研二文献阅读（六）

        这是传统的MLSCR的结构，其中MLSCR和LSCR的不同在于器件中间有无N+区，并且其触发电压较LSCR要小。

        这是文章提出的MLSCR的改型，其明显不同在于在中间N+区下面加上了一层称为P-ESD的P型区域，由于P-ESD区域的掺杂浓度较P阱更大，于是这个器件的雪崩击穿电压要小于传统的MLSCR，从而其击穿电压更小。

        这是器件在反向PN结发生雪崩击穿时的内部电流分布，颜色和电流密度大小的关系可以按照左下的标识进行判断，可以发现N+/P-ESD结处的电流密度最大，这也是雪崩击穿发生的地方。

        这是器件中寄生晶体管NPN开启时的电流分布，其电流流向由图中绿色箭头表示，而反偏二极管电流路径由蓝色箭头表示。

        这是SCR路径开始后的电流密度分布，其中SCR路径由红色箭头表示。

        这是对MLSCR和EMLSCR器件进行TLP测试得到的IV曲线，可以看到EMLSCR器件的触发电压有了明显的下降，但是MLSCR的实效电流却出现反常，这个问题后面会涉及到。

        这是对器件的参数D2进行调整后对器件性能造成的影响，可以看到当D2逐渐减小时，其失效电流有所增加。

        这张图是由于失效电流过大，将金属互连线熔断的图片，也说明了线宽的不足。

        这是对不同D2的器件进行TLP模拟下的最大电流密度的对比，比较符合测试数据。

        这是对P-ESD层的厚度进行调整后，测得的器件导通电阻和维持电压的变化情况，可以看到随着P-ESD层的厚度逐渐增大，其导通电阻和维持电压都有一定的下降。

        这是使用改进的TLP测试方法下的MLSCR和EMLSCR器件的IV曲线，可以看到MLSCR器件的实效电流恢复正常了。这是因为原来器件被设计成了叉指结构，当TLP冲击来临时，会存在电流导通不均匀的问题，从而导致了仅有部分的SCR结构被开启，从而失效电流下降。而改进的TLP测试方法的波形有更小的上升时间，从而在单位时间内产生更多的能量，可以将能量平均地分布在不同的SCR结构中，从而实现大部分器件的开启。

        ab图分别是在传统TLP下两种器件的电流导通状态，cd图分别为改进TLP下两种器件的电流导通状态。

        这是另一种应用于高压领域的结构，因为其有着更高的维持电压，能防止拴锁现象。

        通过对于这种结构进行器件TLP测试，发现其失效电流过低。

        如图所示不管是MLSCR还是EMLSCR，其失效电流都很低。其原因在于阱电阻过低，从而无法触发寄生晶体管的开启。

        论文中提出了两种提高阱电阻的方法，其一是改变D1的长度，其二是改变器件的拓扑结构，改为交替式的N+和P+的分布。

        

        这是D1参数的不同对器件性能的影响。

        这是拓扑结构中N+和P+占比对器件性能的影响。

总结：

        这是一篇于2019年发表在IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES上的文章，标题为An Enhanced MLSCR Structure Suitable for ESD Protection in Advanced Epitaxial CMOS Technology。文章的亮点在于提出了一种新的器件结构，用于提高SCR器件的ESD性能，其触发电压有明显的降低以及失效电流也有一定的提升。并通过实际制造的器件对器件的参数不同进行研究，得到参数对器件性能的影响。在这个过程中发现了器件的多叉指带来的电流导通不均匀问题，并利用改良的TLP测试对这个猜想进行验证。同时在对另一种结构的研究中发现了阱电阻过低的问题，并提出了改善阱电阻的方法，并利用测试对方法进行验证。总的来说，该文章为进一步探索更加合适当下ESD需求的SCR器件的结构做出了一定的贡献。