（三）使用sentaurus TCAD进行IGBT仿真

（三）使用sentaurus TCAD进行IGBT仿真

今天进行UIS仿真，学长提供了代码，我添加了SDEVICE，并把代码复制到了commands中，然后run，但是跑了好久，感觉图没变化，刷新也不变。不知道是不是哪里不对。

学长说应该是很慢的缘故，等了好久之后也确实有一点点变化，我决定慢慢等。顺便再次推荐学长微信公众号：心兰相随3225，他后面讲的可详细了！

从上午11点仿真到下午5点，居然还没完···怎么能这么慢？
结果学长说这是正常的···

后面电脑还卡住了，软件直接无响应···

后来因为我需要更高的击穿电压，所以不得不停止仿真，先更改IGBT的结构，因为学长说要增加漂移区厚度，因此我对IGBT的结构部分的代码做了修改。但是非常不成功。

1.更改纵向坐标

一开始我想着要增加漂移区的纵向厚度，因此把漂移区及以上的结构的纵坐标全部增加10，,再跑了一次发现BV曲线没有任何变化，我才意识到仿真的话是选择一个节点（一个小格）就只跑一个节点，选择一行的话才能全跑一遍。

我把漂移区的厚度增加了，可是击穿电压反而变小了···从300多变成了200多···

结构图也变得有点奇怪···有莫名其妙的白线。

2.更改横向长度length

问了学长才知道，我改的都是纵向的长度，其实应该改横向的length。

我在尝试改变了length之后（从60到100），击穿电压并没有变化，BV曲线和原来一模一样，不知道为啥。

我想着是因为发射极和集电极之间的距离没有改变，于是我把集电极改到了最右边，也没有用。length改到200仍然没变化，看来哪里有问题。但是当长度减小到40时，击穿电压减小到了150.

3.增加n-buffer区长度

接下来我在length=200的基础上，增加了n-buffer区的长度，依然没有改变BV曲线。

4.改变n-buffer区深度

结果击穿电压又变小了···


结果BV还是320多

5.改变漂移区掺杂浓度

我把漂移区掺杂浓度从8.4e14改成8.4e1之后，BV的确是变大了，超过340了，但是这浓度不能再小了吧

6.改变温度

因为要求的测试条件是25℃，因此我在BV的commands中添加了一句temperature=298，重新尝试一下。结果和之前的一样，还是340多。

7.tecplot工具栏缺失

这时只要点击view-tecplot toolbar就出来了

8.存图

用了存图语句之后就可以一次看十张图，看明白耗尽区是怎么扩展的了，下图是长度为40

以下为长度60时的图

长度为100，BV没有变