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原创 安全工作区 SOA

SOA曲线介绍

2023-06-30 12:24:03 605

原创 终端设计及仿真 —— JTE

终端设计及仿真 —— JTE

2023-05-27 22:39:05 2946

原创 终端结构简介

终端结构简介

2023-05-27 20:57:29 2454 2

原创 终端结构设计—— VLD

终端结构设计—— VLD

2023-05-27 18:35:12 1256

原创 终端设计仿真——沟槽场限环

终端设计仿真——沟槽场限环

2023-05-25 01:43:10 614 3

原创 终端结构设计—— FLR+FP

终端结构设计—— FLR+FP

2023-05-25 00:41:22 658 2

原创 终端设计仿真 —— 场限环 (FLR)

终端结构设计——场限环

2023-05-24 01:28:17 2526 4

原创 PN结击穿原理

PN结击穿原理

2023-05-23 00:00:56 1261

原创 元胞形状及版图布局

元胞形状及版图布局

2023-05-13 21:27:13 879 2

原创 重复雪崩EAR

重复雪崩击穿EAR

2023-04-23 00:50:49 364

原创 SOA 以及 EAS 推导

安全工作区SOA,EAS的推导和评估

2023-04-22 01:02:16 1894 2

原创 钳位电压即限制电压

如二极管的负极接地,正极接钳位处,那么钳位最高的电压也就是0.7V电压(也就是二极管的正向压降)。二极管具有单向导通的特点;二极管钳位就是利用了这点原理。网络来限制D、S极间电压,保护。这个限制的对象,可以是需要。的对象,譬如开关电源中的。

2023-04-21 11:16:09 981

原创 UIS 测试

其中,曲线①对应的近似为 0V 的电压波形也是整个UIS 过程的一个重要部分,因为漏源的导通电压是功率 MOSFET 工作时功耗的一个因子,而导通功耗产生的热量将决定器件发生 UIS 前的内部温度,对 UIS 雪崩击穿后是否二次热击穿会产生影响。此时一般会发生两种情况,一是 UIS 过程中产生的能量低于器件的雪崩耐量,此时器件两端的电流会降低到一个很低的水平,经过一段时间的振荡后降低为 0。注意,这里的击穿电压不是待测器件的雪崩击穿电压,它比待测器件的雪崩击穿电压要大一点。即为 UIS 中的电流变化曲线。

2023-04-16 01:43:24 3279 1

原创 功率 MOSFET 的热特性

功率 MOSFET 的质量取决于器件直流电特性及开关特性的表现,而安全性通常由热特性所决定。这是因为在器件失效相关的因素中,热特性所占的比重最大,高达74% 。

2023-04-15 23:17:24 449 1

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