了高掺杂浓度的N+区，绿色代表了高掺杂浓度的P+区，可以在器件结构图中找到对应的区域，这幅图代表了在传统版图中的拓扑结构，也即N+区和P+区同时呈现长条状，为了后面的描述方便，将长条状分成了若干等间距的块状区域，并且要明确的是，这幅图中左边的P+区代表的是寄生PNP晶体管的发射区，而右边的N+区代表的是寄生NPN晶体管的发射区，明确这一点对于后面的讨论有重要意义。
2024-11-11 16:27:07
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原创 研二文献阅读（八）
如图所示，这是器件在ESD事件中其最大温度随着电流变化的关系曲线，可以看到在电流逐渐上升的过程中，最大温度出现了一个驼峰状的波动，波动的最大值表示器件进入了区域一的状态，随着滞回现象的发生，其器件电压有很显著的下降，于是其最大温度也有所下降，而随着器件进入区域二的状态，以及电流的逐渐上升，最大温度有开始呈现出上升趋势。这幅图显示了外延层厚度对器件二次击穿电流的影响，可以看到随着外延层厚度的减小，二次击穿电流出现了下降，并且当N+和P+区域分隔距离增大时，其二次击穿电流也会减小。
2024-10-29 18:45:35
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原创 研二文献阅读（七）
其实，从另一方面也能够说明，当下对于芯片在生产和组装的环境下的ESD事件水平已经能够有效控制了，这也是为什么能够降低芯片的ESD标准的根本原因，但是当芯片处于不同工作环境时，由于缺乏ESD事件的控制条件，于是需要有一定的ESD防护措施，而此时需要芯片作为一部分的系统的ESD水平需要达到一定的要求，又因为芯片不直接和外界接触，这样就只需要在外围电路进行ESD防护的部署就能达到要求。这幅图说明的是随着时间的推移，芯片的工艺制程在逐渐减小的情况下，达到不同水平的HBM水平的花费的变化趋势。
2024-10-28 21:07:48
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原创 研二文献阅读（六）
而改进的TLP测试方法的波形有更小的上升时间，从而在单位时间内产生更多的能量，可以将能量平均地分布在不同的SCR结构中，从而实现大部分器件的开启。这是文章提出的MLSCR的改型，其明显不同在于在中间N+区下面加上了一层称为P-ESD的P型区域，由于P-ESD区域的掺杂浓度较P阱更大，于是这个器件的雪崩击穿电压要小于传统的MLSCR，从而其击穿电压更小。这是对P-ESD层的厚度进行调整后，测得的器件导通电阻和维持电压的变化情况，可以看到随着P-ESD层的厚度逐渐增大，其导通电阻和维持电压都有一定的下降。
2024-10-27 22:31:31
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原创 研二文献阅读（五）
这篇文章是2023年发表在micromachine上的文章，主要是提出了一种新型的DTSCR器件，通过结构创新来使得器件的电流泄放能力得到提高，算是在新型器件结构的一种新的尝试。这是一种新型的DTSCR器件，其通过构建一个对称的SCR结构，得到了两条ESD冲击路径，从而增大了电流泄放能力，提高了器件的失效电流。这是传统的二极管触发SCR器件，可以看到其与新型器件的区别在于，其内部只有一条单独的泄放通路，以及一个寄生SCR结构。如图所示为器件二极管导通前后时的电流分布。
2024-10-15 15:34:28
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原创 研二文献阅读（四）
这篇文章发表在1999年的solid-state electronics，是介绍DTSCR器件较早的论文，其中的观点放在现在也不过分，例如DTSCR器件的其中一条优势在于改变了器件触发机制，提高了器件的使用寿命，并且通过改变二极管的串联数量来改变器件的触发电压等等，但也有不足的地方，例如没有进行不同器件之间的对比，以及器件的特性难以通过量化的手段进行表现，同时论文中也有表达不清晰指代不明确的问题，总的来说作为了解DTSCR工作机制的需求来看，也算是能够发挥一定的作用。
2024-10-12 17:38:54
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原创 器件仿真学习记录（一）
为了使得从像sentaurus process的TCAD sentaurus工具中得到的包括了掺杂信息的器件结构，能够和garand和garand mc相兼容，使用了sentaurus process的张量网格转换。在工艺仿真中，工艺步骤例如刻蚀，淀积，离子注入，热退火，以及氧化是基于物理方程进行仿真的，而这些物理方程也决定着不同的工艺步骤。特别地，sentaurus interconnect标出了在互连结构中的热源，而其对于间隙，连接中断和裂开的产生，是由像应力和温度漂移等的物理现象导致的。
2024-09-10 21:46:24
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原创 研二文献阅读（三）
通过提取多脉冲仿真TLP IV曲线和实测TLP IV曲线的特征参数，可以看到该仿真方法对于实际器件的特征预测是具有一定说服力的，也为今后类似的研究工作提供了一种较为有效的方法。今天要讲的论文主要介绍的是和实测TLP对应的TLP仿真的实验方法，在某些场景下可以进行器件参数变化趋势的预估。这是使用单脉冲TLP瞬态仿真得到的IV曲线图和实测TLP IV曲线的对比，有一定的符合度，但是局部的数值差距还是挺大的。这是得到的多脉冲仿真的IV曲线和实测TLP曲线的对比图，可以看到曲线还是具有很好的符合度的。
2024-09-08 20:26:16
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原创 研二文献阅读（二）
这是传统的LDMOS DDSCR的器件结构，主要有三部分组成，最左边是包裹着P+和N+区域的P阱，中间是包含着N+区域的N阱，最右边同样也是包含着N+和P+的P阱，要注意中间的N阱是将两个P阱包含起来的，最后其实还有一个P型衬底以及在表面形成的栅氧和STI。这是改良版器件的电流分布图，可以看到在N阱部分的P+区域的有明显的电流集中的现象，使得原本处于表面的电流的路径更加分散，从而缓解了热量的集中，有利于电流的泄放，从而增大器件的失效电流。其次是从最高温度的角度来看，也有了比较好的改善。
2024-09-08 14:45:50
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原创 origin极简入门教程
导入数据后，最简单的绘图方法是：全选book中的数据（表格有颜色变化），在菜单栏中选择绘图，并选择合适的图样后，可以得到对应的garph文件。其中左边是要绘制的图表类型，右边的每一行对应book中的每一列，同时可以设置x轴y轴误差以及label，将合适的数据设置为x轴和y轴后，在下面选择图层后点击添加，再点击应用后可以得到对应的图线，最后点击确定。对坐标轴的格式进行设置，可以双击坐标轴，在对话框中可以对坐标轴的起始和终止以及间隔进行设置，垂直坐标轴的设置是类似的，同理标题网格以及轴线和刻度线也可进行设置。
2024-09-06 17:54:42
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原创 研二文献阅读报告（一）
因为NPN晶体管的增益大于PNP晶体管，于是NPN更容易被开启（这是论文中的观点，但实际上晶体管的增益并不会影响其开启的难易程度，反倒是因为不同类型的半导体材料的电阻率不同，导致阱电阻的不同，从而影响了不同晶体管发射结的压降不同，才导致了晶体管导通时间有不同）。这篇文章的意义在于对SCR ESD防护器件的触发维持特性的温度相关性进行了更深入的探究，并采用TCAD仿真的方法模拟了器件内部的情况，从而更好地对物理机制分析提供可靠依据，填补了以往在这方面研究的空白。
2024-09-02 09:47:54
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空空如也
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