UIS 测试

        在实际的电子电力电路中，MOS器件经常会与感性负载相连接，如果感性负载两端没有并联续流二极管，则器件在每次关断后都会使负载电感中的电流流入 MOSFET 中。由于此时栅极已经关闭，MOSFET会短暂的处于击穿状态，这一过程称之为非钳位感性负载开关过程，即UIS，英文全称为Unclamped Inductive switching。

        UIS测试实质上就是一种模拟 MOS器件在系统应用中遭遇极端电热应力的测试，通过这种测试，可以得到MOS器件耐受能量的能力。而UIS测试之所以存在，是由于在回路导通时，储存在电感中的能量必须在关断瞬间全部释放，此时MOS上同时经过高电压和大电流，极易引起器件失效。因此，UIS能力是衡量功率器件可靠性的重要指标，通常用 EAS（单脉冲雪崩击穿能量）及EAR（重复雪崩能量）来衡量MOS耐受UIS的能力。

UIS测试相关术语

Vdd：整个回路的电压源大小。

BVdss：功率 MOSFET 关断时，漏源之间的雪崩击穿电压。

Rds：整个电路正常工作时， MOSFET 漏源之间的导通电阻。

Rg：栅极电阻

L ：感性负载，在进行 UIS 实验时，为了使实验现象明显，一般会采用 mH 量级的电感。

DUT：待测器件(device under test)。

Ipeak：UIS 测试过程中，MOSFET 关断时刻流过器件的电流值（亦即MOSFET关断前，漏源沟道内的最大工作电流）。

Tav  ：雪崩时间，即功率 MOSFET 关断开始，漏源产生雪崩击穿的时长，也可看作是器件关断后，电感内能量释放完毕所用的时间。

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