器件仿真学习记录（一）

训练

工具总览

什么是TCAD

TCAD和半导体产业

工艺计算机辅助设计（TCAD）就是是使用电脑仿真来改进和优化半导体工艺技术和器件。TCAD仿真工具可以解出存在于半导体器件中的硅晶圆或者layer system中的基础的物理偏微分方程，例如离散几何的扩散和输运方程。这些密集的物理拟合使得TCAD仿真有能够预测的准确性。

因此，使用TCAD计算机仿真来代替在改进和对新的半导体器件或工艺进行特征提取时需要对晶圆进行的费时费力的测试成为可能。

TCAD仿真在半导体产业中被广泛应用。随着工艺越来越复杂，半导体产业也越来越依赖于TCAD来减少成本以及加快研究和改进过程。另外，半导体厂商使用TCAD来进行场分析，通过监控分析以及优化IC工艺流程，同时分析IC工艺变量参数的影响。

TCAD包括两个主要分支：工艺仿真和器件仿真。

工艺仿真

在工艺仿真中，工艺步骤例如刻蚀，淀积，离子注入，热退火，以及氧化是基于物理方程进行仿真的，而这些物理方程也决定着不同的工艺步骤。这些硅晶圆的仿真部分是离散化的（网格化），同时也以有限元结构的形式出现。

例如，在热退火的仿真中，每个掺杂类型的复杂扩散方程都在这些网格中进行求解。对于氧化仿真，氧化硅的生长在仿真时要考虑氧化扩散，边角的机械应力等因素。

器件仿真

器件仿真可以看作是一个半导体器件（例如晶体管或二极管）的电学性能的虚拟测量。器件是以网格化结构的形式呈现的。器件的每个点都有其相关属性，例如材料类别，掺杂浓度。对于每个点，其载流子浓度，电流密度，电场强度，产生和复合速率等都可以被计算出来。

电极接触是一个这样的区域，即将例如电压的边界条件施加的区域。器件仿真解出泊松方程和载流子连续性方程（可能有其他方程）。在解出了这些方程后，最后的位于接触的电流被提取出来了。

TCAD工具

sentaurus workbench

sentaurus workbench是将sentaurus仿真工具整合在一个环境的图形化前端。其用户交互界面被用来为半导体研究和制造进行设计组织和运行仿真工作。从而仿真被综合性地整合进了项目中。

一个仿真流程通常包括一些工具，例如工艺仿真器sentaurus process，网格划分工具sentaurus mesh，器件仿真器sentaurus device以及作图和分析工具inspect。

sentaurus workbench自动管理从一个工具到另一个工具的信息流。这包括用户预处理输入文件，参数化项目，设置和处理工具实例以及查看结果。

sentaurus workbench能够定义参数和变量来进行综合参数分析。数学和逻辑表达式的使用使得可以动态地进行预处理仿真输入。最后的数据可以用统计和表格软件进行处理。

sentaurus process

sentaurus process是一个综合以及高度复杂的多维度工艺建模环境。通过大范围的最新的实验数据以及使用证实过的校验方法进行了校验，sentaurus process为现代硅和非硅技术提供了预测的能力。

sentaurus process包括了对sentaurus structure editor的三维刻蚀和淀积能力，仿真锗硅合金和受限硅的晶格失配模型以及门特卡罗注入，解析注入和损伤模型以及最先进的扩散模型的交互界面。

在sentaurus process中使用的alagator描述语言可以快速建立新的扩散模型，这也使得sentaurus process成为用作校验目的的非常方便的工具。

sentaurus topography 3D

sentaurus topography 3D是一个对于评估和优化严格拓扑工艺流程步骤（例如刻蚀和淀积）的三维仿真器。

sentaurus topography 3D的二维模式对于二维结构的物理模型也是可行的。因此，二维和三维结构可以得到一致结果的仿真。

sentaurus topography 3D对于先进刻蚀和淀积模型的功能是基于sentaurus process和sentaurus interconnect工具。这样的整合使得sentaurus process和sentaurus interconnect的用户更好地容纳一个或多个刻蚀和淀积工艺步骤到其仿真流程中，而不用为sentaurus topography 3D去创建单独的命令文件和仿真节点。

另外，先进的平面工艺可以使用sentaurus topography 3D以及通过调用其内部的sentaurus lithography 命令来进行仿真。

sentaurus structure editor

sentaurus structure editor是一个2D和3D器件编辑器，以及3D工艺仿真器。它有三个不同的操作模式：2D结构编辑，3D结构编辑以及3D工艺仿真。几何与工艺仿真操作可以自由地组合在一起。

在用户界面，2D和3D器件模型能够使用2D或3D基础结构例如矩形，多边形，立方体和球进行几何上的构建。三维区域同样能通过二维物体的挤压或者二维物体通过扫过一段路径来构建。

sentaurus structure editor提供了先进的可视化功能。当结构被构建后可以被显示出来，而强大的视觉选择器能够仅仅选择区域的一部分，或者是的特定的区域变成透明。

掺杂侧面和网格策略可以交互地定义。放置后的部分是可以看见半透明的方形区域从而更好地识别。网格产生工具sentaurus mesh的所有的掺杂和网格选项都是支持的。

用户界面具备了一个命令行窗口，在这里sentaurus structure editor将用户界面操作对应的脚本命令打印出来。脚本命令也可以直接在命令行窗口进行输入。

sentaurus mesh

TCAD sentaurus提供了先进的自动网格生成的方法。

sentaurus mesh是对于2D和3D器件的一个高质量空间离散网格的模组化的德劳内网格产生器。它整合了轴对称网格产生器和张量积网格产生器。

sentaurus mesh可以产生在工艺和器件仿真中用于离散方法使用的网格。这些网格不仅仅应用于几何，也用在掺杂浓度来获得陡峭的梯度。

sentaurus device

sentaurus device可以仿真半导体器件的电学，热学，以及光学特性。它是处于领先地位的器件仿真器，并可以利用紧凑模型和数字化器件来处理1D，2D，和3D几何结构，混合模式电路仿真。它提供了一个综合的物理模型集合，可以应用于所有相关的半导体器件和工作情形。

sentaurus device被用于评估和理解一个器件如何工作以及优化器件和提取SPICE模型还有在改善循环的早期统计数据。sentaurus device的应用包括：

超深亚微米硅，sentaurus device有在100纳米以下工艺的可靠精度。

绝缘层上硅器件，sentaurus device以其稳定的收敛和准确度而被熟知。

双栅极和FinFET器件，量子输运成为现实。

锗硅合金，薄膜晶体管以及光电器件。

功率和射频半导体器件。

sentaurus device electromagnetic wave solver

sentaurus device electromagnetic wave solver是用于电磁波数字分析的仿真模组。这是一个基于有限差分时域方法的全波形时域仿真器。它被用于电磁波在固体介质的传播的仿真，并作为一个独立工具可以通过计算因为外部光源而在器件内部产生的载流子并电学器件仿真器进行连接。

sentaurus interconnect

sentaurus interconnect是一个高度复杂的多维的IC互连可靠性分析环境。利用其现代化的软件构架和能力的外延，sentaurus interconnect是一个先进的仿真工具。它提供了独特的对于现代硅和非硅工艺的预测能力，例如分析半导体互连结构的可靠性。

特别地，sentaurus interconnect标出了在互连结构中的热源，而其对于间隙，连接中断和裂开的产生，是由像应力和温度漂移等的物理现象导致的。这些可靠性问题在制造工艺和电路工作时会产生。

如果需要的话，一些命令可以选择物理模型和参数，网格策略以及图形输出喜好。另外，alagator脚本语言允许你描述和实施物理模型像热学，电学，以及群传输分析公式。

sentaurus visual

sentaurus visual是一个数据可视化和后处理的交互工具。其可以用来查看和分析数据，来产生包含信息的2D和3D视图，从而得到高质量呈现的图像和动画以便在网络上分享结果。

sentaurus data explorer

sentaurus data explorer是一个用于编辑和转换TDR格式文件的工具，而该格式是用来在TCADsentaurus工具之间进行数据交换的标准格式。

在命令行，你可以使用简单的命令来将文件转化成不同的格式，并且可以通过复制和修改文件生成新的文件。当在同一时间将很多的文件进行转化，以及使用很多文件或者脚本以及继续在其它工具中使用这些文件时是很方便的。

群模式使得你能够使用tcl/tk编程语言的复杂性来操作TDR文件数据。

inspect

inspect是一个用于xy数据例如半导体器件掺杂分布和电学特性进行作图和分析的工具。用户界面可以快速获取合适的曲线数据。脚本语言以及数学函数库使你可以对曲线进行计算以及操作和提取仿真用的数据。提取的数据可以返回sentaurus workbench用于以后的应用。

calibration kit

calibration kit是是一个可以扩展sentaurus workbench功能的软件包。它作为一个数据库浏览器（校验库包括离子质谱仪数据），也是一个仿真器和项目管理器。

calibration kit帮助你：

实现对工艺仿真器sentaurus process和tsuprem-4在一维的有效验证。

获得一个快速的，精确的，以及可靠的评估和优化工艺条件的方法。

理解工艺对不同控制参数的敏感度。

它能够得到工艺设备参数对电子器件影响的预测性分析以及能够使得你对设备进行有效的优化。

garand

garand是一个TCAD器件仿真器，它可以对独立的CMOS晶体管的电学特性进行建模。基本的仿真器是一个有限差分漂移扩散仿真器。garand同样也使用了量子校准的密度梯度来将器件结构的量子力学约束考虑当中。

garand在对静态变量进行建模的最初目的基础上进行改进。变量源和随机掺杂，线性边缘粗糙度，栅材料的多晶性以及表面陷阱电荷相关，它可以被激活以及从输入文件进行配置。

garand mc是对于器件的门特卡罗仿真器，使用了三维的有前后一致的全套的量子校准的门特卡罗引擎。它能在不同的默认的校准后的材料中同时仿真电子和空穴输运。

garand和garand mc都是在TCAD-to-SPICE产品家族的模拟器工具。它们都使用了有限差分张量网格。为了使得从像sentaurus process的TCAD sentaurus工具中得到的包括了掺杂信息的器件结构，能够和garand和garand mc相兼容，使用了sentaurus process的张量网格转换。