研二文献阅读（二）

        这是传统的LDMOS DDSCR的器件结构，主要有三部分组成，最左边是包裹着P+和N+区域的P阱，中间是包含着N+区域的N阱，最右边同样也是包含着N+和P+的P阱，要注意中间的N阱是将两个P阱包含起来的，最后其实还有一个P型衬底以及在表面形成的栅氧和STI。这种结构和一般横向SCR还是有很大区别的，首先因为它是双向性器件，为了对两个方向的ESD器件都有防护效果，所以将器件设计成对称的结构。同时，如果将P阱种的N+和P+去掉，整个器件其实就相当于是一个PNP三极管，而一般横向SCR则相当于一个PN二极管。

          这是论文中提到的所谓改进型器件，可以看到最大的不同就是将中间N阱的N+替换成了一个P+N+P+的类似三极管的结构，并将其进行了导线连接，改进型器件在触发电压和失效电流方面都一定的提升。

        这是改进型器件的等效电路图，其中的D1和D2以及P1和P2都是由改良后的结构中多出的部分。

        这是器件在触发时的电流分布图，可以看见在STI下面也产生了微弱的反型，这有利于电流的导通，能够更快得使得寄生晶体管导通，从而降低了触发电压。

        这是传统器件的电流分布图，可以看到在N阱部分的电流主要集中在表面，会引起热量集中的问题。

        这是改良版器件的电流分布图，可以看到在N阱部分的P+区域的有明显的电流集中的现象，使得原本处于表面的电流的路径更加分散，从而缓解了热量的集中，有利于电流的泄放，从而增大器件的失效电流。

        这两张图给出了两种器件的温度分布图，从侧面反映了改良版器件的温度分布得到了较大的提升。首先是发热部分分散程度更高，较大的局部热区消失；其次是从最高温度的角度来看，也有了比较好的改善。

        这是两种器件的最高温度随着时间变化的曲线，从中可以更加直观的看到改良器件的对局部温度过热的改善效果明显。

        这是两种器件的TLP IV曲线对比，由于器件都是对称结构的，所以其正向和方向曲线是也是高度对称的。再观察两种器件的触发电压等特征参数，可以发现改良版器件的触发电压有所下降，而失效电流有所提高，但是对于维持电压却有相应的下滑。

        对此提出了通过改变S2尺寸来调整器件维持电压的方法，图中可以看出对于不同S2尺寸的器件，其维持电压也有所改变，于是将S2设置在合适的值，可以得到维持电压满足条件的器件。

        这是器件在VFTLP测试下的IV曲线对比，从特征参数的角度可以看到改良版本同样也是有一定优势的。

        这是改良版器件在不同温度下的TLP IV曲线，可以看到当温度上升时，器件的性能也没有出现明显的退化，说明器件在高温下也能有较好的性能表现。

        最后的这张图是利用TCAD工具仿真得到的在不同温度下的器件TLP IV曲线，由于仿真与实测有一定的差距，所以无法得到准确的特征参数，但是其参数随着温度变化的趋势和实际是相符合的。

        该文章发表于2019年的SOLID STATE ELECTRONICS，文章标题为A compact LDMOS DDSCR for HV ESD protections with high robustness and reliability。该文章提出了一种新型的LDMOS DDSCR的器件结构，从器件工作的物理过程，TCAD仿真的器件内部物理量分布，以及TLP实测曲线说明了改良版器件的优势，为设计出性能更好的器件作出了一定的探索。