ESD笔记（三）_常用ESD保护电路优缺点

根据ESD防护器件的TLP I-V特性我们可将ESD器件分为回滞类和非回滞类两种；

• 回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控桂(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。

• 非回滞类的ESD器件包括二极管、二极管串、沟道工作的MOS管、PNP三极管、栅极接电源的PMOS(GDPMOS)等，与回滞类ESD器件相比，其TLP曲线没有负阻区的存在。

常用于ESD防护的器件包括PN结二极管、GGNMOS结构和 SCR 结构等。它们均有各自的优势和劣势，现列举如下：

二极管

二极管是最简单的ESD防护器件，寄生效应少，版图布局容易在传统的集成电路中，二极管结构是使用最多的ESD防护结构，能够满足常规的ESD防护需求。

主要劣势：

• 正向二极管开启电压较低。二极管正向导通电压约为0.7V,而芯片的工作电压可以低至IV,当使用正向导通的二极管对芯片进行ESD防护时，为了在芯片上电时不产生漏电流，往往需要串联多个二极管才能使用，导致导通电阻和版图面积相应成倍增大，并且二极管串高温下漏电流较大。
• 反向工作的二极管电流耐受能力较低。反向击穿后的二极管虽然开启电压较高，与PN结掺杂浓度有关，但反向击穿的二极管其电流泄放能力很弱，导通电阻也较大。

主要优势：

• 寄生电容较小。二极管的主要寄生电容为PN结电容和金属布线电容，相比MOS结构电容更小，常常使用在高速、射频电路中。
• 开启速度快。PN结二极管只存在一个PN结的势查区，相比三极管结构，没有基